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公开(公告)号：CN118472037A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410673794.1
申请日：2024-05-28
Applicant: 清华大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/775 , H01L21/335 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及信息工程元器件技术领域，尤其涉及一种垂直环栅场效应晶体管及其制备方法。该垂直环栅场效应晶体管包括：衬底、第一源漏电极、半导体纳米线、第二源漏电极、栅氧介质层、环形栅极和栅电极；衬底上形成有槽体结构；第一源漏电极设于槽体结构的槽底；半导体纳米线垂直插入槽体结构中；栅氧介质层为环形介质层，栅氧介质层设于槽体结构中；环形栅极置于衬底上，且环形栅极套设在栅氧介质层的外围，环形栅极的厚度小于1nm；栅电极套设在环形栅极的外周。本发明提供的一种垂直环栅场效应晶体管及其制备方法，其制备工艺简单，制备成本较低，缩小沟道尺寸并提升栅极控制能力，可提升器件性能，同时易于大规模集成。
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