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公开(公告)号：CN104124348B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201410317679.7
申请日：2014-07-04
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明涉及颜色可调的石墨烯基薄膜电致发光器件及其制备方法，属于电致发光器件技术领域，该器件包括一发光元件，一衬底结构，一第一电极、一第二电极、第三电极，以及信号输入装置；所述发光的两端分别与所述第一电极和第二电极建立电学连接，并通过第一电极和第二电极固定；所述发光元件，所述第一电极，第二电极和第三电极设置在衬底结构上，对这些元件起支撑和保护作用；所述信号输入装置包括分别与第二电极和第三电极相连的栅极控制信号，用以调制发光元件的颜色；还包括分别与第一电极和第二电极相连的源漏输入信号，用以控制发光的亮度。本发明能够实现发光波长从300nm至1000nm区间连续可调。可广泛应用在各种电子显示领域。
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公开(公告)号：CN102572667A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201210030702.5
申请日：2012-02-10
Applicant: 清华大学
IPC: H04R23/00
Abstract: 本发明涉及一种柔性透明热致发声装置，属于发声装置技术领域，该装置包括：一发声元件以及与该发声元件相连的一信号输入装置；所述发声元件包括一柔性透明基底，在该基底上设置至少一导电薄膜结构、一端连接在该导电薄膜结构两边的一对电极或多对电极；所述信号输入装置的输入端与所述电极的另一端相连；使该导电薄膜结构改变周围介质密度发出声波。本发声元件本身无机械振动并且是透明的、可以弯折和拉伸的特点，这种热致发声装置能够在101千赫兹至100兆赫兹频段内产生高的声压输出。具有高可靠性、柔性、透明、低成本、高性能的优势，能够同显示屏幕集成同时实现发声和显示功能，从而广泛应用到手机、MP3、MP4、电视、电脑、超声成像、测距系统等电子领域。
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公开(公告)号：CN102263144A
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN201110217023.4
申请日：2011-07-29
Applicant: 清华大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/072 , H01L31/18 , H01L51/42
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 基于仿生蛾眼半导体异质结太阳能电池及其制造方法，在单晶半导体衬底上淀积氧化硅(SiO2)或氮化硅(Si3N4)作为隔离层，在单晶半导体衬底表制备出仿生蛾眼阵列，在衬底背面蒸发金属作为背电极，在隔离层表面制备金属前电极，在阵列上填充半导体材料形成异质结，制得的半导体异质结太阳能电池结构简单，易于制备，不仅能有效地减少入射光的反射，而且可以增大异质结的接触面积，从而达到提高太阳能电池能量转换效率的目的。
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公开(公告)号：CN119654061A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202510163405.5
申请日：2025-02-14
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明提供一种具有亚1纳米×亚1纳米电极的忆阻器及其制备方法，涉及忆阻器技术领域，忆阻器包括：衬底、衬底绝缘层、低介电常数绝缘层、亚1纳米电极、高介电常数绝缘层和接触电极；衬底绝缘层，设置于所述衬底之上；低介电常数绝缘层，设置于所述衬底绝缘层之上；所述亚1纳米电极，设置于所述低介电常数绝缘层之上，由单层或少层二维材料构成，其中，所述亚1纳米电极的宽度由所述二维材料的侧沿确定；所述高介电常数绝缘层，设置于所述电极之上，作为所述忆阻器的介质层；所述接触电极，设置于所述二维材料之上，用于连接所述二维材料。通过本发明提供的忆阻器，完成了亚1纳米×亚1纳米忆阻器的指标，有助于推动超小尺寸忆阻器的集成化。
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公开(公告)号：CN118472037A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410673794.1
申请日：2024-05-28
Applicant: 清华大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/775 , H01L21/335 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及信息工程元器件技术领域，尤其涉及一种垂直环栅场效应晶体管及其制备方法。该垂直环栅场效应晶体管包括：衬底、第一源漏电极、半导体纳米线、第二源漏电极、栅氧介质层、环形栅极和栅电极；衬底上形成有槽体结构；第一源漏电极设于槽体结构的槽底；半导体纳米线垂直插入槽体结构中；栅氧介质层为环形介质层，栅氧介质层设于槽体结构中；环形栅极置于衬底上，且环形栅极套设在栅氧介质层的外围，环形栅极的厚度小于1nm；栅电极套设在环形栅极的外周。本发明提供的一种垂直环栅场效应晶体管及其制备方法，其制备工艺简单，制备成本较低，缩小沟道尺寸并提升栅极控制能力，可提升器件性能，同时易于大规模集成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117741178A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311655932.5
申请日：2023-12-05
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明提供一种流速传感器及流速测量系统，属于流体测量技术领域，该流速传感器构造为适于配置到水下检测设备中，包括衬底以及热膜电阻单元，衬底内部具有信号电路，衬底的表面布置有至少三个热膜电阻单元，热膜电阻单元上覆盖有保护层，热膜电阻单元与信号电路电连接，通过将多个热膜电阻单元布置在同一衬底上形成整体的传感器，使其能够通过不同的热膜电阻单元上数据的变化来计算出流体的流速大小、流速方向和环境温度。
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公开(公告)号：CN117119798A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202310876683.6
申请日：2023-07-17
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明提供一种边缘浮栅晶体管的存算一体方法及组件，该方法包括：边缘浮栅晶体管在存储时，通过电子移入第三栅极完成写入操作，电子移出第三栅极完成擦除操作；根据第一电极和第二电极之间流通的电流确定存储状态；边缘浮栅晶体管在计算时，根据施加到第一栅极的电压、第一电极和第二电极的电压确定逻辑输入；基于存储状态，根据第一电极和第二电极之间流通的电流确定逻辑输出。该方法使得边缘浮栅晶体管能够一体地实现存储功能以及逻辑计算功能，提高了晶体管器件的适用性，实现了在单器件内的存内计算功能。
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公开(公告)号：CN116936641A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202310886195.3
申请日：2023-07-18
Applicant: 清华大学
IPC: H01L29/788 , G11C16/04
Abstract: 本发明公开了一种边缘浮栅晶体管的存储方法，边缘浮栅晶体管包括背栅极、背栅介质层、第二介质层、沟道层、第一电极和第二电极；背栅介质层覆盖在背栅极上；沟道层覆盖在第二介质层上，且第二介质层和沟道层均为台阶状的结构；第一电极和第二电极分别位于沟道层的下台阶面和上台阶面的上方；第二介质层的下台阶面覆盖在背栅介质层上；第二介质层的上台阶面的下方与背栅介质层之间，由下到上还依次层叠设置有第一栅极、第一介质层和第二栅极；背栅极、第一栅极及第二栅极各能够控制沟道层的一段沟道区域的选通；边缘浮栅晶体管通过使电子移动至第一栅极内完成写入操作；边缘浮栅晶体管通过使电子移动出第一栅极完成擦除操作。
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公开(公告)号：CN116687416A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202210179948.2
申请日：2022-02-25
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明提供一种肌电与力学信号融合电极、人工喉及默读语音识别方法，肌电与力学信号融合电极包括：衬底层、绝缘层、力学电极以及肌电电极；绝缘层设于衬底层上，肌电电极和力学电极均设于绝缘层的表面，力学电极与肌电电极间留有间隙；力学电极用于采集目标区域的力学信号，肌电电极用于采集目标区域的肌电信号。本发明提供的肌电与力学信号融合电极、人工喉及默读语音识别方法，通过将肌电电极与力学电极组合至一个电极结构中，得到肌电与力学信号融合电极，该肌电与力学信号融合电极既可以同时采集肌电信号和力学信号，又无需增加电极数量，使基于该肌电与力学信号融合电极构建的人工喉采集到更多有效信号，穿戴更加方便，且舒适度更高。
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公开(公告)号：CN116546395A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310237189.5
申请日：2023-03-13
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明提供一种基于热声效应的石墨烯可拉伸发声器件及相关组件，石墨烯可拉伸发声器件包括衬底、石墨烯电介质层、接触金属和导线介质；衬底为可拉伸结构，石墨烯电介质层为石墨烯与去离子水混合墨水打印渗透到衬底中形成的三维结构层，接触金属设置在衬底上且位于石墨烯电介质层的两侧，导线介质的一端设置于接触金属中，导线介质的另一端与音频播放器的输出端连接。本发明的石墨烯可拉伸发声器件具有较好的可拉伸性能，实用性较强。
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