公开(公告)号：CN114171671A

公开(公告)日：2022-03-11

申请号：CN202111263405.0

申请日：2021-10-28

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 周小伟 ,  冯宸宇 ,  李培咸 ,  杨雪 ,  马晓华

IPC: H01L41/18 ,  H01L41/335 ,  H01L41/37

Abstract: 本发明提供的一种易剥离高结晶质量的铝钪氮薄膜及其制备方法，本发明使用溅射方法、MOCVD方法或MBE方法在转移在蓝宝石的二维BN层上生长AlScN薄膜，提高了可剥离性，并通过高温退火工艺提高了材料的质量，因此本发明的易剥离高结晶质量的铝钪氮薄膜可用于滤波器设备中。

公开(公告)号：CN115036380B

公开(公告)日：2023-12-08

申请号：CN202210441468.9

申请日：2022-04-25

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 周小伟 ,  唐发权 ,  冯宸宇 ,  陈超 ,  张晨 ,  杨雪 ,  李培咸

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/105 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种pin结构的日盲型紫外探测器及其制备方法，包括：衬底、n型氧化镓层、n型欧姆电极、i型氧化镓层、p‑AlGaN/h‑BN超晶格层、p型氮化镓层和p型欧姆电极；n型氧化镓层位于衬底上；i型氧化镓层和n型欧姆电极均位于n型氧化镓层上，i型氧化镓层和n型欧姆电极之间间隔设置；p‑AlGaN/h‑BN超晶格层位于i型氧化镓层上，p型氮化镓层位于p‑AlGaN/h‑BN超晶格层上；p型欧姆电极位于p型氮化镓层上。本发明的P型超晶格层能够有效地提供空穴，高掺杂的p型GaN层可以与金属电极形成良好的欧姆接触，使得探测器的响应时间变短、量子效率以及光谱(56)对比文件Matthew Whiteside et al.Demonstrationof vertically-ordered h-BN/AlGaN/GaNmetal-insulator-semiconductor high-electron-mobility transistors on Sisubstrate 《.Materials Science andEngineering B》.2021,第270卷(第0921-5107期),全文.赖黎;莫慧兰;符思婕;毛彦琦;王加恒;范嗣强.氧化镓微晶薄膜制备及其日盲深紫外探测器.发光学报.2020,(09),全文.

公开(公告)号：CN113817982A

公开(公告)日：2021-12-21

申请号：CN202110831683.5

申请日：2021-07-22

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 周小伟 ,  冯宸宇 ,  李培咸 ,  岳文凯 ,  马晓华 ,  郝跃

IPC: C23C14/06 ,  C23C14/35 ,  C23C14/58 ,  C23C16/34

Abstract: 本发明公开了一种易剥离高结晶质量的氮化铝薄膜的制备方法，包括：对铜衬底进行加热预处理；在预处理后的铜衬底上生长二维BN层；将所述二维BN层从所述铜衬底上转移至蓝宝石衬底上；利用磁控溅射方法，在所述二维BN层上生长一层氮化铝材料，形成三层结构；对所述三层结构进行高温退火处理，以提高所述三层结构上的所述氮化铝材料的结晶质量；使用胶带将所述氮化铝材料从所三层结构上进行剥离，得到制备完成的氮化铝薄膜。本发明可以在保证结晶质量的同时提高氮化铝薄膜的可剥离性。

公开(公告)号：CN115036380A

公开(公告)日：2022-09-09

申请号：CN202210441468.9

申请日：2022-04-25

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 周小伟 ,  唐发权 ,  冯宸宇 ,  陈超 ,  张晨 ,  杨雪 ,  李培咸

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/105 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种pin结构的日盲型紫外探测器及其制备方法，包括：衬底、n型氧化镓层、n型欧姆电极、i型氧化镓层、p‑AlGaN/h‑BN超晶格层、p型氮化镓层和p型欧姆电极；n型氧化镓层位于衬底上；i型氧化镓层和n型欧姆电极均位于n型氧化镓层上，i型氧化镓层和n型欧姆电极之间间隔设置；p‑AlGaN/h‑BN超晶格层位于i型氧化镓层上，p型氮化镓层位于p‑AlGaN/h‑BN超晶格层上；p型欧姆电极位于p型氮化镓层上。本发明的P型超晶格层能够有效地提供空穴，高掺杂的p型GaN层可以与金属电极形成良好的欧姆接触，使得探测器的响应时间变短、量子效率以及光谱响应度提升。

公开(公告)号：CN217822826U

公开(公告)日：2022-11-15

申请号：CN202220988730.7

申请日：2022-04-25

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 唐发权 ,  周小伟 ,  冯宸宇 ,  陈超 ,  张晨 ,  杨雪 ,  李培咸

IPC: H01L31/036 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/105 ,  H01L31/18

Abstract: 本实用新型公开了一种p‑BN/i‑Ga2O3/n‑Ga2O3的日盲型紫外探测器，包括：衬底、n型Ga2O3层、i型Ga2O3层、p型BN层、n型欧姆电极和p型欧姆电极；n型Ga2O3层位于衬底上；i型Ga2O3层和n型欧姆电极均位于n型Ga2O3层上，i型Ga2O3层和n型欧姆电极之间间隔设置；p型BN层位于i型Ga2O3层上；p型欧姆电极位于p型BN层上；其中，p型BN层采用纤锌矿型氮化硼材料，且p型BN层厚度为50‑100nm。本实用新型通过采用纤锌矿型氮化硼作为p型层，使得p型掺杂激活能只有31meV，可以使得p型BN层较易实现1×1018cm‑3以上的空穴浓度，使得P型氮化硼材料的电阻率可以降到12Ω.cm以下，由于p型BN层能够有效地提供空穴并与金属电极形成良好的欧姆接触，使得探测器的响应时间缩短、量子效率以及光谱响应度提升。