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公开(公告)号：CN109901656B
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN201910283757.9
申请日：2019-04-10
Applicant: 电子科技大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明公开了一种低功耗全MOS管带隙基准电路以及基于其的转换器，涉及带隙基准电路领域；其包括镜像NMOS管、镜像PMOS管、第二NMOS管NM2、第五NMOS管NM5和为NM2、NM5提供偏置使其工作在线性区的MOS管组；镜像PMOS管、镜像NMOS管和第五NMOS管NM5连接，产生与电源无关的电流，电流通过镜像PMOS管流进第二NMOS管NM2转换为电压，第二NMOS管NM2与镜像NMOS管中第三NMOS管NM3连接，实现NM2产生的正温度系数电压与NM3具有负温度系数的栅源电压叠加，镜像PMOS管中的第三PMOS管PM3漏极连接第NMOS管NM2漏极，输出叠加后的零温度系数电压；本发明解决了现有采用BJT管的发射极‑基极电压的负温特性构建零温的带隙基准存在电路功耗大、电路复杂的问题，达到了实现电压零温的同时降低功耗和减小电路面积的效果。
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公开(公告)号：CN111856426A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010755171.0
申请日：2020-07-31
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G01S7/41
Abstract: 基于中央厄米特结构和非匀质模型的子空间目标检测方法，其步骤是：生成空基雷达回波数据矩阵；生成待检距离门数据和第二数据集；估计待检距离门数据和第二数据集的局部抖动幅度；构建非匀质模型；对待检距离门数据和第二数据集进行非匀质处理；对非匀质第二数据集的协方差矩阵进行估计；利用中央厄米特结构，对杂波协方差矩阵的估计值进行更新；计算非匀质模型下的子空间目标的检测统计量；判定空基雷达回波信号中是否存在雷达子空间目标。本发明提高了在非匀质杂波下的目标检测性能，并且可应用于第二数据量不足的条件下的目标检测场景。
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公开(公告)号：CN109950115A
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201910237300.4
申请日：2019-03-27
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 该发明为一种用于回旋行波管的新型高频结构，称为双共焦波导。其特点是由两组单共焦波导组成，每组单共焦波导由两面曲率半径等于镜面间距的共焦镜面构成。因此双共焦波导总共由四面相同且对称分布的共焦镜面构成。此种双共焦波导具有稀疏的模式密度以及良好的模式选择特性，因此实现了回旋行波管的高阶模工作，从而使回旋行波管的工作频率扩展到W波段以上(94GHz)。该新型双共焦波导比起传统的单共焦波导，显著提高了回旋行波管的注波互作用效率。
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公开(公告)号：CN109901656A
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201910283757.9
申请日：2019-04-10
Applicant: 电子科技大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明公开了一种低功耗全MOS管带隙基准电路以及基于其的转换器，涉及带隙基准电路领域；其包括镜像NMOS管、镜像PMOS管、第二NMOS管NM2、第五NMOS管NM5和为NM2、NM5提供偏置使其工作在线性区的MOS管组；镜像PMOS管、镜像NMOS管和第五NMOS管NM5连接，产生与电源无关的电流，电流通过镜像PMOS管流进第二NMOS管NM2转换为电压，第二NMOS管NM2与镜像NMOS管中第三NMOS管NM3连接，实现NM2产生的正温度系数电压与NM3具有负温度系数的栅源电压叠加，镜像PMOS管中的第三PMOS管PM3漏极连接第NMOS管NM2漏极，输出叠加后的零温度系数电压；本发明解决了现有采用BJT管的发射极-基极电压的负温特性构建零温的带隙基准存在电路功耗大、电路复杂的问题，达到了实现电压零温的同时降低功耗和减小电路面积的效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109067706A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201810692784.7
申请日：2018-06-29
Applicant: 西安电子科技大学
CPC classification number: H04L63/0421 , G06F21/6245 , G06K17/0029 , H04L63/0428 , H04L63/0807
Abstract: 本发明属于无线通信技术领域，公开了一种物联网场景下的轻量级RFID隐私保护方法、无线通信系统，阅读器生成一个随机数，并和询问请求信息一同发给标签；将结果反馈给阅读器，阅读器收到信息后再加上随机数一同发给服务器；服务器根据接收到的信息匹配；阅读器从加密信息中解出身份标识及随机数，发送加密后的相关信息给标签；标签检查数据的合法性，计算出更新后的会话密钥号；阅读器与服务器逐次收到更新信息后进行比较实现了K的同步更新；服务器将加密后的新的会话密钥号逐次发送给标签；标签更改记录协议当前进度的标识；至此，协议完成。本发明能够在一定程度上实现hash方法的功能；降低了系统的计算开销，使得协议更趋轻量级。
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公开(公告)号：CN108900069A
公开(公告)日：2018-11-27
申请号：CN201810730040.X
申请日：2018-07-05
Applicant: 电子科技大学
IPC: H02M1/00
Abstract: 本发明公开了一种基于占空比的自适应二次斜坡补偿电路，包括占空比检测电路、控制电路以及二次斜坡产生电路，所述放电场效应管NM2通过控制由产生系统工作周期的偏置电压信号Vf产生的电流If对积分电容C2进行充电产生包含占空比信号的电压信号Va；所述控制电路通过比较电压Va与参考电压产生斜坡电路的工作控制信号；所述二次斜坡产生电路根据前述控制信号，包含占空比信号的电压Va以及包含频率信号的电压Vf产生二次斜坡补偿信号Islope。本发明通过在不同占空比时采用不同的补偿斜率，既能保证系统电流环路的稳定，又能合理地减小电路功耗。在相同占空比下增大了系统的稳定性、瞬态响应以及带载能力，提高了芯片的效率。
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公开(公告)号：CN107241077A
公开(公告)日：2017-10-10
申请号：CN201710333310.9
申请日：2017-05-12
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于射频微机电系统(MEMS)技术领域，具体提供一种新型压电薄膜体声波谐振器及其制造方法，包括衬底，支撑层、底电极层、压电层及顶电极层；该谐振器的衬底上开设有一定数量凹槽，用以增大衬底外表面积；在衬底上设置支撑层，使用低声阻抗柔性材料聚酰亚胺等填充凹槽内部和支撑层上表面；然后在低声阻抗层上依次设置底电极层、压电层及顶电极层。该新型压电薄膜体声波谐振器结构新颖，制备简单，更重要的是能有效解决柔性基底体声波谐振器热稳定性不足，功率容量不足等问题，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN103455170B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201310367884.X
申请日：2013-08-22
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F3/0346 , G06F1/32 , H04M1/725
Abstract: 本发明涉及一种基于传感器的移动终端运动识别装置及方法，利用收集至少两个加速度数据和磁场数据，并且对加速度数据进行噪声过滤。根据移动终端的当前运行状态来确定使用状态。利用二级分类器单元根据磁场数据和经过噪声过滤的至少两个加速度数据，确定所述移动终端的运动类型。利用热量消耗计算单元根据移动终端的运动类型和使用状态确定运动信息，并且将所述运动信息转换为相应的卡路里消耗量。以及，利用电量优化单元根据移动终端的运动类型和使用状态来减少识别移动终端运动时的电量消耗。
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公开(公告)号：CN217822826U
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202220988730.7
申请日：2022-04-25
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L31/036 , H01L31/0304 , H01L31/105 , H01L31/18
Abstract: 本实用新型公开了一种p‑BN/i‑Ga2O3/n‑Ga2O3的日盲型紫外探测器，包括：衬底、n型Ga2O3层、i型Ga2O3层、p型BN层、n型欧姆电极和p型欧姆电极；n型Ga2O3层位于衬底上；i型Ga2O3层和n型欧姆电极均位于n型Ga2O3层上，i型Ga2O3层和n型欧姆电极之间间隔设置；p型BN层位于i型Ga2O3层上；p型欧姆电极位于p型BN层上；其中，p型BN层采用纤锌矿型氮化硼材料，且p型BN层厚度为50‑100nm。本实用新型通过采用纤锌矿型氮化硼作为p型层，使得p型掺杂激活能只有31meV，可以使得p型BN层较易实现1×1018cm‑3以上的空穴浓度，使得P型氮化硼材料的电阻率可以降到12Ω.cm以下，由于p型BN层能够有效地提供空穴并与金属电极形成良好的欧姆接触，使得探测器的响应时间缩短、量子效率以及光谱响应度提升。
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