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公开(公告)号：CN112018521A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN202010866866.6
申请日：2020-08-26
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01Q17/00
Abstract: 本发明为一种基于二氧化钒的电/光可调太赫兹双频吸收器，其主要特征是：包括金属基底、位于金属基底之上的高阻硅层和固定于高阻硅层表面的二维阵列，每个阵列单元包括一个小尺寸方形开口环金属结构、一个大尺寸方形开口环金属结构、2个相变垫片和1条引线。上相变垫片处于单元内引线上侧的小尺寸方形开口环金属结构开口处，下相变垫片处于单元内引线下侧的大尺寸方形开口环金属结构开口处。二维阵列两侧各固定一电极，分别连接直流电源的正负极。吸收器的调谐触发方式为两种，电触发与激光触发。本发明可用电/光实现太赫兹双频吸收器的快速有效调谐，无需繁琐的更换不同吸收频率太赫兹吸收器，适用于不同场合，操作简单。
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公开(公告)号：CN112018521B
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN202010866866.6
申请日：2020-08-26
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01Q17/00
Abstract: 本发明为一种基于二氧化钒的电/光可调太赫兹双频吸收器，其主要特征是：包括金属基底、位于金属基底之上的高阻硅层和固定于高阻硅层表面的二维阵列，每个阵列单元包括一个小尺寸方形开口环金属结构、一个大尺寸方形开口环金属结构、2个相变垫片和1条引线。上相变垫片处于单元内引线上侧的小尺寸方形开口环金属结构开口处，下相变垫片处于单元内引线下侧的大尺寸方形开口环金属结构开口处。二维阵列两侧各固定一电极，分别连接直流电源的正负极。吸收器的调谐触发方式为两种，电触发与激光触发。本发明可用电/光实现太赫兹双频吸收器的快速有效调谐，无需繁琐的更换不同吸收频率太赫兹吸收器，适用于不同场合，操作简单。
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公开(公告)号：CN111952731B
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202010854239.0
申请日：2020-08-24
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种电控转换的太赫兹单频‑三频吸收转换器，包括由下到上依次叠接的金属背板、高阻硅层和二维阵列结构，所述二维阵列结构包括一组阵列排布的阵列单元，每个阵列单元包括规格相同呈十字形水平间隔设置的第一金属结构和第二金属结构，第一金属结构与第二金属结构之间设有相变垫片及规格相同呈C字形的第三金属结构和第四金属结构，相变垫片位于第三金属结构和第四金属结构之间。这种吸收转换器可实现多频率的吸收，适用不同场合，结构简单，操作方便。
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公开(公告)号：CN111952731A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010854239.0
申请日：2020-08-24
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种电控转换的太赫兹单频-三频吸收转换器，包括由下到上依次叠接的金属背板、高阻硅层和二维阵列结构，所述二维阵列结构包括一组阵列排布的阵列单元，每个阵列单元包括规格相同呈十字形水平间隔设置的第一金属结构和第二金属结构，第一金属结构与第二金属结构之间设有相变垫片及规格相同呈C字形的第三金属结构和第四金属结构，相变垫片位于第三金属结构和第四金属结构之间。这种吸收转换器可实现多频率的吸收，适用不同场合，结构简单，操作方便。
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