公开(公告)号：CN120057918A

公开(公告)日：2025-05-30

申请号：CN202510215817.9

申请日：2025-02-26

Applicant: 武汉理工大学

Inventor： 李俊国 ,  江峰 ,  赵晨含 ,  桓帅杰 ,  唐飞 ,  向倩倩 ,  李美娟 ,  张建 ,  沈强

IPC: C01B32/28 ,  C01B32/963

Abstract: 本发明提供了一种用熔盐法在金刚石表面低温生成碳化硅层的方法，通过以Mg2Si为硅源，在熔盐体系中低温生成均匀的碳化硅层，有效解决了现有技术中反应温度高、设备要求高的问题。该方法生成的碳化硅层均匀致密，显著改善了以金刚石为增强相复合材料的界面结合性，具有重要的应用前景。

公开(公告)号：CN119061399A

公开(公告)日：2024-12-03

申请号：CN202411180184.4

申请日：2024-08-27

Applicant: 武汉理工大学

Inventor： 李俊国 ,  江峰 ,  赵晨含 ,  李美娟 ,  张建 ,  沈强

IPC: C23C26/00

Abstract: 本发明公开了一种金刚石表面镀覆碳化硅的方法，其步骤为：S1.依次用盐酸溶液和氢氧化钠溶液清洗金刚石，得预处理的金刚石颗粒；S2.将硅镓混合物在非氧环境下热处理得到硅镓液相介质，然后将步骤S1所得预处理的金刚石颗粒与硅镓液相介质混合，在非氧环境下升温、保温进行镀覆反应，在金刚石表面形成镀层；S3.将步骤S2所得形成镀层的金刚石置于带筛网的离心管内离心，干燥后过筛，用氢氧化钠溶液浸泡，去离子水清洗、干燥、筛分，即得表面镀覆碳化硅的金刚石。本发明通过加入金属镓使硅在熔点温度以下呈现液相，能够使金刚石在相对较低的温度下在硅镓液相介质中形成均匀的碳化硅镀层，有利于金刚石与基体界面的结合性。