-
公开(公告)号：CN114420925A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202210057770.4
申请日：2022-01-19
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01M4/58 , H01M4/48 , B01J23/06 , B01J23/72 , C01B25/08 , C01G9/03 , C23C14/35 , C23C14/08 , C23C14/58 , C23C26/00
Abstract: 本发明公开了一种n型磷化亚铜的制备方法，包括如下步骤：S1、制备表面生长有磷化亚铜的铜箔；S2、将表面生长有磷化亚铜的铜箔作为基底，在其表面沉积氧化锌薄膜；S3、将步骤S2制备的产物在惰性气体中加热，热处理温度为650‑750℃，保温时长60‑300min。采用上述技术方案，在铜箔表面生长磷化亚铜连续薄膜，使用磁控溅射在磷化亚铜表面沉积氧化锌薄膜，高温下氧化锌与磷化亚铜相互作用，锌、氧元素扩散进入磷化亚铜晶格，形成n型掺杂磷化亚铜，该制备方法简单，重复性好，成本低，并且电阻率低、温差电动势高和光电响应快。
-
公开(公告)号：CN114284385A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111617517.1
申请日：2021-12-27
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L31/109 , H01L31/0224 , H01L31/0336 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种硫化亚铜‑硫化银pn结光电探测器的制备方法，本发明首先合成磷化亚铜，然后在磷化亚铜一侧涂抹银胶，然后进行硫化，随后在器件两侧涂抹银胶作为电极。本发明在管式炉中，通过固相和气相反应，制备了硫化亚铜‑硫化银pn结光电探测器。本发明在紫外光的照射下，器件在电压增强情况下，电流呈指数式下降趋势，电流达到μA级别；而在无光照情况下，器件并未出现上述情况，电流仅为nA级别。
-
公开(公告)号：CN113257930A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202110468259.9
申请日：2021-04-28
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L31/0236 , B82Y20/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种背面增强散热的硅太阳能电池片。现有太阳能电池片散热装置结构复杂，散热效果不理想。本发明在硅太阳能电池片本体的背面采用光刻工艺刻有对8～12微米中红外波段增透的光子晶体。光子晶体为矩阵形式排列的微米级硅凸起，在一个平面上相互垂直的两个方向上，相邻的两个硅凸起的中心点之间的距离分别为3～6微米和6～10微米。太阳能电池片本体背面以及硅凸起的表面覆有钝化层，钝化层外覆有厚度1～10微米、对应8～12微米中红外波段的红外辐射散热涂料。本发明既能提高背面中红外辐射散热，又能够把通过热传导传输到电池片背面的热量通过红外辐射涂料散发，可以进一步降低电池片的工作温度。
-
公开(公告)号：CN111271311B
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010105440.9
申请日：2020-02-20
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: F04D27/00
Abstract: 本发明公开了一种电风扇防止过凉控制装置。目前的温控型电风扇均没有考虑深夜谷电期间电网电压升高导致电风扇转速增加等因素。本发明包括设置在电风扇的前防护罩中心、且面向叶片方向的金属圆盘，金属圆盘内设有加热器和温度传感器。加热器由恒流源供电，对金属圆盘加热。温度传感器通过测温与比较电路接驱动电路，驱动电路接继电器，继电器的输出触点串接在电风扇电机回路中。本发明中电风扇吹出的风直接吹在前网罩中心的圆盘上，室温过低及电网电压过高均使得圆盘温度下降，由此判断是否断开电风扇电机，以避免人员受凉。本发明结构简单，实用性强，只要把控制装置的继电器的输出串接在电机上即可，适用性广。
-
公开(公告)号：CN111075980A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201911253226.1
申请日：2019-12-09
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种带有手动控制功能的双稳态电磁阀。现有的双稳态电磁阀利用弹簧维持电磁阀处于一个状态，或通过机械机构实现，内部结构复杂。本发明包括设置在圆筒内的活塞，圆筒一侧开有流体入口，另一侧开有流体出口。活塞的上底开设有导流孔，下底套置有密封圈，活塞下底的底面固定设置有活塞磁钢。圆筒下方水平设置有铁芯棒，铁芯棒上设置设置有手动操纵杆；两个移动磁钢作为移动磁钢对设置在铁芯棒上，两个移动磁钢并列水平放置，且竖直方向上极性相反；铁芯棒的两端分别设置有电磁线圈，电磁线圈与铁芯棒同轴设置。本发明结构简单，工作稳定性高，电磁阀处于两个状态时均不需施加维持电流，且在停电的紧急情况下，可手动开关，安全可靠。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110164698A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201910355079.2
申请日：2019-04-29
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01G9/20
Abstract: 本发明公开一种PET-ITO/TiO2/P(VDF/TrFE)透明柔性复合光阳极。依次包括PET-ITO衬底、TiO2薄膜、P(VDF/TrFE)薄膜；TiO2薄膜的厚度为30～100nm，P(VDF/TrFE)薄膜的厚度为40～100nm。通过施加正反向电压对P(VDF/TrFE)薄膜进行铁电极化，外加正反向极化电压范围为3～8V。本发明通过对P(VDF/TrFE)薄膜本身的铁电效应来改变其内建电场，从而有效的调控P(VDF/TrFE)/TiO2界面的能带结构，以期有效对载流子进行分离，从而提高光阳极的光电化学性能。
-
公开(公告)号：CN106876520B
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201710046206.1
申请日：2017-01-22
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0236 , C23F1/08 , C23F1/24 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种控制硅纳米线走向的装置，包括反应釜体、可调电源、控制单元、盛放蚀刻溶液器皿和泵，反应釜体的中部设有硅片架，反应釜体由硅片架及硅片平分为左右两个腔室，盛放蚀刻溶液器皿通过管道分别连接至两个腔室，泵设于管道的前端，反应釜体的顶部设有端盖，端盖上设有环形导轨和滑块，滑块与环形导轨相匹配，两个腔室分别设有惰性电极，惰性电极与硅片架相对面为平面，惰性电极通过穿设于端盖及滑块的长螺栓与可调电源电连接，两个长螺栓通过连杆连接，惰性电极与可调电源电连接，可调电源和泵分别受控制单元的控制。本发明制备可控硅表面纳米结构的装置具有操作简单、生产效率高、产品质量高等特点，适合大规模产业化应用。
-
公开(公告)号：CN105244362B
公开(公告)日：2018-05-04
申请号：CN201510687944.5
申请日：2015-10-21
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种基于ZnO压电效应的低功耗柔性阻变存储器及其制备方法。本发明低功耗柔性ReRAM从上至下依次包括TE层、ZnO层、ITO/PET层，其中TE层为功函数大于ZnO功函数的Pt、Cu或Au。该方法是ITO/PET柔性衬底作为下电极，通过溅射法制备ZnO薄膜，得到ZnO/ITO/PET；将ZnO/ITO/PET基体放于沉积室内，用掩模法通过电子束蒸发金属上电极，使得ZnO薄膜上沉积金属薄膜电极，最终得到柔性TE/ZnO/ITO/PET器件。本发明通过ZnO薄膜本身的压电效应来调控其set和reset电压，以期减小器件的操作电压，降低器件的功耗，从而延长器件的寿命。
-
公开(公告)号：CN106927421A
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201710046177.9
申请日：2017-01-22
Applicant: 杭州电子科技大学
CPC classification number: B82B3/0009 , B82B3/0066 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种制造可控走向的硅纳米线的方法，包括如下步骤：(一)对硅片进行清洗；(二)对硅片进行表面处理，在硅片表面镀一层贵金属涂层；(三)在电场方向可调的反应釜内采用刻蚀溶液对镀银后的硅片进行刻蚀；(四)去除硅片表面金属颗粒，干燥。本发明提出添加外电场来驱动贵金属离子，通过调整外加电场的方向来制备不同硅纳米线走向的方法。
-
公开(公告)号：CN102680435B
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201210170003.0
申请日：2012-05-29
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G01N21/63
Abstract: 本发明公开了一种激光诱导击穿光谱无标样定量分析元素组成的方法。本发明方法利用控制脉冲激光器的能量使得每次测量时等离子体的温度相同，由此保证每次测量时各元素的基态和激发态强度的比值保持不变，通过对比不同元素基态峰强度来确定混合物中的各元素原子个数比，实现定量分析。本发明通过控制等离子体的温度，相当于确定了元素基态峰和激发态峰的比例。由此可保持每次测量结果的可比性，得到精确的可以重复的元素成分分析结果。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
85
records
(took 0.11 seconds)
