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公开(公告)号：CN118786526A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202380022516.3
申请日：2023-01-13
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 封固体(30)是树脂成形体，将半导体元件(40L)、基板(50)的至少一部分、信号端子(93L)的一部分、键合线(110)、中继基板(150L)封固。键合线(110)将半导体元件(40L)的焊盘(40P)和中继基板(150L)的焊接区(152a)电连接。半导体元件(40L)配置于基板(50)的表面金属体(52)中的作为布线部的中继布线(55)，中继基板(150L)配置于与布线部电分离的岛(58L)。
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公开(公告)号：CN117397026A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202280037246.9
申请日：2022-04-21
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L25/07
Abstract: 半导体装置(20)与冷却器(120)在Z方向上排列而配置。半导体装置(20)具备在两面具有主电极(40D、40S)的半导体元件(40)、基板(50、60)、含有树脂的封固体(30)。基板(50、61)具有含有树脂的绝缘基材(51、61)、与主电极(40D、40S)连接的表面金属体(52、62)、背面金属体(53、63)。设绝缘基材(51、61)的玻璃化转变温度为Tgi，设线膨胀系数为αi，设封固体(30)的玻璃化转变温度为Tgs，设线膨胀系数为αs，则满足Tgs≥Tgi并且αi≥αs的关系。
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公开(公告)号：CN117157759A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202280028950.8
申请日：2022-04-21
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L25/07
Abstract: 半导体装置(20)与冷却器(120)在Z方向上排列而配置。半导体装置(20)具备：半导体元件(40)，在两面具有主电极(40D、40S)；一对基板(50、60)，以夹着半导体元件(40)的方式配置；以及导电间隔件(70)，介于基板(60)与半导体元件(40)之间。基板(50、60)具有绝缘基材(51、61)、与对应的主电极连接的表面金属体(52、62)、背面金属体(53、63)。在半导体装置(20)中，设比半导体元件(40)靠基板(50)侧的厚度为T1，设比半导体元件(40)靠基板(60)侧的厚度为T2，则满足T1≥T2的关系。
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公开(公告)号：CN107112294B
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201580062593.7
申请日：2015-11-20
Applicant: 株式会社电装
Inventor： 奥村知巳
Abstract: 半导体装置电连接有汇流条(61、62)，在两面侧配置冷却器(63、64)并被冷却。半导体装置具备：半导体芯片(20)，在第1主面(22)具有第1主电极，在第2主面(23)具有第2主电极；密封树脂体(24)；第1散热片(31)，与第1主电极电连接；以及第2散热片(39)，与第2主电极电连接。第1散热片仅在第1面上露出，并且与半导体芯片侧的面相反的面露出。第2散热片仅在第2面上露出，并且与半导体芯片侧的面相反的面从第2面露出。第1散热片以及第2散热片中的、与汇流条电连接的散热片的露出面与半导体芯片重叠，具有散热区域(33、41)和电连接区域(34、42)。
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公开(公告)号：CN112805823B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN201980064631.0
申请日：2019-09-19
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 半导体装置具备：半导体芯片(12)，具有有源区域(124)和将有源区域包围的外周区域(125)；金属部件(18)，在半导体芯片侧的一面具有安装半导体芯片的安装部(182)和将安装部包围的周围部(183)；接合部件(16)，介于半导体芯片与安装部之间，将半导体芯片与金属部件连接；以及封固树脂体(14)，将半导体芯片、金属部件的至少一面及接合部件一体地封固。金属部件，作为周围部而具有：密接部(184)，以将安装部包围的方式设置，与封固树脂体密接；和环状的非密接部(185)，设在安装部与密接部之间，不连接接合部件，与密接部相比对于封固树脂体的密接性低。在非密接部的全长的至少一部分中，宽度的整个区域在半导体芯片的厚度方向的投影观察中设在与半导体芯片重叠的区域内。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117355936A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202280037252.4
申请日：2022-04-21
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L23/36
Abstract: 半导体装置具备在两面具有主电极(40D、40S)的半导体元件(40)、电连接着主电极(40D)的基板(50)、将主电极与基板接合的烧结部件(100A)、以及封固体。基板的表面金属体(52)具有通过激光的照射而形成的凹凸氧化膜。凹凸氧化膜包括厚膜部(520X)以及与厚膜部相比膜厚较薄且凸部的高度较低的薄膜部(520Y)。表面金属体具有与第1主电极接合的安装部(529a)、设置厚膜部且在平面观察中将半导体元件包围的外周部(529b)、以及设置薄膜部且在安装部与外周部之间将安装部包围的中间部(529c)。烧结部件在平面观察中以与安装部及中间部重叠的方式配置，与薄膜部接触。
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公开(公告)号：CN110383464B
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN201880015263.6
申请日：2018-02-05
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 半导体装置，具备：具有电极(121)的半导体芯片(12)；包含金属基材(186)、在与电极对置的对置面具有半导体芯片的安装部(182)和将安装部包围的周围部(183)的导电部件(18)；介于电极与安装部之间、将电极和导电部件连接的焊料(16)；以及将半导体芯片、导电部件的至少对置面以及焊料一体地密封的密封树脂体(14)。导电部件，作为周围部，以将安装部包围的方式设置，具有与密封树脂体密接的密接部(184)和设置在安装部与密接部之间并且不连接焊料、与密接部相比对密封树脂体的密接性较低的非密接部(185)。
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公开(公告)号：CN112805823A
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN201980064631.0
申请日：2019-09-19
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 半导体装置具备：半导体芯片(12)，具有有源区域(124)和将有源区域包围的外周区域(125)；金属部件(18)，在半导体芯片侧的一面具有安装半导体芯片的安装部(182)和将安装部包围的周围部(183)；接合部件(16)，介于半导体芯片与安装部之间，将半导体芯片与金属部件连接；以及封固树脂体(14)，将半导体芯片、金属部件的至少一面及接合部件一体地封固。金属部件，作为周围部而具有：密接部(184)，以将安装部包围的方式设置，与封固树脂体密接；和环状的非密接部(185)，设在安装部与密接部之间，不连接接合部件，与密接部相比对于封固树脂体的密接性低。在非密接部的全长的至少一部分中，宽度的整个区域在半导体芯片的厚度方向的投影观察中设在与半导体芯片重叠的区域内。
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公开(公告)号：CN107112294A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201580062593.7
申请日：2015-11-20
Applicant: 株式会社电装
Inventor： 奥村知巳
Abstract: 半导体装置电连接有汇流条(61、62)，在两面侧配置冷却器(63、64)并被冷却。半导体装置具备：半导体芯片(20)，在第1主面(22)具有第1主电极，在第2主面(23)具有第2主电极；密封树脂体(24)；第1散热片(31)，与第1主电极电连接；以及第2散热片(39)，与第2主电极电连接。第1散热片仅在第1面上露出，并且与半导体芯片侧的面相反的面露出。第2散热片仅在第2面上露出，并且与半导体芯片侧的面相反的面从第2面露出。第1散热片以及第2散热片中的、与汇流条电连接的散热片的露出面与半导体芯片重叠，具有散热区域(33、41)和电连接区域(34、42)。
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公开(公告)号：CN101432095A
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200780015418.8
申请日：2007-04-26
Applicant: 株式会社电装
CPC classification number: H05K3/3478 , B23K35/262 , B23K35/40 , H01L23/492 , H01L23/49866 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L2224/291 , H01L2224/29101 , H01L2224/29109 , H01L2224/29111 , H01L2224/29211 , H01L2224/29355 , H01L2224/29499 , H01L2224/29582 , H01L2224/29611 , H01L2224/29694 , H01L2224/29695 , H01L2224/32225 , H01L2224/83101 , H01L2224/83455 , H01L2224/83801 , H01L2924/00013 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/01327 , H01L2924/0133 , H01L2924/0134 , H01L2924/014 , H01L2924/15747 , H05K2201/0215 , H05K2201/2036 , H05K2203/0415 , H01L2924/00 , H01L2924/01028 , H01L2924/01026 , H01L2924/01049 , H01L2924/01083 , H01L2924/3512 , H01L2924/00014 , H01L2224/13111 , H01L2224/13109 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/29299 , H01L2224/2929
Abstract: 一种抛光设备用于将诸如半导体晶片的基板抛光到平坦镜面光洁度。该抛光设备包括具有抛光表面的抛光台、设置成用于保持基板以及使基板压靠所述抛光表面的顶环本体、设置在所述顶环本体的外周部分并且设置成用于压靠所述抛光表面的保持环、以及固定到所述顶环本体并且设置成用于与所述保持环的环部件滑动接触从而引导所述环部件的运动的保持环引导部。环部件与保持环引导部的相互滑动接触的滑动接触表面中的任意一个包括低摩擦材料。
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