公开(公告)号：CN101395716B

公开(公告)日：2011-11-02

申请号：CN200780007376.3

申请日：2007-03-06

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 川岛良男 ,  高木刚 ,  三河巧 ,  魏志强

IPC: H01L27/10 ,  G11C13/00

CPC classification number: H01L27/101 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2463 ,  H01L27/2472 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1658 ,  H01L45/1675

Abstract: 本发明提供一种非易失性存储元件，其包括：下部电极层(2)；在下部电极层(2)的上方形成的上部电极层(4)；和在下部电极层(2)与上部电极层(4)之间形成的金属氧化物薄膜层(3)，金属氧化物薄膜层(3)包括：通过在下部电极层(2)与上部电极层(4)之间施加的电脉冲而电阻值增加或减少的第一区域(3a)；和配置在第一区域(3a)的周围且氧含有量比第一区域(3a)多的第二区域(3b)，下部电极层(2)和上部电极层(4)与第一区域(3a)的至少一部分以从第一区域(3a)的厚度方向看重叠的方式配置。

公开(公告)号：CN101861649A

公开(公告)日：2010-10-13

申请号：CN200880116054.7

申请日：2008-11-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 川岛良男 ,  三河巧 ,  宫永良子 ,  高木刚

IPC: H01L27/10 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00

CPC classification number: H01L27/101 ,  G11C13/0002 ,  G11C2213/72 ,  H01L27/24

Abstract: 本发明涉及一种非易失性存储装置及其制造方法。非易失性存储装置包括：形成于第一配线(11)与第二配线(14)的交叉部的导通孔(12)、和电流控制层(13b)被第一电极层(13a)和第二电极层(13c)夹着的电流控制元件(13)，在导通孔(12)内形成有电阻变化元件(15)，第一电极层(13a)以覆盖导通孔(12)的方式配置，电流控制层(13b)以覆盖第一电极层(13a)的方式配置，第二电极层(13c)配置于电流控制层(13b)之上，第二配线的配线层(14a)配置于第二电极层(13c)之上，第二配线(14)具有由电流控制层(13b)、第二电极层(13c)和第二配线的配线层(14a)构成的结构。

公开(公告)号：CN101842897A

公开(公告)日：2010-09-22

申请号：CN200880114293.9

申请日：2008-10-22

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 三河巧 ,  川岛良男 ,  宫永良子

IPC: H01L27/105 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00 ,  H01L49/02

CPC classification number: H01L27/24 ,  H01L27/1021

Abstract: 本发明提供一种非易失性半导体存储装置和其制造方法。本发明的非易失性半导体存储装置的特征在于，包括：基板(1)；第一配线(2)；由电阻变化元件(5)和二极管元件(6)的一部分构成的存储器单元；与第一配线(2)正交并且含有二极管元件(6)的剩余部分的第二配线(11)；和隔着层间绝缘层(12)形成的上层配线(13)，其中，第一配线(2)通过第一接触部(14)与上层配线(13)连接，第二配线(11)通过第二接触部(15)与上层配线(13)连接。

公开(公告)号：CN101395716A

公开(公告)日：2009-03-25

申请号：CN200780007376.3

申请日：2007-03-06

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 川岛良男 ,  高木刚 ,  三河巧 ,  魏志强

IPC: H01L27/10 ,  G11C13/00

CPC classification number: H01L27/101 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2463 ,  H01L27/2472 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1658 ,  H01L45/1675

Abstract: 本发明提供一种非易失性存储元件，其包括：下部电极层(2)；在下部电极层(2)的上方形成的上部电极层(4)；和在下部电极层(2)与上部电极层(4)之间形成的金属氧化物薄膜层(3)，金属氧化物薄膜层(3)包括：通过在下部电极层(2)与上部电极层(4)之间施加的电脉冲而电阻值增加或减少的第一区域(3a)；和配置在第一区域(3a)的周围且氧含有量比第一区域(3a)多的第二区域(3b)，下部电极层(2)和上部电极层(4)与第一区域(3a)的至少一部分以从第一区域(3a)的厚度方向看重叠的方式配置。

公开(公告)号：CN1281969C

公开(公告)日：2006-10-25

申请号：CN02808235.4

申请日：2002-04-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 杉田康成 ,  平本雅祥 ,  松川望 ,  里见三男 ,  川岛良男 ,  小田川明弘

IPC: G01R33/09 ,  H01F10/12

CPC classification number: H01L43/10 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  G01R33/093 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3909 ,  G11B5/3916 ,  G11B2005/3996 ,  H01F10/3204 ,  H01F10/3231 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3268 ,  H01F10/3295 ,  Y10T428/115

Abstract: 本发明提供了MR比和热稳定性优良的磁阻(MR)元件，它所含的至少一个磁层包括由M100-aXa表示的铁磁材料M-X。此时，M是选自Fe、Co和Ni中的至少一种，X表示为Xb1Xc2Xd3(X1是选自Cu、Ru、Rh、Pd、Ag、Os、Ir、Pt和Au中的至少一种，X2是选自Al、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Ga、Ge、Y、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta、W、Re、Zn和镧系元素中的至少一种，并且X3是选自Si、B、C、N、O、P和S中的至少一种)，并且a、b、c和d满足0.05≤a≤60，0≤b≤60，0≤c≤30，0≤d≤20，并且a＝b+c+d。

公开(公告)号：CN202308073U

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201120379247.0

申请日：2011-10-08

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 三河巧 ,  早川幸夫 ,  二宫健生 ,  川岛良男 ,  米田慎一

IPC: H01L45/00

Abstract: 一种非易失性存储元件，具有：第一电极(106)；第二电极(104)；以及电阻变化层(115)，该电阻变化层(115)介于第一电极(106)和第二电极(104)之间、基于施加到两电极之间的电信号，电阻值可逆地变化。电阻变化层(115)具有第一过渡金属氧化物层(115I)、第二过渡金属氧化物层(115II)、以及第三过渡金属氧化物层(115III)，以第一过渡金属氧化物层(115I)、第二过渡金属氧化物层(115II)、以及第三过渡金属氧化物层(115III)的顺序层叠，各层的含氧率以第一过渡金属氧化物层、第二过渡金属氧化物层、以及第三过渡金属氧化物层的顺序降低，并且，所述第三过渡金属氧化物层(115III)的膜厚比所述第二过渡金属氧化物层(115II)的膜厚要厚。