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公开(公告)号:CN101013586B
公开(公告)日:2011-11-16
申请号:CN200710003356.0
申请日:2007-02-02
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B7/24038 , G11B7/2578 , G11B7/266 , G11B2007/0013 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/25706 , G11B2007/2571 , G11B2007/25713 , G11B2007/25715 , Y10T428/21
Abstract: 一种相变光盘,其具有基片(1a,1b)和包括干涉膜、相变记录膜、分界面膜和反射膜的多层结构(19,20),在该相变光盘中可使用光可逆地把信息记录到记录膜上或从记录膜上擦除,构成相变记录膜的元素(例如,锗或碲)从接触相变记录膜(13a,13b)的部分(21a,21b)起在记录膜的厚度方向上具有偏析分布或浓度分布。
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公开(公告)号:CN101930769A
公开(公告)日:2010-12-29
申请号:CN201010265392.6
申请日:2008-06-18
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G11B7/24 , G11B7/246 , G11B7/005 , G11B7/0045
CPC classification number: G11B7/24038 , G11B7/2467 , G11B7/2492 , G11B7/2495
Abstract: 本发明公开了一种光学记录介质、记录方法、再现方法和盘驱动器。光学记录介质包括多个记录层,配置来采用具有预定波长的光记录或再现信息,其中用于在记录层上记录至少一个记录标记的通道时钟周期被设定为T,所述信息可以记录在长度为2T、3T或更长的记录标记上,多脉冲用来记录长度为3T或更长的记录标记,所述多脉冲在其结束处包括一个最后脉冲,如果所述最后脉冲的宽度处在从0T到1.10T之间的范围内,则记录长度为3T或更长的记录标记。
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公开(公告)号:CN101908351A
公开(公告)日:2010-12-08
申请号:CN201010255599.5
申请日:2007-06-01
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B7/258 , G11B7/00452 , G11B7/00455 , G11B7/24038 , G11B7/246 , G11B7/259 , G11B2007/0013
Abstract: 公开了一种光学记录介质、信息记录方法、及信息再现方法,提供层间串扰低且能获得稳定且高质量记录特性的光学记录介质。为此目的,光学记录介质包括:记录层(L1),配置来以预定波长的光记录或再现信息;在所述介质(100)的内圆周侧处的记录层(L1)上提供的烧录区(BCA),所述烧录区(BCA)配置来记录包括标记极性标志的特定信息,所述标记极性标志指示记录层(L1)上的记录标记的极性,其中所述标记极性标志表明记录标记的极性是低-高还是高-低。
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公开(公告)号:CN101882448A
公开(公告)日:2010-11-10
申请号:CN201010224002.0
申请日:2007-06-01
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B7/00736 , G11B7/00456 , G11B7/0053 , G11B7/24038 , G11B7/246 , G11B7/257 , G11B20/1217 , G11B2020/122 , G11B2020/1298 , G11B2220/235 , G11B2220/237 , G11B2220/2579
Abstract: 本发明提供了一种光学记录介质、信息记录方法、及信息再现方法。所述光学记录介质是单面双层光盘,包括第一记录层和第二记录层,其中第二记录层(L1)被布置来比第一记录层(L0)远离光入射面,第一记录层能够以波长为405nm的光进行记录或再现,第二记录层能够以波长为405nm或650nm或更长波长的光进行记录或再现,在光盘的内侧布置了其上记录有特定信息的烧录区(BCA),以及所述特定信息包括位信息,所述位信息指示用于第一记录层的格式和用于第二记录层的格式。
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公开(公告)号:CN101620868A
公开(公告)日:2010-01-06
申请号:CN200910134928.8
申请日:2009-04-15
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 本发明涉及一种可记录型信息记录介质(10),该信息记录介质(10)包括:具有沟槽和槽岸的有机染料层(2),在所述有机染料层(2)上通过施加短波激光束而形成有记录标记。所述有机染料层(2)的光学密度为0.25或更低,所述沟槽的节距(T1)为0.32μm至0.4μm,并且各沟槽的宽度(t1)为所述沟槽的节距的50%至80%。
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公开(公告)号:CN100395835C
公开(公告)日:2008-06-18
申请号:CN200510129047.9
申请日:2005-11-30
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B7/00736 , G11B7/24079 , G11B7/263
Abstract: 公开了信息存储介质、压模、盘装置和管理信息回放方法。根据本发明,一种盘状信息存储介质具有同心管理信息区(11)和同心数据区(21)。所述管理信息区包括在径向上排列的多个凹槽(13),加到所述多个凹槽上的染色材料,以及跨过所述多个凹槽在径向形成并且在圆周方向排列的多个条状图案(12);所述数据区包括在径向上排列的多个凹槽(23)和加到所述多个凹槽上的染色材料。所述在圆周方向排列的多个条状图案包括管理信息。
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公开(公告)号:CN101079289A
公开(公告)日:2007-11-28
申请号:CN200710087443.9
申请日:2007-03-16
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B7/24038 , G11B7/00736
Abstract: 一种单面双层可记录光盘,其中采用波长为405nm的光来进行记录和再现,所述的单面双层可记录光盘被构造为:当从光入射面(或受光面)观察时,如果表层(101)为L0层(L0),并且内层(102)为L1层(L1),则使得L1层(L1)在600-800nm波长范围内的吸光度大于L0层(L0)在该波长范围内的吸光度。在L1层(L1)的对600-800nm范围内的光具有高吸光性的那一部分中,设置一个用来记录与光盘(100)有关的特定信息的区域(BCA)。
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公开(公告)号:CN1808597A
公开(公告)日:2006-07-26
申请号:CN200510129047.9
申请日:2005-11-30
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B7/00736 , G11B7/24079 , G11B7/263
Abstract: 公开了信息存储介质、压模、盘装置和管理信息回放方法。根据本发明,一种盘状信息存储介质具有同心管理信息区(11)和同心数据区(21)。所述管理信息区包括在径向上排列的多个凹槽(13),加到所述多个凹槽上的染色材料,以及跨过所述多个凹槽在径向形成并且在圆周方向排列的多个条状图案(12);所述数据区包括在径向上排列的多个凹槽(23)和加到所述多个凹槽上的染色材料。所述在圆周方向排列的多个条状图案包括管理信息。
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公开(公告)号:CN1779823A
公开(公告)日:2006-05-31
申请号:CN200510108548.9
申请日:2005-09-30
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B7/24038 , G11B7/243 , G11B7/257 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/25706 , G11B2007/25713 , G11B2007/25715
Abstract: 一种相变光学记录介质包括:一记录膜,其在光照射条件下引起晶相和非晶相两者间的可逆相变;以及一形成为与该记录膜其中至少一个表面接触的界面膜,其包含Hf(铪)、O(氧)、以及N(氮)。
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公开(公告)号:CN1684171A
公开(公告)日:2005-10-19
申请号:CN200510065178.5
申请日:2005-04-13
Applicant: 株式会社东芝 , 株式会社林原生物化学研究所
CPC classification number: G11B7/2472 , C09B69/06 , G11B7/2467 , G11B7/2495 , G11B7/2534 , G11B7/259 , G11B2007/24612
Abstract: 一种介质记录材料,用于一次性写入式信息记录光盘(28)的记录膜,包括:上面形成了同心或螺旋的凹槽(21)的透明树脂基材(20)和在凹槽上形成的记录膜(24),特征在于:它是由一种具有一个阴离子部分和一个着色物质部分的有机着色物质形成,其中最大吸收波长区存在于比照射到记录膜上的短波长激光束波长较长的波长侧,通过短波长激光束照射在记录膜上形成记录标记,记录标记的光反射系数高于在用短波激光束照射之前的记录膜的光反射系数。这种材料实现了所谓的低到高的值。
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