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公开(公告)号：CN1436753A
公开(公告)日：2003-08-20
申请号：CN03118705.6
申请日：2003-02-27
Applicant: 武汉理工大学
IPC: C04B35/622 , C04B35/636
Abstract: 本发明是一种淀粉原位凝固成型制备陶瓷材料坯体的方法，该方法采用淀粉原位凝固成型工艺，即：在含固量至少是50vol％的以水为分散介质的陶瓷原浆中，加入干基重量的1～15wt％的淀粉，经混合均匀并制成pH值为3～10的陶瓷料浆，将其注入模具后，加热至淀粉糊化温度并恒温，糊化温度是60～85℃，使陶瓷料浆中的粉体颗粒在原位固定，经凝固后脱模，再经干燥制成陶瓷材料坯体；由淀粉引入的有机质，通过加热氧化的方法除去，或通过炭化成为陶瓷坯体的组分。本发明具有实用性强、工艺过程简单、原料来源广、价格低廉、没有环境污染和产品性能好等优点。
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公开(公告)号：CN119061399A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202411180184.4
申请日：2024-08-27
Applicant: 武汉理工大学
IPC: C23C26/00
Abstract: 本发明公开了一种金刚石表面镀覆碳化硅的方法，其步骤为：S1.依次用盐酸溶液和氢氧化钠溶液清洗金刚石，得预处理的金刚石颗粒；S2.将硅镓混合物在非氧环境下热处理得到硅镓液相介质，然后将步骤S1所得预处理的金刚石颗粒与硅镓液相介质混合，在非氧环境下升温、保温进行镀覆反应，在金刚石表面形成镀层；S3.将步骤S2所得形成镀层的金刚石置于带筛网的离心管内离心，干燥后过筛，用氢氧化钠溶液浸泡，去离子水清洗、干燥、筛分，即得表面镀覆碳化硅的金刚石。本发明通过加入金属镓使硅在熔点温度以下呈现液相，能够使金刚石在相对较低的温度下在硅镓液相介质中形成均匀的碳化硅镀层，有利于金刚石与基体界面的结合性。
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公开(公告)号：CN111285692A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN202010107748.7
申请日：2020-02-21
Applicant: 武汉理工大学
IPC: C04B35/584 , C04B35/645
Abstract: 本发明涉及陶瓷技术和电子材料领域，特别涉及一种高导热Si3N4陶瓷及其制备方法。高导热Si3N4陶瓷，按重量份计算，由95-98份Si3N4粉和2-5份烧结助剂经加压烧结和高温退火而成，所述烧结助剂包括2-5份的Mg2Si和0-0.5份的C。本发明解决现有Si3N4陶瓷强度高而热导率较低、热导率高而强度低、烧结温度高、退火温度高、烧结助剂添加量过多的问题。可以在较低的温度下制备出致密、力学性能优异的Si3N4陶瓷经过退火处理后热导率高达110W·m-1·K-1,维氏硬度可达16.2-17.8GPa，抗弯强度高达753-846MPa，断裂韧性为8.61-9.57MPa·m1/2。
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公开(公告)号：CN110204343A
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201910318851.3
申请日：2019-04-19
Applicant: 武汉理工大学
IPC: C04B35/584 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本发明涉及一种高强度氮化硅陶瓷的低温制备方法。其是以低熔点的Mg2Si作为烧结助剂，采用等离子活化烧结工艺，在氮气气氛中，1400～1500℃温度下烧结成氮化硅陶瓷。本方法所制备的氮化硅陶瓷致密度高于97％，抗弯强度644～1056MPa。本发明工艺简单，原料价格低廉，制备出的氮化硅陶瓷材料致密、抗弯强度高，在导热陶瓷基板以及冶金、化工领域中具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN104861424B
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201510306408.6
申请日：2015-06-05
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明公开的是一种聚合物基轻质高强泡沫材料的制备方法，该材料是以膨胀微球为基体、硅烷偶联剂改性的CNTs为纳米增强相、环氧树脂为界面粘结剂制备而成，该方法包括硅烷偶联剂改性CNTs溶液的制备、改性CNTs+环氧树脂溶液的制备、改性CNTs+环氧树脂+膨胀微球溶胶的制备、聚合物基轻质高强泡沫材料的加热固化与发泡制备步骤。本发明具有制备方法简易可控，并利用硅烷偶联剂有效解决CNTs的团聚难题，并使CNTs均匀分散于微球基体提高CNTs的增强效果；选用环氧树脂可以显著提高微球之间的界面结合力和力学性能。所制备的轻质高强材料密度、微观结构和宏观尺寸精确调控，力学性能优异。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104355307B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201410567064.X
申请日：2014-10-22
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明提供的RGO/Cu纳米复合粉体的制备方法，具体是：先将氧化石墨烯还原，再用敏化，活化的方法使铜均匀地负载于石墨烯上，得到铜均匀负载于石墨烯片层上的纳米复合粉体。该方法包括石墨烯的敏化和活化、RGO/Cu纳米复合粉体的中间产物的制备、H2还原RGO/Cu的纳米复合粉体步骤。本发明提供的是一种制备铜均匀地负载于石墨烯片上的纳米复合材料的全新方法，具有高效、快速、操作比较简便、成本低、不需要使用昂贵仪器，以及节约能源等优点。
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公开(公告)号：CN103464742B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201310430077.8
申请日：2013-09-18
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明提供了一种铜包覆银包覆钨的复合包覆粉体的制备方法，属于粉末冶金的粉体处理与制备技术领域。钨粉经过碱洗酸洗并经敏化活化形成预处理粉体，再进行表面包覆银形成纳米银层包覆钨复合粉体，最后将银包覆钨复合粉体进行包覆铜获得铜含量在5%～50%变化的铜包覆银包覆钨的复合包覆粉体。本发明制备的复合包覆粉体中铜、银包覆层均匀、完整、纯度高、质量可控。银层的加入可以明显改善钨铜界面润湿性。复合包覆粉体具有良好的烧结性能，钨铜复合材料的热学、力学等综合性能能够得到提升，复合包覆粉体可作为制备高性能钨铜复合材料的原材料，在电子封装、高温材料、电触头材料等领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN105149769A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201510456474.1
申请日：2015-07-29
Applicant: 武汉理工大学
IPC: B23K20/14 , B23K20/16 , B23K20/233 , B23K20/24 , B23K103/18
CPC classification number: B23K20/001 , B23K20/14 , B23K20/16 , B23K20/2333 , B23K20/24
Abstract: 本发明是叠层复合中间层的设计引入使镁合金与铝合金的连接方法，即：首先在镁合金与铝合金表面沉积CuNi合金薄膜作为防止铝镁基体表面氧化及金属间化合物生成的阻隔中间层，然后在CuNi合金薄膜层之间添加Ag降低CuNi中间层的连接温度，构成CuNi-Ag-CuNi叠层复合中间层，再将该复合中间层的镁合金与铝合金待连接件的装配，并在380～420℃条件下保温0s～750s即可。本发明利用所述复合中间层避免了连接界面脆性的Mg-Al系金属间化合物以及其它金属间化合物的产生；采用电场活化连接技术，在真空下实现了镁合金与铝合金低温、快速、高强焊接，降低了连接温度、缩短连接工艺周期、提高了连接接头的可靠性。
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公开(公告)号：CN104861424A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201510306408.6
申请日：2015-06-05
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明公开的是一种聚合物基轻质高强泡沫材料的制备方法，该材料是以膨胀微球为基体、硅烷偶联剂改性的CNTs为纳米增强相、环氧树脂为界面粘结剂制备而成，该方法包括硅烷偶联剂改性CNTs溶液的制备、改性CNTs+环氧树脂溶液的制备、改性CNTs+环氧树脂+膨胀微球溶胶的制备、聚合物基轻质高强泡沫材料的加热固化与发泡制备步骤。本发明具有制备方法简易可控，并利用硅烷偶联剂有效解决CNTs的团聚难题，并使CNTs均匀分散于微球基体提高CNTs的增强效果；选用环氧树脂可以显著提高微球之间的界面结合力和力学性能。所制备的轻质高强材料密度、微观结构和宏观尺寸精确调控，力学性能优异。
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公开(公告)号：CN104087776A
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201410342732.9
申请日：2014-07-18
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明掺碳增强W-Cu复合材料的制备方法是一种基于有机物掺碳增强W-Cu复合材料的制备方法，该方法利用具有粘附性能的有机物的掺碳工艺，在W粉表面包覆一层有机添加物，将包覆后的W粉置于惰性气氛中进行高温处理使有机添加物发生热解，获得C@W复合粉末；然后以C@W复合粉末为原料通过包覆的方法制备出Cu@C@W复合粉末；再将Cu@C@W复合粉末在100-500MPa下进行冷等静压获得坯体，最后将坯体放入真空热压炉中进行烧结，获得掺碳增强W-Cu复合材料。本发明可以获得致密度高的掺碳增强W-Cu复合材料，具有W-Cu两相界面热阻低，界面结合力强，热导率高等优点。
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