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公开(公告)号：CN1698205A
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：CN200480000228.5
申请日：2004-03-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L27/108 , H01L21/8242
CPC classification number: H01L28/65 , H01L27/11507 , H01L28/57 , H01L28/75
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。本发明的半导体器件具备：第一氢阻挡膜，在第一氢阻挡膜上形成的电容元件，以覆盖电容元件的方式形成的第二氢阻挡膜。第一氢阻挡膜和第二氢阻挡膜至少包含1个使第一氢阻挡膜和第二氢阻挡膜密接的同一种原子。
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公开(公告)号：CN1482672A
公开(公告)日：2004-03-17
申请号：CN03154691.9
申请日：2003-08-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/82 , H01L21/3205 , H01L21/302
CPC classification number: H01L28/60 , H01L21/31053 , H01L27/11502 , H01L27/11507
Abstract: 一种半导体器件的制造方法，包括以下工序：在形成于衬底(10)上的第1绝缘层(4)和形成于第1绝缘层中的多个接触栓塞(3)上形成导电层(5)；对导电层进行构图而形成多个电容元件下部电极(6)；在第1绝缘层和电容元件下部电极上形成第2绝缘层(8)；在电容元件下部电极的上部区域的第2绝缘层中形成凹部(12)；对第2绝缘层进行研磨而使其平坦化；露出电容元件下部电极；以及在电容元件下部电极的上部形成电容绝缘膜和电容元件上部电极。在第2绝缘层的研磨时促进阶梯差缓和，抑制研磨残留、下部电极的剥离及损伤的产生，并且可降低总阶梯差。
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公开(公告)号：CN102947935B
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201180030286.2
申请日：2011-06-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC classification number: H01L45/16 , H01L27/2409 , H01L27/2418 , H01L27/2436 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1675
Abstract: 电阻变化元件的制造方法包括：在基板上的层间绝缘膜中形成导电性塞柱的工序(1000~1004)；以将在上述导电性塞柱周围产生的上述层间绝缘膜的凹部及跨多个上述导电性塞柱产生的上述层间绝缘膜的凹部除去，并使上述导电性塞柱的上部从上述层间绝缘膜上表面突出的方式，使上述层间绝缘膜上表面平坦的工序(1005)；在上述层间绝缘膜及上述导电性塞柱上，形成与上述导电性塞柱电连接的下部电极层的工序(1006)；将上述下部电极层上表面的突出部除去，使上述下部电极层上表面平坦的工序(1007)；在上述下部电极层上形成电阻变化层的工序(1008)；在上述电阻变化层上形成上部电极层的工序(1008)；及加工形成下部电极、电阻变化层及上部电极的工序(1009)。
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公开(公告)号：CN103460383A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201280016903.8
申请日：2012-04-11
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC classification number: H01L45/1675 , H01L27/2436 , H01L45/04 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 本发明的电阻变化型的非易失性存储元件的制造方法包括：在基板（11）上形成下部电极层（2）的工序；在下部电极层（2）上形成由缺氧型的金属氧化物构成的电阻变化层（3）的工序；在电阻变化层（3）上形成上部电极层（4）的工序；以及在上部电极层（4）上形成掩模图案，并以掩模图案为掩模对上部电极层（4）、电阻变化层（3）及下部电极层（2）进行蚀刻而形成图案的工序；在蚀刻的工序中，至少在用于对电阻变化层（3）进行蚀刻的蚀刻气体中使用含有溴的气体。
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公开(公告)号：CN103229299A
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201180013542.7
申请日：2011-11-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/105 , G11C11/15 , G11C29/56 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC classification number: H01L27/101 , G11C13/0007 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/55 , H01L27/02 , H01L27/2427 , H01L27/2436 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625 , H01L45/1641 , H01L45/1675
Abstract: 本发明的非易失性存储元件，包括夹在下部电极(105)和上部电极(107)之间并且基于对两个电极间所赋予的电信号来可逆地改变电阻值的电阻变化层(116)。电阻变化层(116)由第1电阻变化层(1161)和第2电阻变化层(1162)的至少2层构成，第1电阻变化层(1161)由第1过渡金属氧化物(116b)构成，第2电阻变化层(1162)由第2过渡金属氧化物(116a)和过渡金属化合物(116c)构成，第2过渡金属氧化物(116a)的氧含有率比第1过渡金属氧化物(116b)的氧含有率低，过渡金属化合物含有氧和氮或者氧和氟，第2过渡金属氧化物(116a)和过渡金属化合物(116c)与第1电阻变化层(1161)相接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103222055A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201180035193.9
申请日：2011-10-06
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
Abstract: 提供一种在低电压下电阻稳定地变化，适于大容量化并且可靠性优良的电阻变化型非易失性存储元件及其制造方法。非易失性存储元件（10）具有：第一电极（106）、第二电极（104）和电阻变化层（115），该电阻变化层基于施加在两电极间的电信号而电阻值可逆地变化，电阻变化层（115）具备按顺序层叠具有由MOx表示的组成的第一过渡金属氧化物层（115x）、具有由MOy（其中x>y）表示的组成的第二过渡金属氧化物层（115y）、和由MOz（其中y>z）表示的组成的第三过渡金属氧化物层（115z）的层叠结构。
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公开(公告)号：CN103119716A
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201180036399.3
申请日：2011-09-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/105 , G11C13/00 , H01L27/10 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC classification number: H01L45/1253 , G11C13/0007 , G11C13/003 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2013/0073 , G11C2213/72 , G11C2213/78 , H01L27/101 , H01L27/2409 , H01L27/2472 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/16 , H01L45/1625 , H01L45/1675 , H01L45/1683
Abstract: 提供一种即使微细化也能够防止二极管的特性劣化及破坏的存储元件。有关本发明的存储元件（100）具备基板（10）、形成在基板之上的多个第1电极（11a、11b）、第2电极（12）及第3电极（13）、形成在多个第1电极与第2电极之间的电阻变化层（20）、以及形成在第2电极与第3电极之间的非导体层（30）。电阻变化层（20）包括形成在多个第1电极侧的高浓度电阻变化层（21）、以及形成在第2电极侧且氧浓度比高浓度电阻变化层（21）低的低浓度电阻变化层（22）。在存储元件（100）中，由第2电极、非导体层及第3电极构成二极管（100D），由多个第1电极、电阻变化层及第2电极构成与多个第1电极相同数量的多个电阻变化元件（100Ra、100Rb）。
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公开(公告)号：CN101755338B
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN200880025026.4
申请日：2008-07-11
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/10
CPC classification number: H01L27/101 , H01L27/1021 , H01L27/24 , H01L45/00
Abstract: 本发明提供电流限制元件、使用它的存储器装置及其制造方法。电流限制元件(10)被形成为，被第一电极层(12)和第二电极层(13)夹着的势垒层(11)的厚度方向的中央部(14)的势垒高度ΦA，比势垒层(11)与第一电极层(12)和第二电极层(13)的电极界面(17)附近的势垒高度ΦB大。此外，势垒层(11)例如由势垒层(11a)、(11b)、(11c)的3层结构构成，势垒层(11a)、(11b)、(11c)，例如由SiNx2、SiNx1、SiNx1(其中，X1＜X2)的SiN层形成。因此，势垒高度的形状呈阶段状地变化，在中央部(14)变高。
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公开(公告)号：CN102656692A
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN201180004276.1
申请日：2011-12-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC classification number: H01L45/145 , H01L27/2418 , H01L27/2463 , H01L27/2481 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1616 , H01L45/1625 , H01L45/1683
Abstract: 本发明包括：第一电极布线(151)，被形成为带状；第三层间绝缘层(16)；电阻变化层，被形成在覆盖存储单元孔(29)的底部及侧面的区域，且是由缺氧型过渡金属氧化物构成的第一电阻变化层(18a)、和由含氧率与所述第一电阻变化层(18a)不同的缺氧氮型过渡金属氧氮化物构成的第二电阻变化层(18b)的层叠构造体；第一电极(19)，被形成在存储单元孔(29)的内部；以及第一布线(22)，在至少覆盖存储单元孔(29)的开口的区域，在与第一电极布线(151)交叉的方向上被形成为带状，在将所述过渡金属表示为M、将第一电阻变化层(18a)的组成表示为MOz、将第二电阻变化层(18b)的组成表示为MOxNy的情况下，满足z＞x+y的关系。
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公开(公告)号：CN102576709A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201180004244.1
申请日：2011-08-11
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC classification number: H01L27/101 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1608 , H01L45/1675
Abstract: 本发明提供一种能够抑制非易失性存储元件间的初始击穿电压的偏差、防止成品率的降低的非易失性存储装置及其制造方法。包括：具有电阻变化层(106)与基板(117)的主面平行且平坦地形成的层叠结构的非易失性存储元件(108)；和与第一电极(105)和第二电极(107)中任一个电连接的插头(103)，插头(103)与非易失性存储元件(108)连接的一侧的端面的、与基板(117)的主面平行的面的插头(103)的面积，比作为导电区域的第一过渡金属氧化物层(115)的、与基板(117)的主面平行的截面的截面积大。
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