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公开(公告)号：CN101262016B
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN200810036559.4
申请日：2008-04-24
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18 , C23C14/08 , C23C14/34 , C23C14/54
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明属于透明导电氧化物薄膜技术领域，具体为一种P型导电透明掺镍氧化铜薄膜及其制备方法。本发明以普通玻璃为基板，利用掺镍氧化铜(Cu1-xNixO)陶瓷靶，在基板温度为室温的条件下通过脉冲等离子体沉积技术(Pulsed Plasma Deposition，PPD)，在适当的氧气压、脉冲电流和脉冲电压的条件下制备获得具有非晶结构的P型导电透明Cu1-xNixO薄膜。所制备的薄膜具有高电导率、可见光范围内高透射率等优良的光电特性。本发明方法获得的P型导电透明氧化物薄膜在透明电子学和新型光电器件领域具有较好的应用前景。
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公开(公告)号：CN101079382A
公开(公告)日：2007-11-28
申请号：CN200710041159.8
申请日：2007-05-24
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/363 , H01L31/18 , C23C14/35 , C23C14/08
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明属于透明导电薄膜技术领域，具体为近红外高透射率多晶透明导电氧化物薄膜及其制备方法。所述导电氧化物薄膜为掺杂氧化铟In2O3:M(M＝W，Mo)。本发明以普通玻璃为基板，利用铟金属掺钨或钼的镶嵌靶，在基板温度为300－350℃条件下通过反应直流磁控溅射技术，在适当的溅射压强、氧分压、溅射电流和溅射电压的条件下制备获得具有多晶结构的In2O3:M薄膜。所制备的薄膜具有低电阻率、高载流子迁移率、可见光范围高透射率、特别是近红外范围(700－2500nm)高透射率等优良的光电特性。本发明方法获得的薄膜在太阳能电池领域具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN102110492A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN200910200573.8
申请日：2009-12-23
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于透明电子学研究领域，具体涉及一种p型导电透明掺铜氧化镍薄膜及其制备方法。本发明提供了一种p型导电透明氧化物半导体薄膜，该薄膜是化学配比为Ni1-xCuxO的掺铜氧化镍薄膜，0＜x≤0.3。本发明以普通玻璃为基板，利用Ni1-xCuxO的陶瓷靶，通过脉冲等离子体沉积技术，在适当的基板温度、氧气压、脉冲电流和脉冲电压的条件下制备获得。所制备的薄膜具有高电导率、可见光范围内高透射率等优良的光电性能。同时，其制备方法具有操作简便，设备价格相对低廉的优越性。因此，本发明所获得的新型薄膜材料及制备方法，在半导体光电子领域具有一定的应用潜力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100477133C
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200710041159.8
申请日：2007-05-24
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/363 , H01L31/18 , C23C14/35 , C23C14/08
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明属于透明导电薄膜技术领域，具体为近红外高透射率多晶透明导电氧化物薄膜及其制备方法。所述导电氧化物薄膜为掺杂氧化铟In2O3:M(M＝W，Mo)。本发明以普通玻璃为基板，利用铟金属掺钨或钼的镶嵌靶，在基板温度为300-350℃条件下通过反应直流磁控溅射技术，在适当的溅射压强、氧分压、溅射电流和溅射电压的条件下制备获得具有多晶结构的In2O3:M薄膜。所制备的薄膜具有低电阻率、高载流子迁移率、可见光范围高透射率、特别是近红外范围(700-2500nm)高透射率等优良的光电特性。本发明方法获得的薄膜在太阳能电池领域具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN120011598A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202411994903.6
申请日：2024-12-31
Applicant: 复旦大学
IPC: G06F16/901 , G06F16/903
Abstract: 本发明涉及一种基于划分的多区穿越向量近似检索方法和系统，方法包括：获取待搜索的数据集，对数据集以采样比λ采样一部分向量作为路由向量，对数据集中未被采样的向量随机划分为m个分区，将路由向量作为各个分区的共享向量；对m个分区分别构建稀疏近似近邻图；接收查询信息，以第一候选集队列长度进行第一阶段搜索，逼近到查询信息附近的区域；在逼近的区域中以第二候选集队列长度进行第二阶段搜索，若搜索过程中扩展到路由向量，则将该路由向量在所有分区中的副本加入到候选集队列中，进行跨分区的动态搜索。与现有技术相比，本发明在各类图算法的测试中，几乎在所有精度要求下均能实现1.5倍至2倍的查询效率提升。
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公开(公告)号：CN101262016A
公开(公告)日：2008-09-10
申请号：CN200810036559.4
申请日：2008-04-24
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18 , C23C14/08 , C23C14/34 , C23C14/54
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明属于透明导电氧化物薄膜技术领域，具体为一种P型导电透明掺镍氧化铜薄膜及其制备方法。本发明以普通玻璃为基板，利用掺镍氧化铜(Cu1－xNixO)陶瓷靶，在基板温度为室温的条件下通过脉冲等离子体沉积技术(Pulsed Plasma Deposition，PPD)，在适当的氧气压、脉冲电流和脉冲电压的条件下制备获得具有非晶结构的P型导电透明Cu1－xNixO薄膜。所制备的薄膜具有高电导率、可见光范围内高透射率等优良的光电特性。本发明方法获得的P型导电透明氧化物薄膜在透明电子学和新型光电器件领域具有较好的应用前景。
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公开(公告)号：CN101260507B
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN200810036561.1
申请日：2008-04-24
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于半导体氧化物材料领域，具体为一种p型半导体掺镍氧化铜(Cu1-xNixO)靶材及其制备方法。本发明将氧化铜粉末和氧化镍粉末均匀混合，采用粉末压片机干压成型，用氮气作为保护气体，在管式电阻炉中烧结成致密的块体靶材。所制备的靶材具有p型导电的特征。该发明制作工艺简单、经济，制成的靶材成分均匀，性能稳定。本发明方法获得的靶材在磁控溅射技术和脉冲等离子体沉积技术等制备光电性能优良的p型导电透明掺镍氧化铜薄膜领域具有应用价值。
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公开(公告)号：CN101260507A
公开(公告)日：2008-09-10
申请号：CN200810036561.1
申请日：2008-04-24
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于半导体氧化物材料领域，具体为一种P型半导体掺镍氧化铜(Cu1－xNixO)靶材及其制备方法。本发明将氧化铜粉末和氧化镍粉末均匀混合，采用粉末压片机干压成型，用氮气作为保护气体，在管式电阻炉中烧结成致密的块体靶材。所制备的靶材具有p型导电的特征。该发明制作工艺简单、经济，制成的靶材成分均匀，性能稳定。本发明方法获得的靶材在磁控溅射技术和脉冲等离子体沉积技术等制备光电性能优良的p型导电透明掺镍氧化铜薄膜领域具有应用价值。
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