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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105632893A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201510977677.5
申请日：2015-12-23
Applicant: 清华大学
CPC classification number: Y02P10/295 , H01L28/10 , B22F3/1055
Abstract: 本发明涉及基于3D打印制备微电感的方法，属于微电感制作技术领域，所述打印制备的微电感为立体电感或平面微电感；该方法包括：首先在衬底上沉积SiO2薄膜；采用电子束蒸发沉积作为缓冲层和种子层，改善微电感线圈与衬底的结合；沉积金属材料薄膜作为微电感线圈；利用MEMS工艺将金属薄膜加工成微电感线圈以及电极；利用3D打印喷头在微电感线圈的上方区域打印铁磁性材料；对铁磁材料进行烧结并同时采用施加同方向外磁场，使铁氧体材料晶化，磁矩取向排列统一，有利于提高铁氧体材料的磁导率和饱和磁化强度。本发明将3D打印技术与微电感技术相结合，采用施加外磁场和选择性局部制备铁磁性材料，实现高性能片上微电感的大规模制备。
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公开(公告)号：CN216250002U
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202121326684.6
申请日：2021-06-15
Applicant: 清华大学
Abstract: 本实用新型提供一种数据存储结构，该数据存储结构包括：第一电极、第二电极及位于第一电极和第二电极中间的铁电材料，第一电极、铁电材料及第二电极构成铁电电容，其中：第一电极具备第一电极的氧离子在电压的作用下注入到铁电材料或返回至第一电极的特性。本实用新型提供的数据存储结构，通过保证第一电极的氧离子在电压的作用下注入到铁电材料或返回至第一电极，可以实现铁电材料中的氧空位的调控，从而实现饱和极化相关的多值存储、铁电性的可编程与自恢复，并可有效提高铁电材料的击穿电场。
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公开(公告)号：CN222283558U
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202420523133.6
申请日：2024-03-18
Applicant: 清华大学
Abstract: 本申请涉及一种基于液态金属和柔性电路的多层导电互连结构，该结构包括层叠设置的至少两层柔性电路，相邻的两层柔性电路中，第一层柔性电路的柔性衬底覆盖于第二层柔性电路设有液态金属导电层的一侧；第一层柔性电路设有通孔，通孔贯通第一层柔性电路的柔性衬底和液态金属导电层，通孔内设有液态金属液滴；第一层柔性电路还包括柔性封盖，柔性封盖设于液态金属导电层的表面并封堵通孔的开口；第一层柔性电路的液态金属导电层和第二层柔性电路的液态金属导电层通过液态金属液滴导电连接。上述基于液态金属和柔性电路的多层导电互连结构在具备一定柔韧可拉伸性的同时能够形成稳定的导电互连。
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公开(公告)号：CN209231927U
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201920091563.4
申请日：2019-01-18
Applicant: 清华大学
Abstract: 本实用新型公开了一种融合非易失多值存储与逻辑运算功能的动态可控器件单元，包括：主晶体管，主晶体管的栅极控制端串联有一个的两端非易失多值可变性阻抗，两端非易失多值可变性阻抗的两端分别为所属主晶体管的栅极控制端与单元整体栅极控制输入端；控制晶体管，控制晶体管的源极和漏极与两端非易失多值可变性阻抗并联；两端非易失多值可变性阻抗，用于当其维持在不同阻抗值时，通过单元整体栅极控制输入端对主晶体管进行栅控时的阈值电压不同，进而实现多值存储的功能。该单元有效解决传统芯片架构中运算单元与存储单元分立实现，使得在计算过程中数据在运算单元与存储单元之间搬运限制了芯片速度进一步提升的技术问题。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN215527931U
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202121302045.6
申请日：2021-06-10
Applicant: 清华大学
Abstract: 本申请提出了一种用于通信和毫米波雷达传感的柔性透明屏内天线及其设置方法，采用金属网格结构，六边形等网格单元的通过六边形的基本单元周期性排列实现透明性能，其中六边形的周期性网格结构可以提供更强的抗应力性能，在保证了天线柔性的同时，天线的共振频率等特性的变化更小。在金属网格的基础上制作多种结构的天线，通过对金属网格的图案化调节天线工作频率、覆盖面等性能。
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