光传感器和显示装置
    43.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101753861B

    公开(公告)日:2016-05-18

    申请号:CN200910246365.1

    申请日:2009-11-27

    Abstract: 本发明涉及光传感器和显示装置。包括包含铟、镓和锌的氧化物半导体的薄膜晶体管容易地在大的基板上以矩阵布置,并且具有小的特性变化。通过包括具有小的特性变化的薄膜晶体管的放大器电路和显示元件的驱动器电路,以矩阵布置的光电二极管接收的光的强度分布被高度可再现地转换为电信号并且被输出,并且可以均匀一致地驱动以矩阵布置的显示元件,其中该薄膜晶体管包括包含铟、镓和锌的氧化物半导体。

    半导体器件
    45.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102419961B

    公开(公告)日:2014-12-03

    申请号:CN201110283660.1

    申请日:2002-04-26

    CPC classification number: H01L29/786 H03K19/01714 H03K19/01721

    Abstract: 本发明提供了一种半导体器件,仅仅用一种导电类型的TFT构成一个电路,从而减少制造步骤,并且能正常获得一个输出信号的电压振幅。在连接到输出节点的一个TFT(203)的栅极和源极之间形成一个电容(205),并且由TFT(201)和(202)构成的电路具有使节点α进入浮动状态的功能。当节点α处在浮动状态时,通过电容(205)使节点α的电位高于采用TFT(203)的栅极-源极电容耦合获得的VDD,这样就能获得振幅为VDD-GND的输出信号,不会因TFT的门限值造成振幅衰减。

    半导体器件
    46.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1384546B

    公开(公告)日:2011-11-16

    申请号:CN02118504.2

    申请日:2002-04-26

    CPC classification number: H01L29/786 H03K19/01714 H03K19/01721

    Abstract: 本发明提供了一种半导体器件,仅仅用一种导电类型的TFT构成一个电路,从而减少制造步骤,并且能正常获得一个输出信号的电压振幅。在连接到输出节点的一个TFT(203)的栅极和源极之间形成一个电容(205),并且由TFT(201)和(202)构成的电路具有使节点α进入浮动状态的功能。当节点α处在浮动状态时,通过电容(205)使节点α的电位高于采用TFT(203)的栅极-源极电容耦合获得的VDD,这样就能获得振幅为VDD-GND的输出信号,不会因TFT的门限值造成振幅衰减。

    显示器件以及其制造方法
    49.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1996612B

    公开(公告)日:2010-09-29

    申请号:CN200710001854.1

    申请日:2007-01-05

    Inventor: 棚田好文

    Abstract: 本发明的目的是如下:在使用EL元件等构成其像素的显示器件中,高效率地抑制为校正元件的温度变化、退化等的特性变化而设置的监控元件的漏光。本发明的显示器件具有如下结构:在衬底上形成绝缘层,并且在所述绝缘层上形成多个具有夹持在第一电极和第二电极之间的发光层的发光元件。而且,在所述多个发光元件的至少一部分中,具有在所述绝缘层中形成开口部的结构,并且在该绝缘层的开口区域中形成发光层。

Patent Agency Ranking