公开(公告)号：CN103247758A

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：CN201310157318.6

申请日：2013-04-28

Applicant: 复旦大学

Inventor： 张群 ,  刘宝营

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明属于非易失性存储器件技术领域，具体为一种采用柔性纸基的可擦写薄膜阻变存储器存储单元。本发明以柔性可弯折的油墨彩印纸为基板，氧化锡薄膜作为阻变层，氧化钼薄膜作为氧存储层，具体结构组成依次为：油墨彩印纸基板，作为底电极的金属镍薄膜，氧化锡薄膜，氧化钼薄膜，作为顶电极的金属钼薄膜。本发明在低温条件下(~100℃)利用直流磁控溅射技术，在基板依次制备金属镍薄膜、氧化锡薄膜、氧化钼薄膜、金属钼薄膜。本发明制备的阻变存储单元具有良好的弯折耐久性等特性，在非易失性存储领域、柔性电子器件领域具有广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN102508319A

公开(公告)日：2012-06-20

申请号：CN201110304427.7

申请日：2011-10-10

Applicant: 复旦大学无锡研究院

Inventor： 陆起涌 ,  张群 ,  贾思强 ,  高翔

IPC: G01W1/02

CPC classification number: Y02A90/14

Abstract: 本发明属于无线控制和传感技术领域，具体为一种基于可移动无人机的农业环境监测系统。系统分为控制端和飞行端两部分。控制端包括GRPS、控制中心和显示中心；飞行端包括温度、湿度、CO2、光照等农作物生长的气象参数传感器，以及障碍物传感器、GPS模块、GPRS、微处理器等外围电路。控制端和飞行端通过GPRS进行远距离通信，从而实现对飞行端飞行和采集的控制，并将飞行端采集的农业作物环境信息以GIS地图的形式进行显示，实现对农业作物环境的实时智能监测。本发明可为农业生产的自动化和智能化提供高分辨率的气象和环境信息，以提供决策依据。

公开(公告)号：CN102260846A

公开(公告)日：2011-11-30

申请号：CN201110206115.2

申请日：2011-07-22

Applicant: 复旦大学

Inventor： 张群 ,  刘宝营

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/35

Abstract: 本发明属于非易失性电阻式存储器件技术领域，具体为一种多晶二氧化锡阻变薄膜及其制备方法与应用。本发明以玻璃为基板，用纯金属锡靶材，在一定温度条件下利用直流磁控溅射技术，制备多晶二氧化锡半导体阻变薄膜。采用直流磁控溅射法制备镍顶电极和铂钛底电极测试多晶二氧化锡阻变薄膜的阻变特性。多晶二氧化锡阻变薄膜的高低阻态之比大于100，直流扫描可擦写次数大于250次，高低阻态维持时间大于106秒。该多晶二氧化锡阻变薄膜可作为阻变存储器的阻变材料。本发明还涉及以多晶二氧化锡薄膜为阻变材料的阻变存储器。本发明在非易失性存储领域具有良好的应用前景。

公开(公告)号：CN100556837C

公开(公告)日：2009-11-04

申请号：CN200610118921.3

申请日：2006-11-30

Applicant: 复旦大学

Inventor： 王颖华 ,  张群 ,  李桂锋

IPC: C03C17/22

Abstract: 本发明是一种采用新型渠道火花烧蚀法(Channel Spark Ablation，CSA)制备p型掺锌硫化铜铝(CuAlS2:Zn)透明导电硫化物薄膜的方法。本发明以普通玻璃为基板，利用掺锌硫化铜铝化合物靶，在适当的氩气压、基板温度、脉冲电流和脉冲电压下，采用CSA方法制备CuAlS2:Zn薄膜。所制备的薄膜为p型半导体透明硫化物薄膜，同时具有高电导率、高透射率和高载流子迁移率等优良的光电特性。本发明方法获得的p型薄膜在透明电子学和新型光电器件领域具有广泛的应用前景。

公开(公告)号：CN100449816C

公开(公告)日：2009-01-07

申请号：CN200510027788.6

申请日：2005-07-15

Applicant: 复旦大学

Inventor： 张群 ,  李喜峰 ,  章壮健 ,  黄丽 ,  缪维娜

IPC: H01L51/10 ,  H01L51/40 ,  H01L21/283

Abstract: 本发明是一种高功函数铂钨共掺氧化铟(In2O3:Pt，W)/掺钨氧化铟(IWO)双层透明导电氧化物薄膜电极及其制备方法。本发明以普通玻璃为基板，利用掺钨金属铟镶嵌靶和铂+掺钨金属铟镶嵌靶，通过反应直流磁控溅射技术，在本发明的工作压强和氧分压、溅射电流和溅射电压的条件下制备具有高功函数透明氧化物In2O3:Pt，W/IWO薄膜电极。所制备的薄膜具有低电阻率、高透射率和高功函数等优良的光电特性。通过掺铂含量和In2O3:Pt，W层厚度调制透明导电氧化物薄膜的功函数。本发明获得的高功函数透明导电氧化物薄膜电极在新型有机光电器件领域具有良好的应用前景。

公开(公告)号：CN101308877A

公开(公告)日：2008-11-19

申请号：CN200810039602.2

申请日：2008-06-26

Applicant: 复旦大学

Inventor： 张群 ,  王颖华 ,  施展

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/267 ,  H01L21/329 ,  C23C14/06 ,  C23C14/08 ,  C23C14/54

Abstract: 本发明属于透明电子学领域，具体为一种透明半导体薄膜二极管及其制备方法。本发明以p型掺锌硫化铜铝(CuAlS2:Zn)透明半导体薄膜和n型掺钨氧化铟(In2O3:W)透明导电薄膜相结合，构成CuAlS2:Zn－In2O3:W透明半导体薄膜二极管。本发明以普通玻璃为基板，首先利用脉冲等离子体沉积镀膜法生长一层p型导电CuAlS2:Zn薄膜，然后在室温条件下利用反应直流磁控溅射法在CuAlS2:Zn薄膜上制备一层n型导电In2O3:W薄膜。所制备的薄膜二极管显示出良好的二极管整流特性，且透明性良好，构成了一种新型的异质结透明半导体薄膜二极管。本发明获得的透明半导体薄膜二极管在新型光电子器件领域具有较好的应用前景。

公开(公告)号：CN101262016A

公开(公告)日：2008-09-10

申请号：CN200810036559.4

申请日：2008-04-24

Applicant: 复旦大学

Inventor： 张群 ,  施展 ,  杨铭 ,  王颖华

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/18 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  C23C14/54

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明属于透明导电氧化物薄膜技术领域，具体为一种P型导电透明掺镍氧化铜薄膜及其制备方法。本发明以普通玻璃为基板，利用掺镍氧化铜(Cu1－xNixO)陶瓷靶，在基板温度为室温的条件下通过脉冲等离子体沉积技术(Pulsed Plasma Deposition，PPD)，在适当的氧气压、脉冲电流和脉冲电压的条件下制备获得具有非晶结构的P型导电透明Cu1－xNixO薄膜。所制备的薄膜具有高电导率、可见光范围内高透射率等优良的光电特性。本发明方法获得的P型导电透明氧化物薄膜在透明电子学和新型光电器件领域具有较好的应用前景。

公开(公告)号：CN101101931A

公开(公告)日：2008-01-09

申请号：CN200710044240.1

申请日：2007-07-26

Applicant: 复旦大学

Inventor： 张群 ,  李桂锋 ,  李喜峰

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18 ,  H01L33/00 ,  H01L21/203 ,  C23C14/35 ,  C23C14/54 ,  C23C14/06 ,  H01B1/08 ,  H01B13/00

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明属于透明导电薄膜技术领域，具体为近红外高透射率非晶透明导电氧化物薄膜及其制备方法。所述导电氧化物薄膜为掺杂氧化铟In2O3:M(M＝Mo，W)。本发明以普通玻璃为基板，利用铟金属掺钼或钨的镶嵌靶，在基板温度为室温的条件下采用反应直流磁控溅射技术，在适当的溅射压强、氧分压、溅射电流和溅射电压的条件下制备获得具有非晶结构的In2O3:M薄膜。所制备的薄膜具有低电阻率、相对高的载流子迁移率、可见光范围高透射率、特别是近红外范围高透射率等优良的光电特性。本发明方法获得的薄膜在柔性太阳能电池领域和近红外传感器等领域具有良好的应用前景。

公开(公告)号：CN110098260A

公开(公告)日：2019-08-06

申请号：CN201910287859.8

申请日：2019-04-11

Applicant: 复旦大学

Inventor： 任锦华 ,  张群 ,  沈杰 ,  李凯文 ,  黄瑜婷 ,  盛楚明

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/34

Abstract: 本发明涉及一种宽禁带TmSnO半导体薄膜晶体管的制备方法，半导体薄膜晶体管制备方法包括以下步骤：提供一带有二氧化硅介质层的硅衬底，采用磁控溅射法在其上依次制备稀土元素Tm掺杂SnO2有源层，以及ITO透明导电薄膜源漏电极。本发明采用物理方法将稀土Tm元素掺杂进SnO2薄膜中，有效地抑制了SnO2半导体的氧空位，制备得到的TmSnO薄膜的禁带宽度大于3.8 eV。将制备得到的TmSnO薄膜应用于晶体管，得到的场效应薄膜晶体管具有优良的综合性能，优化的场效应迁移率大于5.0 cm2V-1s-1，开关比大于107，阈值电压大于-3 V，亚阈值摆幅小于0.7 Vdec-1，具有一定的产业应用前景。

公开(公告)号：CN108336146A

公开(公告)日：2018-07-27

申请号：CN201810133252.X

申请日：2018-02-09

Applicant: 复旦大学

Inventor： 任锦华 ,  张群 ,  李喜峰 ,  杨建文 ,  林东 ,  李凯文

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/34

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/66969

Abstract: 本发明属于薄膜晶体管制备技术领域，具体为一种基于Al2O3高k介质层的GaxSn1-xO薄膜晶体管及其制备方法。本发明采用溶液法在硅基片上制备Al2O3高k介质层和GaxSn1-xO沟道层，源漏电极采用ITO或Al电极，形成具有一定电学功能的底栅结构型TFT器件。本发明将传统的溶液制备Al2O3介质层技术和无铟GaxSn1-xO双金属氧化物沟道有机结合，实现了高性能的场效应TFT器件，最佳的性能参数为场效应迁移率76.3 cm2V-1s-1，饱和迁移率71.6 cm2V-1s-1，开关比1.8×107，阈值电压0.67V，亚阈值摆幅76mVdec-1。