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公开(公告)号：CN102742011B
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201180007789.8
申请日：2011-12-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/105 , G11C13/00 , H01L45/00 , H01L49/00
Abstract: 本发明的非易失性存储元件具有：电阻变化元件（104a），其具有第1电极（103）、第2电极（105）和电阻变化层（104），该电阻变化层（104）介于第1电极（103）和第2电极（105）之间，并且电阻值根据提供到第1电极（103）和第2电极（105）之间的电信号而可逆地变化；以及固定电阻层（108），其具有规定的电阻值，被层叠于电阻变化层（104），电阻变化层（104）具有缺氧型的第1过渡金属氧化物层（106）、和具有比第1过渡金属氧化物层（106）高的含氧率的第2过渡金属氧化物绝缘层（107），规定的电阻值为70Ω以上且1000Ω以下。
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公开(公告)号：CN103222055A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201180035193.9
申请日：2011-10-06
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
Abstract: 提供一种在低电压下电阻稳定地变化，适于大容量化并且可靠性优良的电阻变化型非易失性存储元件及其制造方法。非易失性存储元件（10）具有：第一电极（106）、第二电极（104）和电阻变化层（115），该电阻变化层基于施加在两电极间的电信号而电阻值可逆地变化，电阻变化层（115）具备按顺序层叠具有由MOx表示的组成的第一过渡金属氧化物层（115x）、具有由MOy（其中x>y）表示的组成的第二过渡金属氧化物层（115y）、和由MOz（其中y>z）表示的组成的第三过渡金属氧化物层（115z）的层叠结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102782846A
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201180011853.X
申请日：2011-06-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/105 , C23C14/06 , G11C13/00 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC classification number: H01L45/08 , G11C13/0007 , G11C2213/72 , G11C2213/79 , H01L27/2409 , H01L27/2436 , H01L27/2481 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/146 , H01L45/1625
Abstract: 本发明提供非易失性存储元件和具有其的非易失性存储装置，能够减小初始击穿所需的电脉冲的电压，并且能够降低非易失性存储元件的电阻值的偏差。其具有：第一电极（103）；第二电极（105）；和电阻变化层（104），其介于第一电极（103）与第二电极（105）之间，基于在第一电极（103）与第二电极（105）之间提供的电信号，电阻值可逆地变化，电阻变化层（104）具有：与第一电极（103）接触，包含缺氧型的过渡金属氧化物的第一区域（106）；和与第二电极（105）接触，包含比所述第一区域（106）的缺氧度小的过渡金属氧化物的第二区域（107）。第二电极（105）由铱和具有比铱低的杨氏模量的至少一种贵金属的合金构成，铱的含有率为50atm%以上。
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公开(公告)号：CN102782846B
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201180011853.X
申请日：2011-06-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/105 , C23C14/06 , G11C13/00 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC classification number: H01L45/08 , G11C13/0007 , G11C2213/72 , G11C2213/79 , H01L27/2409 , H01L27/2436 , H01L27/2481 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/146 , H01L45/1625
Abstract: 本发明提供非易失性存储元件和具有其的非易失性存储装置，能够减小初始击穿所需的电脉冲的电压，并且能够降低非易失性存储元件的电阻值的偏差。其具有：第一电极（103）；第二电极（105）；和电阻变化层（104），其介于第一电极（103）与第二电极（105）之间，基于在第一电极（103）与第二电极（105）之间提供的电信号，电阻值可逆地变化，电阻变化层（104）具有：与第一电极（103）接触，包含缺氧型的过渡金属氧化物的第一区域（106）；和与第二电极（105）接触，包含比所述第一区域（106）的缺氧度小的过渡金属氧化物的第二区域（107）。第二电极（105）由铱和具有比铱低的杨氏模量的至少一种贵金属的合金构成，铱的含有率为50atm%以上。
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公开(公告)号：CN103999218A
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201280044072.5
申请日：2012-09-10
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC classification number: H01L45/124 , H01L27/2409 , H01L27/2436 , H01L27/2481 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/1246 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/1608 , H01L45/1625 , H01L45/1675
Abstract: 非易失性存储元件（20）具备：第1电极（105）；第2电极（107）；电阻变化层（106），介于第1电极（105）与第2电极（107）之间，将与第1电极（105）连接的第1电阻变化层（1061）和与第2电极（107）连接的第2电阻变化层（1062）层叠而构成；以及侧壁保护层（108），具有氧阻挡性，将上述电阻变化层（106）的侧面覆盖；第1电阻变化层（1061）由第1金属氧化物（106a）和形成在第1金属氧化物的周围且氧不足度比第1金属氧化物（106a）小的第3金属氧化物（106c）构成，第2电阻变化层（1062）由氧不足度比第1金属氧化物（106a）小的第2金属氧化物（106b）构成。
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公开(公告)号：CN102742011A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201180007789.8
申请日：2011-12-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/105 , G11C13/00 , H01L45/00 , H01L49/00
Abstract: 本发明的非易失性存储元件具有：电阻变化元件（104a），其具有第1电极（103）、第2电极（105）和电阻变化层（104），该电阻变化层（104）介于第1电极（103）和第2电极（105）之间，并且电阻值根据提供到第1电极（103）和第2电极（105）之间的电信号而可逆地变化；以及固定电阻层（108），其具有规定的电阻值，被层叠于电阻变化层（104），电阻变化层（104）具有缺氧型的第1过渡金属氧化物层（106）、和具有比第1过渡金属氧化物层（106）高的含氧率的第2过渡金属氧化物绝缘层（107），规定的电阻值为70Ω以上且1000Ω以下。
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公开(公告)号：CN202308073U
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201120379247.0
申请日：2011-10-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L45/00
Abstract: 一种非易失性存储元件，具有：第一电极(106)；第二电极(104)；以及电阻变化层(115)，该电阻变化层(115)介于第一电极(106)和第二电极(104)之间、基于施加到两电极之间的电信号，电阻值可逆地变化。电阻变化层(115)具有第一过渡金属氧化物层(115I)、第二过渡金属氧化物层(115II)、以及第三过渡金属氧化物层(115III)，以第一过渡金属氧化物层(115I)、第二过渡金属氧化物层(115II)、以及第三过渡金属氧化物层(115III)的顺序层叠，各层的含氧率以第一过渡金属氧化物层、第二过渡金属氧化物层、以及第三过渡金属氧化物层的顺序降低，并且，所述第三过渡金属氧化物层(115III)的膜厚比所述第二过渡金属氧化物层(115II)的膜厚要厚。
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