-
公开(公告)号：CN110098260A
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201910287859.8
申请日：2019-04-11
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/786 , H01L21/34
Abstract: 本发明涉及一种宽禁带TmSnO半导体薄膜晶体管的制备方法，半导体薄膜晶体管制备方法包括以下步骤：提供一带有二氧化硅介质层的硅衬底，采用磁控溅射法在其上依次制备稀土元素Tm掺杂SnO2有源层，以及ITO透明导电薄膜源漏电极。本发明采用物理方法将稀土Tm元素掺杂进SnO2薄膜中，有效地抑制了SnO2半导体的氧空位，制备得到的TmSnO薄膜的禁带宽度大于3.8 eV。将制备得到的TmSnO薄膜应用于晶体管，得到的场效应薄膜晶体管具有优良的综合性能，优化的场效应迁移率大于5.0 cm2V-1s-1，开关比大于107，阈值电压大于-3 V，亚阈值摆幅小于0.7 Vdec-1，具有一定的产业应用前景。
Search Results
1
records
(took 0.012 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
