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公开(公告)号:CN1694167A
公开(公告)日:2005-11-09
申请号:CN200510065179.X
申请日:2005-04-13
Applicant: 株式会社东芝 , 株式会社林原生物化学研究所
CPC classification number: G11B7/2472 , G11B7/246 , G11B7/2467 , G11B7/2495 , G11B7/2534 , G11B7/259
Abstract: 本发明公开了一种一次性写入式信息记录介质(28),包括具有在其中形成的同心或螺旋凹槽的透明基材(20);和在透明基材的凹槽上形成的记录膜(24),其中记录凹槽有一个阴离子部分和一个阳离子部分,由一种有机颜料形成,该有机颜料的从要发射到记录膜的短波长激光的波长的最大吸收波长区域存在于较长波长侧,记录标记在记录膜上通过用短波长激光照射而形成,和记录标记的光反射系数高于在用短波激光照射之前的记录膜的光反射系数。因此,这种一次性写入式信息记录介质(28)具有所谓的低到高的特性,即,记录后的反射系数高于记录前的反射系数。
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公开(公告)号:CN100458941C
公开(公告)日:2009-02-04
申请号:CN200510065179.X
申请日:2005-04-13
Applicant: 株式会社东芝 , 株式会社林原生物化学研究所
CPC classification number: G11B7/2472 , G11B7/246 , G11B7/2467 , G11B7/2495 , G11B7/2534 , G11B7/259
Abstract: 本发明公开了一种一次性写入式信息记录介质(28),包括具有在其中形成的同心或螺旋凹槽的透明基材(20);和在透明基材的凹槽上形成的记录膜(24),其中记录凹槽有一个阴离子部分和一个阳离子部分,由一种有机颜料形成,该有机颜料的从要发射到记录膜的短波长激光的波长的最大吸收波长区域存在于较长波长侧,记录标记在记录膜上通过用短波长激光照射而形成,和记录标记的光反射系数高于在用短波激光照射之前的记录膜的光反射系数。因此,这种一次性写入式信息记录介质(28)具有所谓的低到高的特性,即,记录后的反射系数高于记录前的反射系数。
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公开(公告)号:CN1684171A
公开(公告)日:2005-10-19
申请号:CN200510065178.5
申请日:2005-04-13
Applicant: 株式会社东芝 , 株式会社林原生物化学研究所
CPC classification number: G11B7/2472 , C09B69/06 , G11B7/2467 , G11B7/2495 , G11B7/2534 , G11B7/259 , G11B2007/24612
Abstract: 一种介质记录材料,用于一次性写入式信息记录光盘(28)的记录膜,包括:上面形成了同心或螺旋的凹槽(21)的透明树脂基材(20)和在凹槽上形成的记录膜(24),特征在于:它是由一种具有一个阴离子部分和一个着色物质部分的有机着色物质形成,其中最大吸收波长区存在于比照射到记录膜上的短波长激光束波长较长的波长侧,通过短波长激光束照射在记录膜上形成记录标记,记录标记的光反射系数高于在用短波激光束照射之前的记录膜的光反射系数。这种材料实现了所谓的低到高的值。
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公开(公告)号:CN100458940C
公开(公告)日:2009-02-04
申请号:CN200510065178.5
申请日:2005-04-13
Applicant: 株式会社东芝 , 株式会社林原生物化学研究所
CPC classification number: G11B7/2472 , C09B69/06 , G11B7/2467 , G11B7/2495 , G11B7/2534 , G11B7/259 , G11B2007/24612
Abstract: 一种介质记录材料,用于一次性写入式信息记录光盘(28)的记录膜,包括:上面形成了同心或螺旋的凹槽(21)的透明树脂基材(20)和在凹槽上形成的记录膜(24),特征在于:它是由一种具有一个阴离子部分和一个着色物质部分的有机着色物质形成,其中最大吸收波长区存在于比照射到记录膜上的短波长激光束波长较长的波长侧,通过短波长激光束照射在记录膜上形成记录标记,记录标记的光反射系数高于在用短波激光束照射之前的记录膜的光反射系数。这种材料实现了所谓的低到高的值。
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公开(公告)号:CN102637441A
公开(公告)日:2012-08-15
申请号:CN201210110175.9
申请日:2007-06-21
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B7/24038 , G11B7/2467 , G11B7/249 , G11B7/259 , G11B7/268
Abstract: 本发明提供了一种盘以及用于从盘再现信息的设备和方法,所述盘包括:基片,其具有大约1.1mm的厚度;记录层,其布置在所述基片上方;烧录区,其相对于所述盘的主信息记录区布置在所述盘的内侧;其中所述烧录区被配置为描述类型标识符;其中所述烧录区被配置为描述版本号;以及其中所述烧录区被配置为描述R信息,所述R信息指示可记录,由一个或多个字节编号指示的一个或多个字节位置被定义,并且所述R信息的字节位置被配置为大于所述类型标识符的字节位置。
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公开(公告)号:CN102394082A
公开(公告)日:2012-03-28
申请号:CN201110326809.X
申请日:2007-06-21
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B7/24038 , G11B7/2467 , G11B7/249 , G11B7/259 , G11B7/268
Abstract: 本发明提供了一种单面多层光盘、BCA记录设备、BCA记录方法、以及光盘设备。在被具有预定波长的激光束照射时执行记录和回放、并且具有至少两个相对于光入射面彼此独立的记录层(3,4)的单而多层光盘(101)中,距离光入射面最远的反射层包含银合金、并且具有针对激光束的20%(含)至50%(含)的吸光率和/或50(含)至250(含)W/m·K的导热率。
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公开(公告)号:CN102394079A
公开(公告)日:2012-03-28
申请号:CN201110326476.0
申请日:2007-06-21
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B7/24038 , G11B7/2467 , G11B7/249 , G11B7/259 , G11B7/268
Abstract: 本发明提供了一种单面多层光盘、BCA记录设备、BCA记录方法、以及光盘设备。在被具有预定波长的激光束照射时执行记录和回放、并且具有至少两个相对于光入射面彼此独立的记录层(3,4)的单面多层光盘(101)中,距离光入射面最远的反射层包含银合金、并且具有针对激光束的20%(含)至50%(含)的吸光率和/或50(含)至250(含)W/m·K的导热率。
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公开(公告)号:CN102394075A
公开(公告)日:2012-03-28
申请号:CN201110326091.4
申请日:2007-06-21
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B7/24038 , G11B7/2467 , G11B7/249 , G11B7/259 , G11B7/268
Abstract: 本发明提供了一种单面多层光盘、BCA记录设备、BCA记录方法、以及光盘设备。在被具有预定波长的激光束照射时执行记录和回放、并且具有至少两个相对于光入射面彼此独立的记录层(3,4)的单面多层光盘(101)中,距离光入射面最远的反射层包含银合金、并且具有针对激光束的20%(含)至50%(含)的吸光率和/或50(含)至250(含)W/m·K的导热率。
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公开(公告)号:CN102360556A
公开(公告)日:2012-02-22
申请号:CN201110326753.8
申请日:2007-06-21
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B7/24038 , G11B7/2467 , G11B7/249 , G11B7/259 , G11B7/268
Abstract: 本发明提供了一种单面多层光盘、BCA记录设备、BCA记录方法、以及光盘设备。在被具有预定波长的激光束照射时执行记录和回放、并且具有至少两个相对于光入射面彼此独立的记录层(3,4)的单面多层光盘(101)中,距离光入射面最远的反射层包含银合金、并且具有针对激光束的20%(含)至50%(含)的吸光率和/或50(含)至250(含)W/m·K的导热率。
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公开(公告)号:CN102360553A
公开(公告)日:2012-02-22
申请号:CN201110326509.1
申请日:2007-06-21
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B7/24038 , G11B7/2467 , G11B7/249 , G11B7/259 , G11B7/268
Abstract: 本发明提供了一种单面多层光盘、BCA记录设备、BCA记录方法、以及光盘设备。在被具有预定波长的激光束照射时执行记录和回放、并且具有至少两个相对于光入射面彼此独立的记录层(3,4)的单面多层光盘(101)中,距离光入射面最远的反射层包含银合金、并且具有针对激光束的20%(含)至50%(含)的吸光率和/或50(含)至250(含)W/m·K的导热率。
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