公开(公告)号：CN102945801B

公开(公告)日：2015-10-28

申请号：CN201210476623.7

申请日：2012-11-22

Applicant: 复旦大学

Inventor： 张有为 ,  仇志军 ,  陆冰睿 ,  陈国平 ,  刘冉

IPC: H01L21/283

Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种石墨烯金属氧化物栅介质的集成方法。本发明首先利用金属醇盐水解机理，采用浸渍或旋覆工艺在石墨烯表面生成一层超薄金属氢氧化物薄膜；以该超薄金属氢氧化物薄膜作为成核层，采用常规原子层沉积工艺在所述石墨烯表面制备出均匀、高质量高k栅介质薄膜。本发明通过金属醇盐水解引入的金属氢氧化物薄膜，金属醇盐水解过程不会破坏石墨烯晶体结构，同时金属氢氧化物薄膜在后续原子层沉积工艺中能够逐渐脱水形成介电常数更高的金属氧化物薄膜，不会降低总体栅介质层的性能，这些都有利于提高由所述石墨烯制备的产品（例如石墨烯基场效应晶体管）的器件性能。

公开(公告)号：CN102945801A

公开(公告)日：2013-02-27

申请号：CN201210476623.7

申请日：2012-11-22

Applicant: 复旦大学

Inventor： 张有为 ,  仇志军 ,  陆冰睿 ,  陈国平 ,  刘冉

IPC: H01L21/283

Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种石墨烯金属氧化物栅介质的集成方法。本发明首先利用金属醇盐水解机理，采用浸渍或旋覆工艺在石墨烯表面生成一层超薄金属氢氧化物薄膜；以该超薄金属氢氧化物薄膜作为成核层，采用常规原子层沉积工艺在所述石墨烯表面制备出均匀、高质量高k栅介质薄膜。本发明通过金属醇盐水解引入的金属氢氧化物薄膜，金属醇盐水解过程不会破坏石墨烯晶体结构，同时金属氢氧化物薄膜在后续原子层沉积工艺中能够逐渐脱水形成介电常数更高的金属氧化物薄膜，不会降低总体栅介质层的性能，这些都有利于提高由所述石墨烯制备的产品（例如石墨烯基场效应晶体管）的器件性能。

公开(公告)号：CN101618852A

公开(公告)日：2010-01-06

申请号：CN200910056142.9

申请日：2009-08-07

Applicant: 复旦大学

Inventor： 邓少任 ,  屈新萍 ,  陈韬 ,  刘书一 ,  万景 ,  陆冰睿

IPC: B82B3/00

Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体为一种基于纳米压印技术的图形化生长氧化锌纳米棒阵列的方法。本发明首先利用纳米压印技术在透明衬底上制作出图形化的金属和氧化锌籽晶层构成的双层结构，然后旋涂紫外负光刻胶并利用背光刻技术做出纳米孔洞，然后运用水热法生长出受纳米孔洞限制而垂直生长的氧化锌纳米棒。与常用的利用阳极氧化铝模板和光刻方法生长图形化氧化锌纳米棒的方法相比，本发明方法制备的氧化锌纳米棒阵列具有图形可控性好，分辨率高，大面积均匀性佳等优点。

公开(公告)号：CN101181836A

公开(公告)日：2008-05-21

申请号：CN200710172171.2

申请日：2007-12-13

Applicant: 复旦大学

Inventor： 万景 ,  屈新萍 ,  谢申奇 ,  陆冰睿 ,  疏珍 ,  刘冉 ,  陈宜方

IPC: B41C3/00 ,  B41C1/02

Abstract: 本发明属于纳米压印技术领域，具体为一种复制纳米压印用模板的方法。本发明采用三层结构压印板的压印方法，压印板上层为SU8胶，经过压印之后SU8可以作为刻蚀掩模对中间层进行选择性刻蚀，中间层采用的是一种对下层具有很强刻蚀选择比的物质，下层采用的是一种易于被氧气反应离子刻蚀去除的且容易进行剥离的胶如PMMA。经过刻蚀，淀积金属以及剥离后，衬底上就有了一层有图形的金属层。以此金属层为掩模对衬底进行反应离子深刻蚀，去除掉残余的金属后即得到复制的模板，本发明方法速度快，成本低，图形转移质量好。