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公开(公告)号：CN102110492A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN200910200573.8
申请日：2009-12-23
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于透明电子学研究领域，具体涉及一种p型导电透明掺铜氧化镍薄膜及其制备方法。本发明提供了一种p型导电透明氧化物半导体薄膜，该薄膜是化学配比为Ni1-xCuxO的掺铜氧化镍薄膜，0＜x≤0.3。本发明以普通玻璃为基板，利用Ni1-xCuxO的陶瓷靶，通过脉冲等离子体沉积技术，在适当的基板温度、氧气压、脉冲电流和脉冲电压的条件下制备获得。所制备的薄膜具有高电导率、可见光范围内高透射率等优良的光电性能。同时，其制备方法具有操作简便，设备价格相对低廉的优越性。因此，本发明所获得的新型薄膜材料及制备方法，在半导体光电子领域具有一定的应用潜力。
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公开(公告)号：CN115340446B
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202110518853.4
申请日：2021-05-12
IPC: C07C35/27 , C07C35/37 , C07C35/52 , C07C29/143 , C07C29/76 , C07F7/08 , C07C41/26 , C07C41/36 , C07C43/23
Abstract: 本发明公开了一种手性苯并环丁烯醇、其合成方法及用途，该方法是以带有取代基的苯并环丁烯酮1为原料，在钌催化剂、氢供体的共同作用下，进行不对称还原，制备具有手性中心的苯并环丁烯醇化合物，反应方程式如下：#imgabs0#其中，R1为取代或未取代的C1‑C20的烃基、苯基、芳基或杂环基，取代基选自碳‑碳双键、碳‑碳三键、酯基、羟基、酰基、酰氧基、酰胺基、卤素、羧基、氰基；所述芳基包含邻、间、对位带有吸电子或给电子取代的苯基，所述吸电子取代基包括卤素、硝基、酯基、羧基、酰基、酰胺基、氰基，所述给电子取代基包括烷基、烯基、苯基、烃氧基、羟基、氨基。本发明反应条件温和，操作简单；底物普适性广；产物具有高对映选择性，且易分离纯化。
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公开(公告)号：CN101308877A
公开(公告)日：2008-11-19
申请号：CN200810039602.2
申请日：2008-06-26
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/861 , H01L29/267 , H01L21/329 , C23C14/06 , C23C14/08 , C23C14/54
Abstract: 本发明属于透明电子学领域，具体为一种透明半导体薄膜二极管及其制备方法。本发明以p型掺锌硫化铜铝(CuAlS2:Zn)透明半导体薄膜和n型掺钨氧化铟(In2O3:W)透明导电薄膜相结合，构成CuAlS2:Zn－In2O3:W透明半导体薄膜二极管。本发明以普通玻璃为基板，首先利用脉冲等离子体沉积镀膜法生长一层p型导电CuAlS2:Zn薄膜，然后在室温条件下利用反应直流磁控溅射法在CuAlS2:Zn薄膜上制备一层n型导电In2O3:W薄膜。所制备的薄膜二极管显示出良好的二极管整流特性，且透明性良好，构成了一种新型的异质结透明半导体薄膜二极管。本发明获得的透明半导体薄膜二极管在新型光电子器件领域具有较好的应用前景。
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公开(公告)号：CN101262016A
公开(公告)日：2008-09-10
申请号：CN200810036559.4
申请日：2008-04-24
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18 , C23C14/08 , C23C14/34 , C23C14/54
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明属于透明导电氧化物薄膜技术领域，具体为一种P型导电透明掺镍氧化铜薄膜及其制备方法。本发明以普通玻璃为基板，利用掺镍氧化铜(Cu1－xNixO)陶瓷靶，在基板温度为室温的条件下通过脉冲等离子体沉积技术(Pulsed Plasma Deposition，PPD)，在适当的氧气压、脉冲电流和脉冲电压的条件下制备获得具有非晶结构的P型导电透明Cu1－xNixO薄膜。所制备的薄膜具有高电导率、可见光范围内高透射率等优良的光电特性。本发明方法获得的P型导电透明氧化物薄膜在透明电子学和新型光电器件领域具有较好的应用前景。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN101262016B
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN200810036559.4
申请日：2008-04-24
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18 , C23C14/08 , C23C14/34 , C23C14/54
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明属于透明导电氧化物薄膜技术领域，具体为一种P型导电透明掺镍氧化铜薄膜及其制备方法。本发明以普通玻璃为基板，利用掺镍氧化铜(Cu1-xNixO)陶瓷靶，在基板温度为室温的条件下通过脉冲等离子体沉积技术(Pulsed Plasma Deposition，PPD)，在适当的氧气压、脉冲电流和脉冲电压的条件下制备获得具有非晶结构的P型导电透明Cu1-xNixO薄膜。所制备的薄膜具有高电导率、可见光范围内高透射率等优良的光电特性。本发明方法获得的P型导电透明氧化物薄膜在透明电子学和新型光电器件领域具有较好的应用前景。
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公开(公告)号：CN115340441B
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202110519867.8
申请日：2021-05-12
IPC: C07C29/143 , C07C29/76 , C07C35/04 , C07C35/21 , C07C35/37 , C07C35/48 , C07C35/50 , C07C41/26 , C07C41/36 , C07C43/178 , C07C303/40 , C07C303/44 , C07C311/17 , C07D209/52 , C07F7/08
Abstract: 本发明公开了一种手性环丁醇化合物的合成方法、手性环丁醇及用途，该合成方法是在CBS催化剂，还原剂作用下，带有不同取代基的环丁酮在发生不对称还原，生成具有手性中心的环丁醇化合物；手性环丁醇在铱催化剂，硅氢试剂，菲啰啉配体，氢受体存在下发生甲基C‑H键活化，生成具有季碳手性中心的环丁醇衍生物。本发明原料和试剂简单易得，制备方便；反应条件温和，操作简单；底物普适性广；官能团兼容性好；产物具有高对映选择性(90％ee～＞99％ee)，易分离纯化。
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公开(公告)号：CN115340446A
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202110518853.4
申请日：2021-05-12
IPC: C07C35/27 , C07C35/37 , C07C35/52 , C07C29/143 , C07C29/76 , C07F7/08 , C07C41/26 , C07C41/36 , C07C43/23
Abstract: 本发明公开了一种手性苯并环丁烯醇、其合成方法及用途，该方法是以带有取代基的苯并环丁烯酮1为原料，在钌催化剂、氢供体的共同作用下，进行不对称还原，制备具有手性中心的苯并环丁烯醇化合物，反应方程式如下：其中，R1为取代或未取代的C1‑C20的烃基、苯基、芳基或杂环基，取代基选自碳‑碳双键、碳‑碳三键、酯基、羟基、酰基、酰氧基、酰胺基、卤素、羧基、氰基；所述芳基包含邻、间、对位带有吸电子或给电子取代的苯基，所述吸电子取代基包括卤素、硝基、酯基、羧基、酰基、酰胺基、氰基，所述给电子取代基包括烷基、烯基、苯基、烃氧基、羟基、氨基。本发明反应条件温和，操作简单；底物普适性广；产物具有高对映选择性，且易分离纯化。
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公开(公告)号：CN115340441A
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202110519867.8
申请日：2021-05-12
IPC: C07C29/143 , C07C29/76 , C07C35/04 , C07C35/21 , C07C35/37 , C07C35/48 , C07C35/50 , C07C41/26 , C07C41/36 , C07C43/178 , C07C303/40 , C07C303/44 , C07C311/17 , C07D209/52 , C07F7/08
Abstract: 本发明公开了一种手性环丁醇化合物的合成方法、手性环丁醇及用途，该合成方法是在CBS催化剂，还原剂作用下，带有不同取代基的环丁酮在发生不对称还原，生成具有手性中心的环丁醇化合物；手性环丁醇在铱催化剂，硅氢试剂，菲啰啉配体，氢受体存在下发生甲基C‑H键活化，生成具有季碳手性中心的环丁醇衍生物。本发明原料和试剂简单易得，制备方便；反应条件温和，操作简单；底物普适性广；官能团兼容性好；产物具有高对映选择性(90％ee～＞99％ee)，易分离纯化。
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