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公开(公告)号：CN115276611A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210871494.5
申请日：2022-07-23
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于半导体和集成电路技术领域，具体为一种容双节点翻转的高可靠锁存器；其具有低成本高可靠的特性，核心是一种交叉耦合的施密特触发器结构，在其上额外整合了四个高阈值晶体管，以减轻瞬态电压变化对相邻晶体管的影响，达到DNU容错的目的，可广泛应用于对可靠性要求较高的各个领域。本发明相较于现有技术的优点在于：通过交叉耦合的施密特触发器及四个高阈值晶体管，不但能够实现对双节点翻转的有效容忍，而且能够实现对单节点翻转的有效容忍，并且其功耗延迟积低。
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公开(公告)号：CN104506194B
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201410753991.0
申请日：2014-12-11
Applicant: 复旦大学
IPC: H03M1/36
Abstract: 本发明属于列并行架构模数转换器技术领域，具体为一个用于列并行架构两步式模数转换器的共享型有源斜坡转换电路。本发明的共享型有源斜坡转换电路包括有源开关电容模块和无源开关电容模块两部分。有源开关电容模块由一个运算放大器、一个的采样电容、一个寄生平衡电容和六个开关组成，其工作状态与待测信号无关；无源开关电容模块由一个采样电容、一个寄生平衡电容和一个开关组成，其工作状态决定于待测信号。当共享型有源斜坡转换电路应用于列并行架构时，一个有源开关电容模块被列并行的无源开关电容模块所共享。本发明能够有效减小列并行架构两步式模数转换器的功耗和面积。
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公开(公告)号：CN104575588B
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201410743411.X
申请日：2014-12-09
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C11/413
Abstract: 本发明属于集成电路存储器技术领域，具体为一种双胞胎存储单元。其单元电路包括一对结构完全相同的非对称的6管存储单元和一个共享的读晶体管；这对6管存储单元拥有不同的字线，共享一对位线和一个虚拟地结点；每个6管存储单元包含一对交叉耦合的反相器和两个传输NMOS管。保持状态下，所有字线WL与写字线WWL为低，读字线RWL为高，位线对BL和BLB为高；当进行写操作时，一个6管存储单元的字线WL与写字线WWL开启，读字线RWL保持为高，数据从位线BL和BLB写入存储单元；进行读操作时，一个6管存储单元的字线WL为高，写字线WWL和读字线RWL为低，数据通过动态的方式读出到位线BL上。本发明具有较高的读、写稳定性，并能在亚阈值电压下工作。
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公开(公告)号：CN104409093B
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201410742432.X
申请日：2014-12-09
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C11/413
Abstract: 本发明属于集成电路存储器技术领域，具体为一种抗单粒子反转的差分10管存储单元。其单元结构包括两对交叉耦合的PMOS对、两对交叉耦合的NMOS对及一对NMOS传输管，并且含有4个互锁的存储结点。其中，第一和第二个存储结点通过第一对交叉耦合的PMOS对互锁；第一和第三个存储结点通过第一对交叉耦合的NMOS对互锁；第二和第四个存储结点通过第二对交叉耦合的NMOS对互锁；第三和第四个存储结点通过第二对交叉耦合的PMOS对互锁；当存储单元受到单粒子事件干扰时，互锁的存储结点能够有效的抗击单粒子干扰，保护存储的数据不被反转。本发明和6管存储单元一样，有着同样的差分读、写操作方式，却消除了6管存储单元常发生的读破坏和半选择破坏。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103746694B
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201410014952.9
申请日：2014-01-14
Applicant: 复旦大学
IPC: H03M1/06
Abstract: 本发明属于半导体和集成电路技术领域，具体为一种应用于两步式积分型模数转换器的斜坡转换电路。本发明的斜坡转换电路包括一个运算放大器、一对的采样电容、一对寄生平衡电容和六个开关。在第一步高位模数转换时，输入斜坡信号直接输出，同时被运算放大器和第一个采样电容采样和保持；在第二步低位模数转换时，输入斜坡信号输入到运算放大器正输入端，运算放大器将其正输入端的电压变化以增益为一的方式传递到第二个采样电容的浮空极板，并在此与第一步的保持电压进行叠加，作为斜坡转换电路的输出。本发明可以有效消除该类型模数转换器电压变化的传递过程中由寄生电容引起的增益误差，提高精度和速度。
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公开(公告)号：CN104575588A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410743411.X
申请日：2014-12-09
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C11/413
Abstract: 本发明属于集成电路存储器技术领域，具体为一种双胞胎存储单元。其单元电路包括一对结构完全相同的非对称的6管存储单元和一个共享的读晶体管；这对6管存储单元拥有不同的字线，共享一对位线和一个虚拟地结点；每个6管存储单元包含一对交叉耦合的反相器和两个传输NMOS管。保持状态下，所有字线WL与写字线WWL为低，读字线RWL为高，位线对BL和BLB为高；当进行写操作时，一个6管存储单元的字线WL与写字线WWL开启，读字线RWL保持为高，数据从位线BL和BLB写入存储单元；进行读操作时，一个6管存储单元的字线WL为高，写字线WWL和读字线RWL为低，数据通过动态的方式读出到位线BL上。本发明具有较高的读、写稳定性，并能在亚阈值电压下工作。
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公开(公告)号：CN104506194A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201410753991.0
申请日：2014-12-11
Applicant: 复旦大学
IPC: H03M1/36
Abstract: 本发明属于列并行架构模数转换器技术领域，具体为一个用于列并行架构两步式模数转换器的共享型有源斜坡转换电路。本发明的共享型有源斜坡转换电路包括有源开关电容模块和无源开关电容模块两部分。有源开关电容模块由一个运算放大器、一个的采样电容、一个寄生平衡电容和六个开关组成，其工作状态与待测信号无关；无源开关电容模块由一个采样电容、一个寄生平衡电容和一个开关组成，其工作状态决定于待测信号。当共享型有源斜坡转换电路应用于列并行架构时，一个有源开关电容模块被列并行的无源开关电容模块所共享。本发明能够有效减小列并行架构两步式模数转换器的功耗和面积。
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公开(公告)号：CN104410403A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201410741630.4
申请日：2014-12-09
Applicant: 复旦大学
IPC: H03K19/0175
Abstract: 本发明属于集成电路技术领域，具体为一种亚阈值电平转换器。其结构包括一个输入反相器，一个电平转换电路，一个输出反相器。其中输入反相器用于产生两个互补的差分输入信号；电平转换电路用于实现输入信号从低电压到高电压的电平转换，输出反相器用于产生全摆幅的高压输出信号。本发明结构简单，能够有效的实现一个信号从亚阈值电压到高电压的电平转换。
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公开(公告)号：CN104409094A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201410742586.9
申请日：2014-12-09
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C11/413
Abstract: 本发明属于集成电路存储器技术领域，具体为一种亚阈值6管存储单元。其单元结构包括一个反相器，一个存储PMOS管，一个电源反馈PMOS管及两个NMOS传输管。反相器与存储PMOS管交叉耦合，形成存储器的存储核心，并且它们的电源电压由电源反馈管控制；两个NMOS传输管与分别与两个存储结点相连，构成存储单元的读、写电路；电源反馈管用于控制整个存储单元的电源供给；存储单元通过差分位线的方式，将数据写入存储单元，而通过单端位线的方式将数据读出，即通过传输NMOS管及反相器的下拉管形成的下拉通路将数据读出到位线上。本发明具有较小的面积，非常低的漏电流，及较高的低电压工作稳定性。
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