公开(公告)号：CN117672964A

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN202311661345.7

申请日：2023-12-06

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 赵建明 ,  李鑫煜 ,  卢潇 ,  徐开凯 ,  范洋

IPC: H01L21/77 ,  H01L21/71 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明提出了一种功率器件芯超薄制备与封装方法。其特点在于：正面覆盖一层30μm至60μm的聚酰亚胺或其它钝化膜，该钝化层在实现正面电极重新布局的同时，也形成了晶圆表面封装保护层，该保护层更可作为薄晶圆片封装的加工支撑，以方便采用固晶机的芯片拾取。此外，这层薄膜也可作为功率晶圆进行减薄加工保护支撑层。完成前述步骤的功率器件晶圆可通过金属蒸发或淀积的工艺形成背面电极。上诉结构在完成减薄后具有一定的厚度，存在一定的刚性，可采用TO‑220、TO247和模块支架等封装架构，对其键合封装。

公开(公告)号：CN110635008B

公开(公告)日：2024-01-30

申请号：CN201910932154.7

申请日：2019-09-29

Applicant: 电子科技大学 ,  四川晶辉半导体有限公司 ,  广安职业技术学院 ,  成都智芯微科技有限公司 ,  四川芯合利诚科技有限公司 ,  重庆中科渝芯电子有限公司 ,  四川蓝彩电子科技有限公司 ,  四川遂宁市利普芯微电子有限公司

Inventor： 徐开凯 ,  张鸿桥 ,  曾德贵 ,  曾尚文 ,  赵建明 ,  张宁 ,  范洋 ,  朱煜开 ,  张正元 ,  许栋梁 ,  田旭 ,  李建全 ,  廖楠 ,  施宝球 ,  徐银森 ,  陈勇

IPC: H01L33/38 ,  H01L33/46 ,  H01L33/00 ,  H01L27/15

Abstract: 本发明公开了一种基于场控可调硅基发光的单片集成光电微显示器件，它包括自下而上依次设置的硅衬底、发光结构、金属互联层、隔离层和金属反射层；所述发光结构嵌于硅衬底中，发光结构包括由外而内依次设置的n型阱、n+型有源区、p+型有源区、薄氧化层和多晶硅栅，n+型有源区与n型阱的内壁之间设置有场氧化层，场氧化层的外壁与硅衬底相连、内壁与n+型有源区相连。本发明采用了栅控二极管的结构，利用p+n结反偏引起的雪崩击穿机制进行电致发光，发光区域转移至多晶硅栅的四周，使得发光区域大大增加。本发明适用于全硅单片集成光电微显示器件技术领域。

公开(公告)号：CN110491967B

公开(公告)日：2021-03-02

申请号：CN201910823544.0

申请日：2019-09-02

Applicant: 电子科技大学 ,  重庆中科渝芯电子有限公司 ,  广东成利泰科技有限公司 ,  四川芯合利诚科技有限公司 ,  四川遂宁市利普芯微电子有限公司 ,  四川晶辉半导体有限公司 ,  成都智芯微科技有限公司 ,  上海联芯微电子科技有限公司 ,  四川蓝彩电子科技有限公司

Inventor： 黄磊 ,  孙宏亮 ,  徐开凯 ,  赵建明 ,  施宝球 ,  范洋 ,  洪继霖 ,  钱津超 ,  李建全 ,  曾尚文 ,  李洪贞 ,  廖楠 ,  徐银森 ,  黄平 ,  刘继芝 ,  陈勇

IPC: H01L31/173 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种反偏型硅发光SOI光电隔离器，包括作为衬底硅的第一衬底、作为SiO2中间层的第一介质层和顶层硅，第一衬底与顶层硅通过智能剥离技术键合；反偏型硅发光SOI光电隔离器包括制作在第一衬底中的硅光探测器、第一介质层以及制作在顶层硅中的硅光源。本发明还公开了上述光电隔离器的制作方法，并进一步公开了上述反偏型硅发光SOI光电隔离器的集成电路及其制作方法。本发明提供了硅光源与硅光探测器轴向排布，面积小、制造成本低，具有较高的光传输效率和集成度；本发明的光电隔离器可以与电路集成在同一个衬底上，硅光源与硅光探测器轴向堆叠，进一步降低了制造成本，具有较高的集成度，适用于光电隔离器的集成技术领域。

公开(公告)号：CN109786295A

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201910025495.6

申请日：2019-01-11

Applicant: 电子科技大学 ,  四川洪芯微科技有限公司 ,  四川蓝彩电子科技有限公司

Inventor： 徐开凯 ,  胡明稹 ,  戴胜强 ,  廖智 ,  刘宁 ,  张浩 ,  戴建定 ,  马晓洁 ,  赵建明 ,  刘继芝 ,  雷浩东 ,  夏建新

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/56

Abstract: 本发明公开了一种采用3D涂布法的沟槽玻璃钝化系统，包括加压釜、至少一个控制阀、涂布器、显微摄像头、计算机控制装置、光电检测模块和真空硅片台。本发明还公开了一种采用3D涂布法的沟槽玻璃钝化工艺。本发明能够实现将玻璃粉按沟槽位置精确覆盖，并能够大量减少玻璃粉用量，且无丙酮使用成本。本发明适用于所有采用沟槽工艺生产的GPP二极管以及其他GPP工艺产品的钝化技术领域。

公开(公告)号：CN106206528B

公开(公告)日：2018-08-28

申请号：CN201610807395.5

申请日：2016-09-07

Applicant: 四川上特科技有限公司 ,  电子科技大学 ,  四川绿然电子科技有限公司

Inventor： 徐开凯 ,  程绪林 ,  李朝晖 ,  李健儿 ,  赵建明 ,  范世杰 ,  刘继芝 ,  包海燕 ,  蔡勇 ,  冯春阳 ,  廖智 ,  曾尚文

IPC: H01L23/495 ,  H01L23/48 ,  H01L23/488 ,  H01L23/31 ,  H01L23/367 ,  H01L25/00 ,  H01L21/60 ,  H01L21/56

Abstract: 本发明提供了基于双向TVS高压脉冲抑制的整流桥及其制作工艺。整流桥包括塑封体、四个同一技术指标的二极管芯片、一个双向TVS管芯片、四个引线的框架；双向TVS管芯片固定设于第一引线框架上，通过导线连接第三引线框架；其中两个二极管芯片固定设于第二引线框架上，顶面均为P型，分别通过导线连接第一、第三引线框架；另两个二极管芯片固定设于第四引线框架上,顶面均为N型，分别通过导线连接第一、第三引线框架；第一、第三引线框架作交流引脚，第二、第四引线框架分别作正、负极引脚。本发明还公开了上述整流桥的制作工艺。本发明中整流桥布局紧凑，有利于PCB板小型化发展，制造工艺与以往方法不同，方便生产。

公开(公告)号：CN105932019A

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201610301123.8

申请日：2016-05-09

Applicant: 电子科技大学 ,  成都希格玛光电科技有限公司

Inventor： 周伟 ,  刘志强 ,  张小六 ,  张先伟 ,  赵建明 ,  邹泽亚 ,  周杨昆

IPC: H01L25/13 ,  H01L33/48 ,  H01L33/54 ,  H01L33/64

CPC classification number: H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2924/00014 ,  H01L25/13 ,  H01L33/48 ,  H01L33/54 ,  H01L33/642 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2933/005 ,  H01L2933/0075

Abstract: 一种采用COB封装的大功率LED结构，属于光电子器件技术领域。包括散热器，以及位于散热器之上的LED芯片结构和封装层，所述散热器为电绝缘散热器。本发明提供的大功率LED结构与现有LED结构相比，去掉了绝缘层、金属基板、导热硅胶层，缩短了传热路径，改善了散热性能，降低了芯片结温；本发明封装层表面为高低起伏的凸起或/和凹陷，有效提高了芯片的出光效率；本发明散热器表面开设凹槽，进一步缩短了散热路径，提高了散热性能；本发明大功率LED结构制作成本低，结构简单，有利于实现大规模批量化生产。

公开(公告)号：CN104538315A

公开(公告)日：2015-04-22

申请号：CN201510008299.X

申请日：2015-01-08

Applicant: 电子科技大学 ,  四川蓝彩电子科技有限公司 ,  四川绿然电子科技有限公司 ,  四川洪芯微科技有限公司

Inventor： 赵建明 ,  冯春阳 ,  廖智 ,  夏建新 ,  黄平 ,  徐开凯 ,  赵国 ,  钟思翰 ,  徐彭飞 ,  胡兴微 ,  蒋澎湃

IPC: H01L21/50

CPC classification number: H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L23/485 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/83

Abstract: 本发明提供了一种低阻大电流DMOS器件芯片级CSP封装方法，它包括以下步骤：（一）大电流DMOS器件的表层绝缘层制作及电极引线制作：（二）大电流DMOS器件的背部保护层制作；（三）大电流MOS器件的侧面保护层制作；（四）单个大电流功率DMOS器件分割。本发明采用表面钝化技术，研究适用于无引线裸芯片封装的电极布局和电极材料，开发无引线裸芯片封装工艺，提高器件的稳定性和可靠性。本发明芯片级CSP封装方法适用于所有管脚位于同一平面内的大电流功率MOS器件的封装。

公开(公告)号：CN104132262A

公开(公告)日：2014-11-05

申请号：CN201410294632.3

申请日：2014-06-24

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 赵建明 ,  杨萍 ,  徐彭飞 ,  廖智 ,  胡兴微 ,  李建黎 ,  周伟 ,  蒋玉东

IPC: F21S2/00 ,  F21V8/00 ,  F21V5/00 ,  F21V19/00 ,  F21V29/00 ,  F21Y101/02

Abstract: 本发明公开了一种光纤直接耦合RGB三基色LED冷光源，它包括用于发光的LED发光机构、透光层，所述LED发光机构为具有红、绿、蓝三基色的LED晶片机构，LED发光机构的光发射端通过无损耗传输的光纤线路连接透光层。本发明使片寿命长、发光效率高、功率大，体积小、结构简单，且彩色色域更宽，色度均匀，便于调整复合光的色域和色度，满足投影机光源、图像显示光源以及各类照明光源的需求。本发明适用作投影机光源、图像显示光源以及各类照明光源等。

公开(公告)号：CN103855790A

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：CN201410110196.X

申请日：2014-03-24

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 赵建明 ,  李晓峰 ,  周良清 ,  陈勇 ,  李建黎 ,  廖智 ,  梁和生 ,  陈建华

IPC: H02J7/35 ,  H02J3/38

CPC classification number: Y02B10/14 ,  Y02E10/563 ,  Y02E10/566

Abstract: 本发明为一种具有储能功能的智能光伏发电系统及控制方法，其中智能光伏发电系统包括太阳能电池模块、光伏逆变器模块、储能电池模块、智能功率合成模块、智能控制模块，所述太阳能电池模块输出端连接储能电池模块的信号输入端，太阳能电池模块与储能电池模块的信号输出端分别通过智能功率合成模块连接光伏逆变器模块的信号输入端，光伏逆变器模块的信号输出端连接用电负载，用电负载还连接外部市电；智能控制模块分别控制连接太阳能电池模块、储能电池模块、外部电网与用电负载的接通。本发明的发电系统结构简单，能够为负载提供可靠的驱动，并保证对能源的充分利用。本发明的发电系统适用于各种利用太阳能发电的家用发电系统。

公开(公告)号：CN102201449A

公开(公告)日：2011-09-28

申请号：CN201110139824.3

申请日：2011-05-27

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 陈勇 ,  赵建明 ,  夏建新

IPC: H01L29/78 ,  H01L23/31 ,  H01L23/367

CPC classification number: H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种功率MOS器件低热阻封装结构，属于功率半导体器件技术领域。本发明结合硅芯片倒装桥夹技术和常规TO封装技术，采用倒装散热结构，使得功率MOS器件产生的热量直接流向金属热沉，解决了功率MOS器件常规TO封装所带来的热阻过大的问题；同时桥夹技术的大面积接触除了进一步降低热阻，还可以增大电流容量，减小寄生电感。本发明提供的功率MOS器件低热阻封装结构，具有常规TO封装的外形，可以利用现有的TO封装生产线，无需添加封装设备、仅适当增加桥夹与倒装工艺相关设备的情况下封装出性能优异的功率MOS器件。经实际检测证明，本发明提供的功率MOS器件低热阻封装结构，比常规TO封装结构可使热阻下降约80％、电流容量增加约两倍，而寄身电感大大减小。