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公开(公告)号：CN101923890B
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN200910052912.2
申请日：2009-06-11
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C11/401
Abstract: 本发明属于嵌入式动态随机存储器(eDRM)技术领域，具体为一种用于可编程逻辑器件的增益单元eDRAM。本发明提供的增益单元eDRAM在存储节点和开关管的栅极之间增加一个隔离MOS管。加入隔离MOS管后，存储节点的电位产生波动并不会直接传输至开关管的栅极。因此，本发明的增益单元eDRAM所控制的可编程逻辑器件的开关管的状态稳定，不受增益单元eDRAM的刷新操作影响。
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公开(公告)号：CN101359502B
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN200810040931.9
申请日：2008-07-24
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种新型的高密度多值相变存储器的存储方案。具体针对相变存储器中存在的、工艺波动下的高可靠性存储与高密度存储之间的矛盾，提出了全新的“以比值为导向”的存储状态定义方法。以此方法为向导，在充分利用相变电阻自身提供的多值编写能力的基础上，继承2T2R结构的固有优点，加上外围灵敏放大器与边界数设定的合理结合，成功的实现了小尺寸下，面临严重的工艺波动时，相变存储器的高可靠性存储与高密度存储，提高了相变存储器在未来小尺寸环境下的竞争力。
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公开(公告)号：CN101923890A
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN200910052912.2
申请日：2009-06-11
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C11/401
Abstract: 本发明属于嵌入式动态随机存储器(eDRM)技术领域，具体为一种用于可编程逻辑器件的增益单元eDRAM。本发明提供的增益单元eDRAM在存储节点和开关管的栅极之间增加一个隔离MOS管。加入隔离MOS管后，存储节点的电位产生波动并不会直接传输至开关管的栅极。因此，本发明的增益单元eDRAM所控制的可编程逻辑器件的开关管的状态稳定，不受增益单元eDRAM的刷新操作影响。
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公开(公告)号：CN101359502A
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200810040931.9
申请日：2008-07-24
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种新型的高密度多值相变存储器的存储方案。具体针对相变存储器中存在的、工艺波动下的高可靠性存储与高密度存储之间的矛盾，提出了全新的“以比值为导向”的存储状态定义方法。以此方法为向导，在充分利用相变电阻自身提供的多值编写能力的基础上，继承2T2R结构的固有优点，加上外围灵敏放大器与边界数设定的合理结合，成功的实现了小尺寸下，面临严重的工艺波动时，相变存储器的高可靠性存储与高密度存储，提高了相变存储器在未来小尺寸环境下的竞争力。
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公开(公告)号：CN101339805A
公开(公告)日：2009-01-07
申请号：CN200810040933.8
申请日：2008-07-24
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体为一种高读取速度、低操作干扰的相变电阻存储单元结构存储器及其存储操作方法，其特征在于包括：数条字线，数条位线，以及数个存储单元，每个存储单元位于一条字线与两条位线的各个交叉区。每个存储单元包括两个相变存储单元和两个选通器件。两个相变存储单元通过各自的选通管的控制端与不同的位线相连，共用同一根字线。其优点在于可以实现高读取速度的应用，并可防止存储操作时产生对选中单元的误读操作。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112748901B
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN201911063067.9
申请日：2019-10-31
IPC: G06F7/58
Abstract: 本申请公开了一种随机数生成装置和方法，涉及硬件加密领域，用于稳定地产生随机数。随机数生成装置，包括：第一物理不可克隆函数PUF计算模块，包括第一阻变式随机存取存储器RRAM器件和第二RRAM器件，第一RRAM器件和第二RRAM器件的初始状态为高阻态；自适应分离电路，分别连接第一RRAM器件和第二RRAM器件，并用于向第一RRAM器件和第二RRAM器件施加写电压，以及，当检测到第一RRAM器件从高阻态切换到低阻态时，停止向第一RRAM器件和第二RRAM器件施加写电压；读电路，分别连接第一RRAM器件和第二RRAM器件，并用于根据第一RRAM器件的低阻态以及第二RRAM器件的阻态的差值获得第一随机数，其中，第二RRAM器件的阻态高于第一RRAM器件的低阻态。
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公开(公告)号：CN114638286B
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202210183074.8
申请日：2022-02-28
Applicant: 复旦大学
IPC: G06V10/764 , G06V10/772 , G06V10/82 , G06N3/049
Abstract: 本发明属于类脑技术领域，具体为一种基于脉冲神经网络的视觉通道编码方法。本发明方法包括：采用线性延时时域编码，将数据点强度值近似线性地映射到仿真时间窗口内，其中，信息以脉冲发放时刻为载体，在脉冲神经网络中传递。以处理图像分类任务为例，图像像素点强度值越高，脉冲发放时刻越早，且每个输入像素点在一个仿真时间窗口内产生且仅产生一个脉冲。本发明可提高特征值高的数据的区分度，提高编码准确率；在不损失有效信息的条件下降低时间窗口长度，减小系统延时，可低功耗运行；脉冲发放时间与信息强度呈负相关关系，符合生物体神经冲动发放规律，具备生物学可解释性。
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公开(公告)号：CN114596907A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202210183075.2
申请日：2022-02-28
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于存储器技术领域，具体为一种可用于训练的忆阻器阵列系统。本发明系统包括：WL与BL寄存器，输入驱动，用于存储数据信息的忆阻器阵列，将忆阻器阵列输出的模拟信号转换为数字信号模数转换器，用于对ADC输出的数字信号进行处理的移位加法器。忆阻器双向读取方法，包括：（1）正向读取，固定SL为高压，通过BL所加电压来选中存储单元，对应于正向传播计算过程；（2）反向读取，改变存储单元两端所加电压，固定BL为高压，通过SL所加电压来选中存储单元。本发明在完全不改变和增加阵列单元结构的前提下，完全不降低阻变存储单元的双向读取速度和裕度，极大地降低忆阻器读操作耗时，实现双向读操作。
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公开(公告)号：CN112420096A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202011312327.4
申请日：2020-11-20
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C11/16
Abstract: 本发明属于存储器技术领域，具体为一种无需MOS管的自旋轨道矩磁性随机存储器。本发明存储器存储单元包括：一个重金属导电层、一个磁阻元件、一组双向二极管和一个二极管；磁阻元件为三层结构，分别是磁化方向固定的磁性材料层、非磁性材料层、磁化方向可变的磁性材料层；双向二极管由一组二极管并联反接组成，用于抑制写入通路上的双向潜行电流；二极管用于抑制读取通路上的潜行电流。本发明的自旋轨道矩磁性随机存储器省去了传统方案中控制读写操作的两个MOS管，有效减小自旋轨道矩磁性随机存储器的面积代价，简化其控制逻辑。另外，由于存储单元电路仅由磁性隧道结与二极管组成，它还适合于3D集成，符合后摩尔定律时代的技术发展趋势。
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公开(公告)号：CN112420095A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202011312320.2
申请日：2020-11-20
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C11/16
Abstract: 本发明属于存储器技术领域，具体为一种基于重金属层磁性隧道结对的自旋轨道矩磁性随机存储器。本发明的随机存储器，其存储单元包括：一个重金属导电层、两个磁阻元件和三个开关元件；所述的两个磁阻元件第一层是磁化方向固定的磁性材料层，第二层是非磁性材料层，第三层是磁化方向可变的磁性材料层，这两个磁阻元件均邻接到同一重金属导电层上，组成差分结构。本发明的自旋轨道矩磁性随机存储器，利用一组共用重金属层的互补磁性隧道结构建自旋轨道矩磁性随机存储器的存储单元，差分结构提高其读取裕度，重金属层的共用使面积代价减小，也使写入控制逻辑更为简单。
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