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公开(公告)号：CN110098292B
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN201910169560.2
申请日：2019-03-06
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于纳米图形的蓝绿量子点发光二极管及制备方法，主要解决现有蓝绿量子点发光二极管电荷传输效率低，表面缺陷多的问题。其自下而上包括：衬底层(1)、n型GaN层(2)、InxGa1‑xN单量子点层(3)和p型GaN层(4)，该n型GaN层上设有直径为20‑200nm，高度为3‑30nm，且分布均匀的纳米图形，该InxGa1‑xN单量子点层位于纳米图形上。本发明与传统量子点发光二极管相比，使用氧化硅纳米球阵列为掩模，通过ICP蚀刻技术得到均匀分布的纳米图形，在纳米图形上直接生长量子点，提高了电荷传输效率，降低了表面位错，能得到高效的蓝绿量子点发光二极管，可用于蓝绿光发光设备中。
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公开(公告)号：CN113817982A
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202110831683.5
申请日：2021-07-22
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种易剥离高结晶质量的氮化铝薄膜的制备方法，包括：对铜衬底进行加热预处理；在预处理后的铜衬底上生长二维BN层；将所述二维BN层从所述铜衬底上转移至蓝宝石衬底上；利用磁控溅射方法，在所述二维BN层上生长一层氮化铝材料，形成三层结构；对所述三层结构进行高温退火处理，以提高所述三层结构上的所述氮化铝材料的结晶质量；使用胶带将所述氮化铝材料从所三层结构上进行剥离，得到制备完成的氮化铝薄膜。本发明可以在保证结晶质量的同时提高氮化铝薄膜的可剥离性。
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公开(公告)号：CN109216332B
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201810811349.1
申请日：2018-07-23
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L25/07 , H01L25/16 , H01L29/872
Abstract: 本发明涉及一种基于肖特基二极管的毫米波线性化方法，包括：制备GaN基微波功率器件，测试得到GaN基微波功率器件的输入阻抗；制备肖特基二极管，测试得到肖特基二极管的输出阻抗；将肖特基二极管的输出阻抗与GaN基微波功率器件的输入阻抗共轭匹配；将GaN基微波功率器件与肖特基二极管通过键合互连。本发明实施例，减小了器件空间面积，可以提升线性度补偿并增强可调性，在高频和宽带环境下都可以发挥最佳效应，进一步提高器件集成度和工作速度。
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公开(公告)号：CN110752185A
公开(公告)日：2020-02-04
申请号：CN201810811324.1
申请日：2018-07-23
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L21/8252 , H01L27/06
Abstract: 本发明涉及一种基于氮化镓的宽摆幅双向限幅电路的制备方法，包括制作PIN二极管、肖特基二极管以及GaN基器件，并将PIN二极管和肖特基二极管并联后通过金属互联工艺与GaN基器件连接，从而完成基于氮化镓的宽摆幅双向限幅电路的制备。本发明实施例，通过采用将PIN二极管和肖特基二极管并联再与GaN基器件的栅极连接的电路，可以实现电路的自我保护，同时满足器件能够承受正反向大功率信号的冲击，实现器件的双向保护。
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公开(公告)号：CN110112268A
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201910169569.3
申请日：2019-03-06
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于量子点阵列的紫外量子点发光二极管及制备方法，主要解决现有紫外量子点发光二极管可靠性差、效率低和寿命不稳定的问题。其自下而上包括：衬底层、n型AlxGa1-xN层、AlyGa1-yN单量子点层、p型AlzGa1-zN层和电极，该n型AlxGa1-xN层上设有直径为20-150nm、高度为2-35nm的量子点阵列，AlyGa1-yN单量子点层位于量子点阵列上，以提高量子点发光二极管的可靠性和寿命稳定性。本发明使用氧化硅纳米球阵列为掩模，通过ICP蚀刻技术得到均匀分布的量子点阵列，在量子点阵列上直接生长量子点，提高了器件的可靠性和稳定性，可用于紫外及深紫外发光设备中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106449737B
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201611087793.0
申请日：2016-12-01
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/45 , H01L21/28 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种低接触电阻型GaN基器件及其制作方法，主要解决现有器件源漏接触电阻、栅漏寄生电容过高的问题。其器件自下而上包括衬底层(1)、成核层(2)、缓冲层(3)、第二沟道区(4)、背势垒层(5)、第一沟道区(6)、插入层(7)、AlGaN/InAlN势垒层(8)和GaN帽层(9)，GaN帽层上设有源电极(10)、漏电极(11)和刻蚀深度至背势垒层的凹槽，凹槽的内壁和GaN帽层除源漏电极外的区域设有钝化层(12)，凹槽内的钝化层上设有栅电极(13)。本发明降低了欧姆接触电阻，增加了栅漏间距，减小了栅漏反馈电容，提高了器件的工作频率，可用于通讯、卫星导航、雷达系统和基站系统中。
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公开(公告)号：CN109545919A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201811328759.7
申请日：2018-11-09
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种AlGaN层调制掺杂的高效紫外发光二极管及其制备方法，主要解决现有紫外发光二极管电流拥堵的问题。其自下而上包括：磁控溅射AlN的c面蓝宝石衬底层(1)、u型AlxGa1-xN层(2)、n型AlxGa1-xN层(3)、InyGa1-yN/AlzGa1-zN多量子阱层(4)、p型GaN层(5)和电极(6)，其中n型AlxGa1-xN层(3)采用由AlxGa1-xN层和GaN层按照10-60的周期交替生长的n-AlxGa1-xN层和u-GaN层组成的调制掺杂结构。本发明提高了器件的电导率，缓解了电流拥堵效应，从而提高了器件的发光效率，可用于紫外和深紫外发光设备中。
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公开(公告)号：CN109244038A
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201810811364.6
申请日：2018-07-23
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L21/8252 , H01L27/06
Abstract: 本发明涉及一种氮化镓基宽摆幅线性化器件的制作方法，包括步骤：刻蚀AlGaN势垒层，在GaN缓冲层上形成PIN二极管制作区域；在刻蚀后的AlGaN势垒层上制作AlGaN/GaN HEMT器件，测试得到AlGaN/GaN HEMT器件的输入阻抗；在PIN二极管制作区域制作PIN二极管，使得PIN二极管的输出阻抗与输入阻抗共轭匹配；在PIN二极管和AlGaN/GaN HEMT器件上制作互联层，得到宽摆幅线性化器件。本发明实施例在功率放大器前加入PIN二极管，既可以实现电路宽摆幅，又可以提高功率放大器的线性度。
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公开(公告)号：CN109216332A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201810811349.1
申请日：2018-07-23
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L25/07 , H01L25/16 , H01L29/872
Abstract: 本发明涉及一种基于肖特基二极管的毫米波线性化方法，包括：制备GaN基微波功率器件，测试得到GaN基微波功率器件的输入阻抗；制备肖特基二极管，测试得到肖特基二极管的输出阻抗；将肖特基二极管的输出阻抗与GaN基微波功率器件的输入阻抗共轭匹配；将GaN基微波功率器件与肖特基二极管通过键合互连。本发明实施例，减小了器件空间面积，可以提升线性度补偿并增强可调性，在高频和宽带环境下都可以发挥最佳效应，进一步提高器件集成度和工作速度。
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公开(公告)号：CN109216331A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201810811137.3
申请日：2018-07-23
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L25/07 , H01L21/56 , H01L29/778 , H01L29/868
Abstract: 本发明涉及一种基于PIN二极管的毫米波预失真集成电路的制作方法，包括步骤：制备AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管，测试得到所述AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的输入阻抗；制备PIN二极管，使得所述PIN二极管的输出阻抗与所述输入阻抗共轭匹配；键合所述AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管和所述PIN二极管，得到预失真集成电路。本发明实施例的预失真集成电路在低频、窄带环境和高频、宽带环境下都可以发挥最佳效应；同时，预失真集成电路可以减小氮化镓基功率放大器的幅度，改善功率放大器的非线性失真。
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