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公开(公告)号：CN119225023A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411598058.0
申请日：2024-11-11
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种2D/3D兼容增强现实显示装置，所述装置包括投影机、偏振生成单元、偏振选择性全息微透镜阵列以及光学扩散元件。投影机根据显示模式投影相应的片源；偏振生成单元，由偏振片、扭曲向列液晶面板以及1/4波片组成。偏振片对光线进行偏振调制；扭曲向列液晶面板用于保持竖直方向的线偏振光或转变为水平方向的线偏振光；1/4波片将通过的线偏振光转化为圆偏振光；偏振选择性全息微透镜阵列对右旋圆偏振光具有聚焦作用，对左旋圆偏振光具有散焦作用。光学扩散元件既可以匀化3D图像，又可以作为承接2D图像的屏幕，也可以使环境光直接穿过。所述装置可以实现2D增强现实显示、3D增强现实显示以及2D/3D兼容增强现实显示三种模式。
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公开(公告)号：CN109884839B
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN201910308729.8
申请日：2019-04-17
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G02F7/00
Abstract: 本发明提出了一种基于非对称数字编码方案的光子模数转换系统及方法，飞秒脉冲激光器提供脉冲光源，由第一光分束器分为两路并行采样脉冲源，分别在两个电光调制器上完成对模拟射频信号的采样，同时通过直流电源调节电光调制器的静态偏置电压实现系统所需的相移。第一调制器的输出经第二分束器分为K束信号，通过光电探测器对第二分束器和第二调制器的输出信号进行光电转换，由比较器阵列进行阈值判决，最后由组合逻辑模块将比较器输出转换为二进制码。本发明所述转换系统通过增加比较阈值的方法，在不增加调制器数量的基础上可以显著提高系统的比特精度，使普通的电光调制器可以应用到光子模数转换系统中，结构简单、易于操作。
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公开(公告)号：CN114094557A
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN202111333469.3
申请日：2021-11-11
Applicant: 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: H02H9/02
Abstract: 本发明公开了一种基于扩散电阻的输入信号端口的ESD保护电路，包括扩散电阻RP和RN，本发明采用带有偏置的扩散电阻替代传统方案的固定电阻。当扩散电阻进行特定的偏置时，会形成对VDD和VSS的寄生二极管。当ESD冲击到来时，寄生的二极管形成对VDD和VSS的泄放通路，扩散电阻并联形成ESD的二级保护结构。本发明中，扩散电阻须选用N型和P型两种并联，并施加相应的偏置。因为扩散电阻寄生的二极管实现了对VDD和VSS的泄放通路，减少了元器件的使用，可以节省芯片面积。
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公开(公告)号：CN113871383A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202111119364.8
申请日：2021-09-24
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明提供了一种反向二极管降低触发电压的改进型LVTSCR器件。该器件在传统LVTSCR器件的基础上，在和阳极连接的P型重掺杂区与跨接硅衬底和n型阱区的n型重掺杂区之间的硅表面上设有一个氧化层区；该氧化层区表面形成多晶硅层；该多晶硅层与在跨接的n型重掺杂区和与阴极连接的n型重掺杂区之间的硅表面上的另一个氧化层区之上的多晶硅层通过一个反向二极管相连。该结构与传统LVTSCR结构相比，通过增加两条新的电流通路，进一步降低触发电压，并且降低HBM电压波形的第二个峰的峰值电压，提高器件的鲁棒性。
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公开(公告)号：CN113871382A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202111112784.3
申请日：2021-09-23
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明属于静电释放(ESD)保护器件设计领域，具体提供一种优化ESD防护性能的DCSCR器件，用以满足先进工艺下的集成电路对ESD防护的低触发电压、高灵敏度、低寄生电容、小面积等要求。本发明通过对传统DCSCR器件结构改进，通过将N型阱区内的N型重掺杂区设置到P型重掺杂区的上下方(垂直方向(Y轴)依次排布)，将P型阱内的P型重掺杂区设置到N型重掺杂区的上下方，大大减小了二极管的宽度，有效缩小了二极管的面积；并且，通过将DCSCR的触发二极管在原有位置中嵌入到SCR触发路径有源区的上下方，缩短了SCR的导通路径，减小了导通电阻、寄生电容，提升了开启速度；综上，本发明在不降低ESD防护能力的前提下，实现了器件面积的减小与器件性能的提升。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113838847A
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN202111026423.7
申请日：2021-09-02
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明属于静电放电(Electro‑Static discharge，简称ESD)保护电路设计领域，尤指二极管直连触发的可控硅整流器(Diode‑Connected Silicon Controlled Rectifier，简称DCSCR)，具体提供一种用于低压ESD防护的双向DCSCR器件，该器件为二端器件，可以用于低压任意的IO端口与电源之间提供ESD保护，对正反向的ESD事件，该器件均能做出快速的响应。本发明能够提供双向的ESD防护，且具有低触发电压、高泄流能力、高稳定性等优点；同时，在优化连接方式后拥有更小的导通电阻，实现器件性能进一步优化；此外，在利用双向ESD防护器件组成ESD防护网络时，能够只使用一个双向ESD器件与RC Clamp协同组成ESD防护网络，显著减小版图面积；尤其适用于纳米工艺下的片上双向ESD防护需求。
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公开(公告)号：CN109828421B
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN201910243149.5
申请日：2019-03-28
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G02F7/00
Abstract: 本发明公开了一种基于强度调节和差分编码技术的光子模数转换方法及系统，采用两个同步飞秒脉冲激光器提供不同中心频率的脉冲光源，脉冲信号经波分复用后作为采样脉冲源，后经电光调制器对模拟射频信号采样，经延时后，光信号经解复用器分为两路不同波长的光信号，并分别经分束器分为n路信号，其中一个分束器经衰减器阵列改变输出信号强度。输出光信号经耦合器阵列处理后由光电探测器作光电转换，最终经比较器阵列进行阈值判决，判决结果即为模拟信号量化后的输出。避免了调制器级联结构中存在的信号同步和响应一致性问题，简化了系统结构和对光电器件的依赖性；利用光强度调节来实现系统传递函数的相移，避免了传统相移操作的不稳定性。
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公开(公告)号：CN107488267B
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN201710584009.5
申请日：2017-07-18
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于柔性压力传感器领域，提供一种基于小球改性的高阻变氧化还原石墨烯材料及其制备方法；所述材料由氧化石墨烯掺杂聚乙烯纳米小球形成，其中，所述聚乙烯纳米小球的尺寸为直径90nm～2000nm，掺杂浓度为：质量比，1.56～12.5％。本发明将聚乙烯纳米小球(PS小球)掺进RGO薄膜中，聚乙烯纳米小球作为绝缘体引入，从而改变RGO碎片堆叠的结构，在同等的应变条件下，掺杂后的RGO的电阻变化将会变大，显示出很好的阻变特性；基于本发明RGO薄膜形成的传感器也就拥有更高的灵敏度(7～250)，远远大于常规RGO传感器；同时还能够通过调节掺杂PS小球的尺寸及浓度实现应变检测范围的调节。
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公开(公告)号：CN105552074B
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201510974257.1
申请日：2015-12-23
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于集成电路的静电放电保护技术领域，涉及一种基于锗硅异质结工艺的SCR器件，包括第一种导电类型硅衬底，硅衬底上形成相邻接的第二种导电类型阱区和第一种导电类型阱区，两阱区内分别设有第二种导电类型重掺杂区和第一种导电类型重掺杂区，所述第二种导电类型阱区内设有另一第二种导电类型重掺杂区；所述硅衬底上还形成有第二种导电类型埋层区，其上形成第二种导电类型集电区以及集电区两侧相邻接的两个第二种导电类型重掺杂区，且与所述第二种导电类型阱区内另一第二种导电类型重掺杂区相连，集电区的硅表面上依次设置第一种导电类型锗硅层、第二种导电类型重掺杂多晶硅层，重掺杂多晶硅层与阴极相连。本发明能有效降低SCR器件的触发电压。
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公开(公告)号：CN107591401A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：CN201710785508.0
申请日：2017-09-04
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L27/105
Abstract: 一种用于高压ESD保护的LDMOS-SCR器件，属于集成电路静电释放保护电路技术领域。本发明用于高压ESD保护的LDMOS-SCR器件包括1个LDMOS-SCR和(n-1)个与阱电阻并联的VSCR堆叠单元，其中，LDMOS-SCR的栅电容和堆叠单元中的阱电阻构成一个内嵌的RC通路，可以实现降低LDMOS-SCR触发电压的目的，而器件的维持电压由1个LDMOS-SCR器件的维持电压和(n-1)个VSCR堆叠单元的维持电压共同决定，会随着堆叠VSCR的个数的增加而增加。因此，本发明用于高压ESD保护的LDMOS-SCR器件在实现高的维持电压的同时，保持了较低的触发电压。
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