公开(公告)号：CN103311095B

公开(公告)日：2016-04-13

申请号：CN201210560783.X

申请日：2012-12-20

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 彦坂年辉 ,  原田佳幸 ,  吉田学史 ,  杉山直治 ,  布上真也

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02389 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/007 ,  H01L33/12

Abstract: 根据一个实施例，公开了一种用于制造氮化物半导体层的方法。所述方法可以包括：在基底的主表面上形成第一下层，在所述第一下层上形成第一上层。所述第一下层具有沿平行于所述主表面的第一轴的第一晶格间距。所述第一上层具有大于所述第一晶格间距的沿所述第一轴的第二晶格间距。至少一部分所述第一上层具有第一压缩应变。在第一与第二晶格间距之间的差与所述第一晶格间距的比不小于0.005且不大于0.019。在平行于所述主表面的方向上的所述第一上层的生长速率大于在垂直于所述主表面的方向上的所述第一上层的生长速率。

公开(公告)号：CN105280775A

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201510245637.1

申请日：2015-05-14

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 彦坂年辉 ,  大野浩志 ,  布上真也

IPC: H01L33/32 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/151 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/737 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/78 ,  H01L29/872 ,  H01L31/03044 ,  H01L31/035236 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/1852 ,  H01L31/1856 ,  H01L33/007 ,  H01L33/12 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521 ,  H01L33/005 ,  H01L2933/0008

Abstract: 根据一个实施方案，提供一种沿第一表面伸展的氮化物半导体层。所述氮化物半导体层包括第一区和第二区。所述第一区在平行于所述第一表面的第一方向上的长度大于所述第一区在平行于所述第一表面且垂直于所述第一方向的第二方向上的长度。所述第二区与所述第一区一起布置在所述第二方向上。所述第二区在所述第一方向上的长度大于所述第二区在所述第二方向上的长度。c轴相对于所述第一区和所述第二区的所述第二方向倾斜。所述c轴与垂直于所述第一表面的第三方向相交。

公开(公告)号：CN104779329A

公开(公告)日：2015-07-15

申请号：CN201510019134.2

申请日：2015-01-14

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 彦坂年辉 ,  吉田学史 ,  名古肇 ,  布上真也

IPC: H01L33/02

CPC classification number: H01L29/201 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02584 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/267 ,  H01L29/365 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/872 ,  H01L33/0025 ,  H01L33/025 ,  H01L33/32 ,  H01L33/325 ,  H01L33/02

Abstract: 本发明描述了氮化物半导体元件和氮化物半导体晶片。根据一个实施例，氮化物半导体元件包括功能层和堆叠体。所述堆叠体包括GaN中间层、低Al成分层、高Al成分层和第一含Si层。所述低Al成分层包括具有第一Al成分比的氮化物半导体。所述低Al成分层设置在所述GaN中间层与所述功能层之间。所述高Al成分层包括具有第二Al成分比的氮化物半导体。所述高Al成分层设置在所述GaN中间层与所述低Al成分层之间。所述第二Al成分比高于所述第一Al成分比。所述第一含Si层设置在所述GaN中间层与所述高Al成分层之间。

公开(公告)号：CN103682009A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310331650.X

申请日：2013-08-01

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 吉田学史 ,  彦坂年辉 ,  原田佳幸 ,  杉山直治 ,  布上真也

IPC: H01L33/12 ,  H01L29/06 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/12

Abstract: 本发明涉及氮化物半导体晶片、氮化物半导体器件和制造氮化物半导体晶片的方法。根据一个实施例，一种氮化物半导体晶片包括：硅衬底；缓冲部，其被设置在所述硅衬底上；以及功能层，其被设置在所述缓冲部上且包含氮化物半导体。所述缓冲部包括包含氮化物半导体的第一到第n缓冲层（n是4或更大的整数）。所述第一到第n缓冲层中的第i缓冲层（i是1或更大且小于n的整数）具有在与所述第一缓冲层的主表面平行的第一方向上的晶格长度Wi。在所述第i缓冲层上设置的第（i+1）缓冲层具有在所述第一方向上的晶格长度W(i+1)。在所述第一到第n缓冲层中，所述第i缓冲层和所述第（i+1）缓冲层满足(W(i+1)-Wi)/Wi≤0.008的关系。

公开(公告)号：CN103311095A

公开(公告)日：2013-09-18

申请号：CN201210560783.X

申请日：2012-12-20

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 彦坂年辉 ,  原田佳幸 ,  吉田学史 ,  杉山直治 ,  布上真也

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02389 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/007 ,  H01L33/12

Abstract: 根据一个实施例，公开了一种用于制造氮化物半导体层的方法。所述方法可以包括：在基底的主表面上形成第一下层，在所述第一下层上形成第一上层。所述第一下层具有沿平行于所述主表面的第一轴的第一晶格间距。所述第一上层具有大于所述第一晶格间距的沿所述第一轴的第二晶格间距。至少一部分所述第一上层具有第一压缩应变。在第一与第二晶格间距之间的差与所述第一晶格间距的比不小于0.005且不大于0.019。在平行于所述主表面的方向上的所述第一上层的生长速率大于在垂直于所述主表面的方向上的所述第一上层的生长速率。

公开(公告)号：CN103165787A

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：CN201210535484.0

申请日：2012-12-12

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 杉山直治 ,  佐藤泰辅 ,  财满康太郎 ,  田岛纯平 ,  彦坂年辉 ,  原田佳幸 ,  吉田学史 ,  布上真也

IPC: H01L33/44

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L33/06 ,  H01L33/12

Abstract: 根据一实施例，一种半导体发光装置包括：包含氮化物半导体晶体并在(0001)表面中具有拉伸应力的第一导电类型第一半导体层；包含氮化物半导体晶体并在(0001)表面中具有拉伸应力的第二导电类型第二半导体层；设置在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的发光层，其含有氮化物半导体晶体，并具有大于所述第一半导体层的晶格常数的平均晶格常数；以及设置在所述第一半导体层的与发光层相反的一侧上并向所述第一半导体层施加压应力的第一应力施加层。

公开(公告)号：CN102104107A

公开(公告)日：2011-06-22

申请号：CN201010274434.2

申请日：2010-09-07

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 彦坂年辉 ,  佐藤高洋 ,  三石巌 ,  布上真也

IPC: H01L33/48 ,  H01L33/50 ,  H01L33/64

CPC classification number: H01L33/50 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L33/44 ,  H01L33/504 ,  H01L33/58 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及发光器件。根据一个实施例，一种发光器件包括用于发射第一光的半导体发光元件、安装构件、第一和第二波长转换层以及透明层。所述第一波长转换层被设置在所述元件与所述安装构件之间且与所述安装构件接触。所述第一波长转换层吸收所述第一光并发射第二光，所述第二光的波长大于所述第一光的波长。所述半导体发光元件被设置在所述第二波长转换层与所述第一波长转换层之间。所述第二波长转换层吸收所述第一光并发射第三光，所述第三光的波长大于所述第一光的波长。所述透明层被设置在所述元件与所述第二波长转换层之间。所述透明层对所述第一、第二和第三光透明。