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公开(公告)号:CN101911232B
公开(公告)日:2014-03-12
申请号:CN200980102139.4
申请日:2009-02-20
Applicant: 株式会社神户制钢所
Abstract: 提供一种可靠性高的触摸屏传感器,其具有难以发生断线和随时间流逝造成的电阻增加,且显示出低电阻,并且能够确保与透明导电膜的导电性而能够直接与该透明导电膜连接的折回配线。本发明涉及触摸屏传感器,其具有透明导电膜和与之直接连接的由铝合金膜形成的折回配线,所述铝合金膜含有从Ni和Co构成的X组中选出的至少一种元素,其合计为0.2~10原子%,并且,所述铝合金膜的硬度为2~15GPa。
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公开(公告)号:CN103534789A
公开(公告)日:2014-01-22
申请号:CN201280022035.4
申请日:2012-05-16
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: H01L21/28 , C22C21/00 , C22F1/00 , C22F1/04 , C23C14/14 , C23C14/34 , H01L21/285 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/532
CPC classification number: H01L23/53219 , C22C21/00 , C22C21/02 , C22C21/12 , C22C21/14 , C22F1/04 , C23C14/165 , C23C14/3414 , H01J37/3429 , H01L21/2855 , H01L29/16 , H01L29/1608 , H01L29/2003 , H01L29/45 , H01L29/452 , H01L2924/0002 , Y10T428/12431 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体装置用Al合金膜,其即使被曝露在高温下时,小丘的发生也得到抑制而耐热性优异,且膜自身的电阻率抑制得很低。本发明涉及半导体装置用Al合金膜,其特征在于,在进行以500℃保持30分钟的加热处理之后,全部满足下述(a)~(c),且膜厚为500nm~5μm:(a)Al基体的最大粒径为800nm以下;(b)小丘密度低于1×109个/m2;(c)电阻率为10μΩcm以下。
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公开(公告)号:CN101918888B
公开(公告)日:2013-07-31
申请号:CN200980102063.5
申请日:2009-03-31
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: H01L29/458 , C22C21/00 , C22C21/10 , C23C14/3414 , H01L27/12 , H01L27/124 , H01L29/4908 , Y10T428/12049
Abstract: 本发明开发一种铝合金膜,并提供一种具有该铝合金膜的显示装置,所述铝合金膜在用于显示装置的薄膜晶体管基板的配线构造中可以使铝合金薄膜与透明像素电极直接接触,同时可以兼顾低电阻率和耐热性,改善对薄膜晶体管的制造工序中使用的胺系剥离液及碱性显影液的腐蚀性。本发明涉及一种显示装置,其为氧化物导电膜和Al合金膜直接接触、Al合金成分的至少一部分在所述Al合金膜的接触表面析出而存在的显示装置,其中,所述Al合金膜包含至少1种选自Ni、Ag、Zn及Co中的元素(元素X1)、以及至少1种可以与所述元素X1形成金属间化合物的元素(元素X2),形成最大直径150nm以下的由X1-X2及Al-X1-X2中的至少一方表示的金属间化合物。
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公开(公告)号:CN102197335A
公开(公告)日:2011-09-21
申请号:CN200980142715.8
申请日:2009-11-05
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: G02F1/1343 , C23C14/34 , H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/3205 , H01L23/52 , H01L29/786
CPC classification number: C23C14/18 , C23C14/3414 , G02F1/136227 , G02F1/1368 , H01L21/2855 , H01L23/53219 , H01L27/124 , H01L29/458 , H01L29/4908 , H01L2924/0002 , Y10T428/12014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明开发在显示设备所用的薄膜晶体管基板的布线构造中能够使Al合金膜与透明像素电极直接接触、同时能够改善相对于在薄膜晶体管的制造工艺中所用胺系剥离液的腐蚀性的Al合金膜,提供具备该Al合金膜的显示设备。本发明涉及一种显示装置用Al合金膜,其为在显示装置的基板上与透明导电膜直接连接的Al合金膜,该Al合金膜含有0.05~2.0原子%的Ge和选自元素组X(Ni、Ag、Co、Zn、Cu)的至少1种元素,同时含有0.02~2原子%的选自由稀土类元素所构成的元素组Q的至少1种元素,且上述Al合金膜中存在含Ge的析出物和/或Ge浓化部的显示装置用Al合金膜及具备该Al合金膜的显示装置。
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公开(公告)号:CN101542696A
公开(公告)日:2009-09-23
申请号:CN200780044289.5
申请日:2007-11-27
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: H01L21/3205 , C23C14/14 , C23C14/34 , H01L21/285 , H01L23/52 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/4908 , H01L23/53219 , H01L27/124 , H01L29/458 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供显示装置用Al合金膜、使用该Al合金膜的显示装置及显示装置用的溅射靶材,所述显示装置用Al合金膜在基板上与导电性氧化膜直接连接,Al合金膜含有Ge 0.05~0.5原子%,含有Gd及/或La合计为0.05~0.45原子%。本发明的Al合金膜未设置阻挡金属,即使使导电性氧化膜和Al合金膜直接连接,导电性氧化膜和Al合金膜之间的粘接性也很高、接触电阻率低,优选干法刻蚀性能优异。
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