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公开(公告)号：CN112018521B
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN202010866866.6
申请日：2020-08-26
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01Q17/00
Abstract: 本发明为一种基于二氧化钒的电/光可调太赫兹双频吸收器，其主要特征是：包括金属基底、位于金属基底之上的高阻硅层和固定于高阻硅层表面的二维阵列，每个阵列单元包括一个小尺寸方形开口环金属结构、一个大尺寸方形开口环金属结构、2个相变垫片和1条引线。上相变垫片处于单元内引线上侧的小尺寸方形开口环金属结构开口处，下相变垫片处于单元内引线下侧的大尺寸方形开口环金属结构开口处。二维阵列两侧各固定一电极，分别连接直流电源的正负极。吸收器的调谐触发方式为两种，电触发与激光触发。本发明可用电/光实现太赫兹双频吸收器的快速有效调谐，无需繁琐的更换不同吸收频率太赫兹吸收器，适用于不同场合，操作简单。
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公开(公告)号：CN111952731B
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202010854239.0
申请日：2020-08-24
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种电控转换的太赫兹单频‑三频吸收转换器，包括由下到上依次叠接的金属背板、高阻硅层和二维阵列结构，所述二维阵列结构包括一组阵列排布的阵列单元，每个阵列单元包括规格相同呈十字形水平间隔设置的第一金属结构和第二金属结构，第一金属结构与第二金属结构之间设有相变垫片及规格相同呈C字形的第三金属结构和第四金属结构，相变垫片位于第三金属结构和第四金属结构之间。这种吸收转换器可实现多频率的吸收，适用不同场合，结构简单，操作方便。
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公开(公告)号：CN113945536A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202111137733.6
申请日：2021-09-27
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G01N21/3586
Abstract: 本发明公开了一种基于类太赫兹频率梳检测生物分子的方法，通过构造类太赫兹频率梳的方法来检测生物分子的种类和浓度，首先构造类太赫兹频率梳，随后测试类太赫兹频率梳空载时的空载光谱，再测试类太赫兹频率梳表面覆盖样品时的覆盖光谱，将所述覆盖光谱与所述空载光谱相减获得样品吸收谱，最后将所述样品吸收谱与常见生物分子的指纹谱库对比识别生物分子的种类；进一步地，对比所述空载光谱与所述覆盖光谱，得到各吸收峰的频移量，再通过计算比较获得生物分子浓度，此方法准确性高、操作简单、不需要标记物，解决了现有技术中的依赖标记检测生物分子的技术问题。
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公开(公告)号：CN111952731A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010854239.0
申请日：2020-08-24
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种电控转换的太赫兹单频-三频吸收转换器，包括由下到上依次叠接的金属背板、高阻硅层和二维阵列结构，所述二维阵列结构包括一组阵列排布的阵列单元，每个阵列单元包括规格相同呈十字形水平间隔设置的第一金属结构和第二金属结构，第一金属结构与第二金属结构之间设有相变垫片及规格相同呈C字形的第三金属结构和第四金属结构，相变垫片位于第三金属结构和第四金属结构之间。这种吸收转换器可实现多频率的吸收，适用不同场合，结构简单，操作方便。
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公开(公告)号：CN108801109B
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201810895832.2
申请日：2018-08-08
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G01B5/06
Abstract: 本发明公开了一种能够实现对不同规格PET瓶胚壁厚的进行测量，实现对不同曲度PET瓶胚进行测量的PET瓶胚壁厚测量装置。该PET瓶胚壁厚测量装置，包括光纤固定装置以及Y型光纤；所述光纤固定装置包括弧形底板、弧形安装滑槽、角度调节轴、锁紧螺母；所述光纤固定装置可以实现等角间距调整。采用该PET瓶胚壁厚测量装置能够实现对PET瓶胚壁厚的多点实时测量，提高了测量效率；同时光纤固定装置可以通过调整光纤间相对位置关系来满足光纤测量不同规格PET瓶胚壁厚的要求，从而实现不同对曲度PET瓶胚进行测量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106450613A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201611113110.4
申请日：2016-12-07
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01P1/203
Abstract: 本发明为一种双带动态可调的太赫兹带通滤波器，有多个相连的阵列单元的二维阵列位于硅基底的通孔上，每个阵列单元包括两个开口环谐振器和一个一字形结构，均为顶面金属层的硅主体，高度相同。开口环谐振器为矩形环，其一边有开口，两个环谐振器的开口宽度不同，一字形结构位于两个开口环谐振器有开口的边之间，并与之平行。可动框架套在二维阵列外围，一字形结构与可动框架相连。两组静电梳齿驱动器的活动梳齿与可动框架相连接，带动可动框架与一字形结构移动。一字形结构和两个开口环谐振器之间的间距改变，即动态调节本带通滤波器两个通带中心频率对应的透射功率，实现双单带的转变，提高频率选择能力和扩大应用范围。
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公开(公告)号：CN104555892A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201310483331.0
申请日：2013-10-15
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明公开了一种吸收峰位置动态可调的太赫兹窄带吸波体制作方法，主要包括在硅基底上进行多层薄膜沉积、光刻、干法刻蚀和湿法腐蚀等工艺。其特征在于：所制作的吸波体为阵列结构，阵列结构中每个单元中央含有一个在静电力作用下可绕轴旋转的微反射镜，微反射镜表面中央带有一个“工”字形金属谐振器，用来产生谐振吸收。本发明一种适用于太赫兹频段的吸收峰位置动态可调的太赫兹窄带吸波体的制作方法所制作的太赫兹窄带吸波体，能够对吸收峰位置进行动态、连续调节，从而克服了常规太赫兹吸波体吸收峰位置不可调节的缺点。这种太赫兹吸波体可大大增加频率选择性，在太赫兹探测、太赫兹滤波和频率选择性太赫兹热成像领域具有十分重要的应用价值。
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公开(公告)号：CN119695508A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411930274.0
申请日：2024-12-26
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01Q15/00
Abstract: 本发明公开了一种基于超表面的太赫兹电场增强器件，由二氧化硅基底和位于其表面能实现太赫兹电场增强的超表面组成。超表面由周期性阵列金属结构组成，每个阵列单元包含1个口字形金属框，两个一字形金属条和两个“T”字形金属图案。口字形金属框位于阵列单元的正中央，两个一字形金属条分别与口字形金属框的左右两边中央相连。两个“T”字形金属图案分别与口字形金属框的上下两边垂直相交，两个“T”字形图案的水平臂平行，且在两臂之间有一条间隙。当间隙宽度小于100nm时，间隙中的太赫兹电场将显著增强。该增强效应源于超表面结构与入射太赫兹波的共振响应产生的强烈局部化效应。该太赫兹电场增强器件可应用于太赫兹波探测、成像、传感和通信等领域。
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公开(公告)号：CN110401496B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN201910623913.1
申请日：2019-07-11
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H04B10/90 , H04B10/516 , H04B10/50
Abstract: 本发明提出一种透射型太赫兹波2bit编码器件，包括：衬底；设置于衬底上且由周期性排列的多个结构单元组成的二维阵列；每个结构单元包括金属层；金属层上设置有镂空的第一方形槽、第二方形槽、第一环形槽和第二环形槽；第一方形槽、第二方形槽、第一环形槽和第二环形槽的中心依次连接形成一正四边形；在第一方形槽和第二方形槽均具有第一半导体块和第一缺口，第一环形槽和第二环形槽具有第二半导体块和第二缺口。本发明提出了适用于太赫兹通信领域的编码器件，很好的满足了太赫兹通信所需的要求，因为脉冲激光激发的载流子寿命极短，仅有数十个皮秒，使得编码的速度理论上限可达皮秒量级，目前方案的速度受限于高速数字微镜的编码速率。
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公开(公告)号：CN118281515A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410499822.2
申请日：2024-04-24
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种电热控的太赫兹正交模式多功能可调滤波器，由高阻硅层和频率控制层组成，频率控制层位于高阻硅层的上表面。频率控制层包括表面周期结构和引出结构。表面周期结构处于频率控制层的中部，由多个呈规则矩阵相贴排列的透射单元组成。每个透射单元均由金属贴片和热致相变贴片构成。引出结构处于频率控制层的相对外侧，由2个相互平行设置的电极贴片组成。本发明通过电极贴片对透射单元的金属贴片施加电压产生电致焦耳热，触发透射单元的热致相变贴片发生相变，使其从绝缘态(非金属态)转变为金属态，实现在特定频带下透射峰的调控，从而实现对太赫兹波TE模式和TM模式多频带的动态切换。
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