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公开(公告)号：CN115229144A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210935793.0
申请日：2022-08-05
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种TbDyHoEr薄带及其制备方法和应用，涉及磁性功能材料技术领域。本发明提供的TbDyHoEr薄带的制备方法，包括以下步骤：将Tb、Dy、Ho和Er混合，进行熔炼，得到合金铸锭；将所述合金铸锭进行加热，得到液态合金；将所述液态合金进行甩带处理，得到TbDyHoEr薄带。本发明制备的TbDyHoEr薄带具有极宽工作温度区间，制冷能力优异。
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公开(公告)号：CN119505871A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411659993.3
申请日：2024-11-20
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种橙红色的铌酸钠‑钛酸钙应力发光材料及其制备方法，该材料由荧光粉和树脂混合物组成，所述荧光粉的化学式为：Na0.985‑xCaxPr0.005Nb1‑xTixO3，x表示摩尔分数，0.01≤x≤0.09。其制备方法为：1)将Na2CO3、Pr6O11、CaCO3、TiO2、Nb2O5为原料按照化学式进行配料，球磨，干燥，第一次烧制，第一次研磨，第二次烧制，第二次研磨，即得荧光粉；2)将环氧树脂与脂环胺按配比混匀，得到树脂混合物；3)将荧光粉和将树脂混合物，静置，烘干，脱模，即得应力发光材料。本发明制得的应力发光材料发光性能优良。
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公开(公告)号：CN118996343A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202410937937.5
申请日：2024-07-12
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种自支撑柔性M型六角铁氧体薄膜的制备方法。该方法选用MgO单晶衬底，使用脉冲激光沉积系统(PLD)制备M/MgO薄膜，再通过湿法刻蚀制备所述自支撑柔性M型六角铁氧体薄膜。其制备方法主要包括以下步骤：S1、制备M型六角铁氧体靶材；S2、脉冲激光沉积，原位退火制得M/MgO薄膜；S3、对所述薄膜二次退火；S4、将二次退火后的薄膜转移，得到所述自支撑柔性M型六角铁氧体薄膜。本发明相比于传统的湿法刻蚀牺牲层法，利用MgO单晶衬底的溶解特性，减少衬底与薄膜之间的牺牲层，简化制备工艺，使得制备过程简单，制备周期较短，薄膜可依托于柔性衬底，大幅度拓展了其应用范围。
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公开(公告)号：CN118851243A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410836991.0
申请日：2024-06-26
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明属于无铅钙钛矿闪烁材料技术领域，公开了一种绿色全无机金属卤化物CsCu2I3:Zn及其制备方法和应用，制备方法包括以下步骤S1、称取CsI、ZnI2以及CuI；S2、加入N,N‑二甲基甲酰胺和二甲基亚砜的混合溶剂，并放在加热台上搅拌至粉末全部溶解；S3、加入无水乙醇充当反溶剂，溶液中生成白色沉淀，随后放入离心管中离心，弃上清液保留沉淀；S4、用异丙醇洗去S3得到的沉淀的残留溶剂，再进行多次离心弃上清液，将清洗完成的沉淀放入烘箱中干燥，得到CsCu2I3:Zn微晶粉末；本发明利用反溶剂法制备CsCu2I3:Zn，以解决现有的无铅钙钛矿材料生产工艺复杂、产率较低以及荧光发射强度较低的问题。
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公开(公告)号：CN118654789A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202410744440.1
申请日：2024-06-11
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了基于轴承与应力发光材料结合的应力检测装置，包括底板和喷涂组件，底板上设置有套筒，套筒内滑动卡设有滑杆，喷涂组件包括滑杆顶端连接的连接架，连接架底端设置有固定板，固定板底端转动卡设有转板，转板和固定板间通过转向组件连接，转板上转动卡设有卡环，卡环一侧通过连接块连接有导向环，导向环上设置有连接板，连接板上滑动卡设有移动架，移动架一端同轴连接有电机，移动架上设置有多组喷涂口。本发明中设置的喷涂组件可配合转向组件和控制组件对轴承进行应力发光材料的喷涂，选择轴承需要进行应力监测的位置，由喷涂口对轴承一侧进行喷涂，完成喷涂后，感光罩即可对轴承侧面的材料进行发光监测，从而提高装置的使用效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118117256A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202410110901.X
申请日：2024-01-26
Applicant: 桂林电子科技大学 , 桂林传感材料科技有限公司
IPC: H01M50/431 , C01F17/235 , C01F17/10 , C01G49/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01M50/451 , H01M50/446 , H01M50/403 , H01M50/489 , H01M10/052
Abstract: 本发明涉及锂硫电池领域，公开了一种高性能锂硫电池隔膜修饰材料及制备方法，该隔膜修饰材料以CeO2为前驱体，通过掺杂过渡族元素和氮元素制备而成；该隔膜修饰材料的制备通过溶剂热法一步合成出隔膜修饰材料。适当的隔膜改性可以有效抑制多硫化物穿梭，提高活性材料的利用率，同时用于催化性质，改善其反应动力学，进而抑制多“穿梭效应”的影响，并且引入双催化位点，极大地提升了材料的催化性能。进而提升整体的电池性能。
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公开(公告)号：CN118064144A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410011114.X
申请日：2024-01-04
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C09K11/66
Abstract: 本发明属于应力发光材料技术领域，公开了一种稀土离子掺杂镓锗酸盐应力荧光粉及其制备方法，应力荧光粉的化学通式为：Ca2‑xGa2GeO7:xEu3+；制备方法包括S1、称取原料，加入玛瑙研钵中得到混合原料；S2、加入酒精研磨，然后倒入刚玉坩埚中；S3、将刚玉坩埚放入马弗炉中，利用高温固相法制备应力荧光粉；本发明通过调控Eu3+的浓度以调整应力发光强度，用Eu取代Ca，改变Ca2+周围的晶体场环境，实现紫外应力发光，该样品无需预激发，不具有余晖影响，有利于防伪、传感器等应用；采用高温固相法制备该材料，制备的工艺简单，设备要求低，条件容易控制，成本低廉，制备过程无有毒有害物质产生，环境友好。
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公开(公告)号：CN114613589B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202210182570.1
申请日：2022-02-25
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种Gd，Co永磁材料及制备方法，由稀土Gd和Co为原材料，按照1:3的原子配比称量，经熔炼、甩带急冷和热处理制备得化学式为GdCo3的菱方相永磁材料，所得材料具有PuNi3型的晶体结构；居里温度为611K，在室温时，饱和磁化强度为6.6‑66.4emu/g，矫顽力0.083‑13.845kOe。本发明的Gd，Co永磁材料具有矫顽力大，温度稳定性好，总体制备工艺简单的特点，适合工业生产。
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公开(公告)号：CN117802379A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202311518629.0
申请日：2023-11-15
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种Ho‑Co磁制冷材料，其原料以原子个数比计满足化学式为Ho3Co，最终制得的Ho‑Co磁制冷材料的主相为Ho3Co相，同时存在少量Ho2Co相，其中，Ho2Co相为非晶相。其制备方法包括以下步骤：1，Ho‑Co合金铸锭的熔炼；2，采用真空甩带工艺Ho‑Co合金薄带的制备；所述真空甩带的基本参数通过定制石英管实现，具体参数为石英管的喷嘴与铜辊的距离为13mm，石英管喷嘴的孔径为1mm。其应用在0‑5 T磁场下的最大磁熵变为15‑21.4 J kg‑1K‑1，制冷量达539.2‑669.9J/kg。相对于现有技术，本发明具有无需额外的退火处理、显著减少整体制备周期的优点。
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公开(公告)号：CN116574508A
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202310461964.5
申请日：2023-04-26
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明属于发光材料技术领域，公开了一种红色新型应力发光材料及其制备方法，发光材料的化学表达式为：CaMg1‑xGe2O6:xMn2+，其中0≤x≤0.04。发光材料的制备方法：按照化学计量比称取CaCO3、MgO、GeO2、MnCO3作为原料，将原料在玛瑙研钵中加入无水乙醇研磨均匀；再通过高温固相法合成CaMg1‑xGe2O6:xMn2+应力发光荧光粉；最后将荧光粉再次进行研磨即得到所需材料。本发明通过高温固相反应法制备应力发光材料，在空气气氛下合成，制备过程简单，产量和产率高；制备得到的荧光粉在254nm的光激发后就能使用，同时材料本身的余辉时间短，对应力发光测试背景影响小，而且该荧光粉稳定性较好，不易潮解。
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