公开(公告)号：CN105086863A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201510242879.5

申请日：2015-05-13

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 高本尚英 ,  花园博行 ,  福井章洋

IPC: C09J7/02 ,  C09J163/00 ,  C09J133/08 ,  C09J11/04 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明提供切割带一体型半导体背面用薄膜以及半导体装置的制造方法，所述切割带一体型半导体背面用薄膜能够抑制在切割带的粘合剂层上形成的倒装芯片型半导体背面用薄膜中含有的着色剂向切割带移动。一种切割带一体型半导体背面用薄膜，其特征在于，具备：具有基材和在基材上形成的粘合剂层的切割带、以及在切割带的粘合剂层上形成的倒装芯片型半导体背面用薄膜，倒装芯片型半导体背面用薄膜含有着色剂，着色剂在23℃下对甲苯的溶解度为2g/100ml以下。

公开(公告)号：CN112143405B

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202010558623.6

申请日：2020-06-18

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 福井章洋 ,  田中俊平 ,  田村彰规

IPC: C09J7/30 ,  C09J133/08 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明涉及切割带及切割芯片接合薄膜。本发明提供抑制浮起、并且拾取性优异的切割带等。本发明为切割带等，所述切割带具备：基材层、和层叠于该基材层的粘合剂层，前述粘合剂层含有具有聚合性不饱和键的紫外线固化型的聚合性聚合物，前述粘合剂层的紫外线固化的差示扫描量热测定中的每单位质量的发热量为19mJ/mg以上。

公开(公告)号：CN112011287B

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN202010453505.9

申请日：2020-05-26

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 田中俊平 ,  田村彰规 ,  福井章洋

IPC: C09J7/30 ,  C09J7/24 ,  C09J133/08 ,  C09J163/00 ,  C09J11/04 ,  C08F220/18 ,  C08F220/20 ,  C08F8/30 ,  H01L21/683 ,  B32B7/12 ,  B32B27/30 ,  B32B27/08 ,  B32B27/06

Abstract: 提供切割带及切割芯片接合薄膜。提供切割带等，所述切割带具备基材层、和与该基材层重叠的粘合剂层，前述粘合剂层包含丙烯酸类聚合物，前述丙烯酸类聚合物包含(甲基)丙烯酸C9～C11烷基酯的构成单元和含羟基(甲基)丙烯酸酯的构成单元，前述丙烯酸类聚合物包含前述(甲基)丙烯酸C9～C11烷基酯的构成单元40mol％以上且85mol％以下。

公开(公告)号：CN115368842A

公开(公告)日：2022-11-22

申请号：CN202210534982.7

申请日：2022-05-17

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 福井章洋 ,  杉村敏正 ,  角野雅俊 ,  大西谦司 ,  木村雄大

IPC: C09J7/30 ,  C09J133/08 ,  H01L21/683

Abstract: 提供切割芯片接合薄膜及半导体装置的制造方法。该切割芯片接合薄膜具备：切割带，其具有基材层及重叠于该基材层的粘合剂层；及重叠于该切割带的芯片接合片，该粘合剂层包含丙烯酸类共聚物，该丙烯酸类共聚物在分子中作为单体单元至少具有(甲基)丙烯酸烷基酯单元和含交联性基团的(甲基)丙烯酸酯单元，该丙烯酸类共聚物中，含交联性基团的(甲基)丙烯酸酯单元中的一部分具有自由基聚合性碳‑碳双键，丙烯酸类共聚物中，相对于该(甲基)丙烯酸烷基酯单元100摩尔份包含该含交联性基团的(甲基)丙烯酸酯单元30摩尔份以上且60摩尔份以下，含交联性基团的(甲基)丙烯酸酯单元中的50摩尔％以上且95摩尔％以下含有前述自由基聚合性碳‑碳双键。

公开(公告)号：CN108727999B

公开(公告)日：2022-07-12

申请号：CN201810339937.X

申请日：2018-04-16

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 木村雄大 ,  高本尚英 ,  大西谦司 ,  宍户雄一郎 ,  福井章洋 ,  大和道子 ,  井上真一

IPC: C09J7/24 ,  C09J133/08 ,  C09J161/06 ,  C09J11/04 ,  H01L21/683

Abstract: 提供一种切割芯片接合薄膜，其在为了得到带有粘接剂层的半导体芯片而使用切割芯片接合薄膜的扩展工序中可良好地割断切割带上的粘接剂层，并且对于割断后的带有粘接剂层的半导体芯片能够实现良好拾取。一种切割芯片接合薄膜，其包含：切割带，其具有包含基材和粘合剂层的层叠结构；和粘接剂层，其与前述切割带中的前述粘合剂层可剥离地密合，前述粘合剂层表面在温度23℃、频率100Hz的条件下利用纳米压痕法压入500nm时的弹性模量为0.1～20MPa。

公开(公告)号：CN108728000B

公开(公告)日：2022-07-08

申请号：CN201810345577.4

申请日：2018-04-17

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 木村雄大 ,  高本尚英 ,  大西谦司 ,  宍户雄一郎 ,  福井章洋 ,  大和道子 ,  井上真一

IPC: C09J7/24 ,  C09J7/30 ,  C09J7/38 ,  C09J133/20 ,  C09J175/04 ,  C09J11/04 ,  C09J11/06 ,  C08G18/62 ,  C08F220/18 ,  C08F220/20

Abstract: 本发明提供适合于实现带有粘接剂层的半导体芯片自切割带的良好的拾取的切割芯片接合薄膜。本发明的切割芯片接合薄膜(X)具备切割带(10)及粘接剂层(20)。切割带(10)具有包含基材(11)和粘合剂层(12)的层叠结构。粘接剂层(20)与粘合剂层(12)可剥离地密合。用于形成粘合剂层(12)与粘接剂层(20)的界面的、粘合剂层(12)的表面(12a)及粘接剂层(20)的表面(20b)能够产生3.5mJ/m2以上的表面自由能差。

公开(公告)号：CN113539926A

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN202110382887.5

申请日：2021-04-09

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 福井章洋 ,  大西谦司 ,  木村雄大 ,  田中俊平

IPC: H01L21/683 ,  C09J133/08 ,  C09J11/06

Abstract: 本发明的切割芯片接合薄膜具备：在基材层上层叠有粘合剂层的切割带、和在前述切割带的粘合剂层上层叠的芯片接合层，前述粘合剂层包含光聚合引发剂，在对固化前的前述粘合剂层进行GPC测定而得到的分子量分布曲线中，在最高分子量侧出现的峰的重均分子量Mw相对于在最高分子量侧出现的峰的数均分子量Mn的比、即多分散度Mw/Mn为1.3以上。

公开(公告)号：CN112011287A

公开(公告)日：2020-12-01

申请号：CN202010453505.9

申请日：2020-05-26

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 田中俊平 ,  田村彰规 ,  福井章洋

IPC: C09J7/30 ,  C09J7/24 ,  C09J133/08 ,  C09J163/00 ,  C09J11/04 ,  C08F220/18 ,  C08F220/20 ,  C08F8/30 ,  H01L21/683 ,  B32B7/12 ,  B32B27/30 ,  B32B27/08 ,  B32B27/06

Abstract: 提供切割带及切割芯片接合薄膜。提供切割带等，所述切割带具备基材层、和与该基材层重叠的粘合剂层，前述粘合剂层包含丙烯酸类聚合物，前述丙烯酸类聚合物包含(甲基)丙烯酸C9～C11烷基酯的构成单元和含羟基(甲基)丙烯酸酯的构成单元，前述丙烯酸类聚合物包含前述(甲基)丙烯酸C9～C11烷基酯的构成单元40mol％以上且85mol％以下。

公开(公告)号：CN111690350A

公开(公告)日：2020-09-22

申请号：CN202010174273.3

申请日：2020-03-13

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 木村雄大 ,  杉村敏正 ,  大西谦司 ,  宍户雄一郎 ,  福井章洋 ,  高本尚英

IPC: C09J133/08 ,  C09J133/20 ,  C09J11/04 ,  C09J7/20 ,  C09J7/24 ,  C09J7/30 ,  C09J133/04 ,  H01L21/683

Abstract: 提供带粘接薄膜的切割带，其适合于使紫外线固化性的切割带粘合剂层即使经过紫外线照射也确保环框保持力。本发明的带粘接薄膜的切割带(X)具有包含切割带(10)及粘接薄膜(20)的层叠结构。切割带(10)具有包含基材(11)和紫外线固化性的粘合剂层(12)的层叠结构。粘接薄膜(20)可剥离地密合于切割带(10)的粘合剂层(12)。切割带(10)在经过其粘合剂层(12)侧对SUS平面的贴合和之后对粘合剂层(12)的200mJ/cm2的紫外线照射之后在23℃、剥离角度180°及剥离速度300mm/分钟的条件的剥离试验中，对SUS平面显示出0.03～0.2N/20mm的剥离粘合力。

公开(公告)号：CN111662646A

公开(公告)日：2020-09-15

申请号：CN202010149735.6

申请日：2020-03-06

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 宍户雄一郎 ,  高本尚英 ,  大西谦司 ,  木村雄大 ,  杉村敏正 ,  福井章洋

IPC: C09J7/24 ,  C09J133/08 ,  C09J163/00 ,  C09J133/00 ,  C09J161/06 ,  C09J11/04 ,  H01L21/683 ,  H01L21/78

Abstract: [课题]提供：冷扩展工序中将切割带扩展时不易产生断裂的切割带、和带有粘接薄膜的切割带。[解决方案]本发明的切割带(10)具有包含基材(11)和粘合剂层(12)的层叠结构。本发明的带有粘接薄膜的切割带(X)具有包含切割带(10)和粘接薄膜(20)的层叠结构。粘接薄膜(20)以能剥离的方式与切割带(10)的粘合剂层(12)密合。粘合剂层(12)含有玻璃化转变温度为-43℃以下的基础聚合物。