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公开(公告)号：CN107241077A
公开(公告)日：2017-10-10
申请号：CN201710333310.9
申请日：2017-05-12
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于射频微机电系统(MEMS)技术领域，具体提供一种新型压电薄膜体声波谐振器及其制造方法，包括衬底，支撑层、底电极层、压电层及顶电极层；该谐振器的衬底上开设有一定数量凹槽，用以增大衬底外表面积；在衬底上设置支撑层，使用低声阻抗柔性材料聚酰亚胺等填充凹槽内部和支撑层上表面；然后在低声阻抗层上依次设置底电极层、压电层及顶电极层。该新型压电薄膜体声波谐振器结构新颖，制备简单，更重要的是能有效解决柔性基底体声波谐振器热稳定性不足，功率容量不足等问题，具有良好的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106504981A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201610896726.7
申请日：2016-10-14
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L21/027 , H01L21/3213
CPC classification number: H01L21/0273 , H01L21/32139
Abstract: 本发明属于半导体器件制造工艺技术领域，具体提供了一种制备角度可控缓坡微结构的方法，该方法首先在基片上生长半导体材料薄膜，再在半导体材料薄膜上旋涂一层光刻胶；然后在曝光阶段，利用光的衍射原理，保持掩膜版与光刻胶之间存在垂直间距，对光刻胶进行曝光，使图形边缘位置产生不同的曝光量，从而显影后得到具有缓坡形状的光刻胶，最后采用干法刻蚀，将缓坡形状转移至半导体材料薄膜，洗去光刻胶，则得到缓坡微结构。本发明工艺简单，可控性好；能够解决目前缓坡刻蚀中缓坡角度难以控制的问题，实现对台面缓坡的角度、刻蚀深度的良好控制，提高了器件和电路的成品率和胶的侧面可控性。
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公开(公告)号：CN107241077B
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN201710333310.9
申请日：2017-05-12
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于射频微机电系统(MEMS)技术领域，具体提供一种新型压电薄膜体声波谐振器及其制造方法，包括衬底，支撑层、底电极层、压电层及顶电极层；该谐振器的衬底上开设有一定数量凹槽，用以增大衬底外表面积；在衬底上设置支撑层，使用低声阻抗柔性材料聚酰亚胺等填充凹槽内部和支撑层上表面；然后在低声阻抗层上依次设置底电极层、压电层及顶电极层。该新型压电薄膜体声波谐振器结构新颖，制备简单，更重要的是能有效解决柔性基底体声波谐振器热稳定性不足，功率容量不足等问题，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN107528561A
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201710816568.4
申请日：2017-09-12
Applicant: 电子科技大学
CPC classification number: H03H3/02 , H03H9/02007 , H03H9/0514 , H03H9/1014 , H03H9/173 , H03H2003/021
Abstract: 本发明涉及一种空腔型薄膜体声波谐振器，包括从下往上依次设置的衬底、隔离层、支撑层、底电极层、压电层及顶电极层，隔离层上表面中部向下凹陷形成凹槽，支撑层和衬底将凹槽封闭形成封闭空腔，该封闭空腔下表面的高度低于衬底上表面的高度，且该封闭空腔的下表面为平整面，所述支撑层材料为SiC。同时本发明还公开了该声波谐振器的制备方法。本发明通过SiC支撑层使得器件结构稳定，提高了功率容量。可以有效的将热量散发出去，减小器件热稳态温度，热稳定性好。本发明方法采用丙酮溶液剥离工艺(lift-off)去除非晶硅层，简化了CMP工艺，研磨时间减少，研磨均匀性改善，提高了器件的频率稳定性及成品率。
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公开(公告)号：CN105958956A
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201610262057.8
申请日：2016-04-26
Applicant: 电子科技大学
CPC classification number: H03H3/02 , H03H9/02015 , H03H9/0509 , H03H9/173 , H03H2003/021 , H03H2003/023
Abstract: 本发明属于射频微机电系统技术领域，具体提供一种新型薄膜体声波谐振器及其制备方法；所述薄膜体声波谐振器包括衬底、依次设置在衬底上的底电极、压电层及顶电极，所述衬底上开设有凹槽，衬底上表面及凹槽内设置低声阻抗层，所述底电极、压电层及顶电极均设置于所述低声阻抗层上，所述底电极为由低声阻抗层上依次层叠的高电导率电极层和高声阻抗电极层构成的复合底电极。本发明提供一种新型薄膜体声波谐振器及其制备方法，该谐振器性能优良，制备工艺难度和复杂度均极大简化，显著提高薄膜体声波谐振器生产合格率，大大降低生产成本、缩短生产周期，有利于工业化生产，对拓宽应用领域有着极其重要的意义。
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公开(公告)号：CN105958956B
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201610262057.8
申请日：2016-04-26
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于射频微机电系统技术领域，具体提供一种新型薄膜体声波谐振器及其制备方法；所述薄膜体声波谐振器包括衬底、依次设置在衬底上的底电极、压电层及顶电极，所述衬底上开设有凹槽，衬底上表面及凹槽内设置低声阻抗层，所述底电极、压电层及顶电极均设置于所述低声阻抗层上，所述底电极为由低声阻抗层上依次层叠的高电导率电极层和高声阻抗电极层构成的复合底电极。本发明提供一种新型薄膜体声波谐振器及其制备方法，该谐振器性能优良，制备工艺难度和复杂度均极大简化，显著提高薄膜体声波谐振器生产合格率，大大降低生产成本、缩短生产周期，有利于工业化生产，对拓宽应用领域有着极其重要的意义。
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