-
公开(公告)号：CN115172464A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210896084.6
申请日：2022-07-28
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/336 , G06N3/063
Abstract: 本发明公开一种多端仿树突型神经形态器件及其制备方法。该多端仿树突型神经形态器件包括：衬底；二维半导体材料，形成在所述衬底上，作为沟道；源电极和漏电极形成在所述二维半导体材料两侧；铪基铁电薄膜，覆盖上述结构；离子栅介质层，形成在所述铪基铁电薄膜上，位于所述沟道区的上方；多端顶栅，形成在所述离子栅介质层上，通过先后对多端顶栅施加不同时间、空间序列的电学脉冲刺激，获得时空影响下的树突器件的神经突触可塑性。
-
公开(公告)号：CN115117192A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202210780812.7
申请日：2022-07-04
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开一种三维视觉神经形态忆阻器及其制备方法。该三维视觉神经形态忆阻器包括：衬底；下部阻挡层，形成在所述衬底上；第一电极，形成在所述下部阻挡层上；上部阻挡层，形成在所述第一电极上；凹槽结构，贯穿所述上部阻挡层、所述第一电极和所述下部阻挡层，使部分硅衬底表面露出；忆阻功能层，其为氧化物异质结，形成在上述器件结构上；第二电极，其为透明电极，形成在所述凹槽结构中，通过对器件施加光激励信号，利用氧化物异质结的光响应，实现光学信息采集，进行电导调制，完成神经形态计算与存储功能。
-
公开(公告)号：CN115101669A
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202210902926.4
申请日：2022-07-29
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开一种光电双调制的有机柔性神经突触器件及其制备方法。该光电双调制的有机柔性神经突触器件包括：具有ITO导电层的柔性衬底；P(VDF‑TrFE)铁电介质层，形成在所述ITO导电层上；C8‑BTBT有机半导体层，形成在所述P(VDF‑TrFE)铁电介质层；顶部金属电极，形成在所述C8‑BTBT有机半导体层上，通过电调制控制P(VDF‑TrFE)铁电介质层的铁电极化程度从而改变源漏电流实现突触特性，通过光调制改变C8‑BTBT有机半导体层光生载流子的数量来改变源漏电流实现突触特性。
-
公开(公告)号：CN115101668A
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202210780618.9
申请日：2022-07-04
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开一种柔性可重构神经元器件及其制备方法。该柔性可重构神经元器件包括：柔性衬底；底层电极，其为惰性金属，形成在所述柔性衬底上；二维半导体纳米片层，形成在所述底层电极上；高k铪基氧化物介质层，形成在所述二维半导体纳米片层上；顶层电极，其为活性金属，形成在所述高k铪基氧化物介质层上，通过在顶层电极上施加不同大小的电压脉冲，改变顶层电极中的金属离子迁移与积累的过程，控制功能层中导电细丝的强弱，实现器件在易失性神经元和非易失性神经突触之间的切换，在同一器件实现重构功能。
-
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112349788B
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202011217544.5
申请日：2020-11-04
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/792 , H01L29/24 , H01L29/51 , H01L21/34 , H01L31/032 , H01L31/113 , H01L31/18 , G06N3/063
Abstract: 本发明公开一种二维/零维混合结构的人工异质突触器件及制备方法。该人工异质突触器件包括：柔性衬底；背栅电极，形成在柔性衬底上；隧穿层，形成在背栅电极上；电荷俘获层，其为零维量子点，具有电荷俘获功能，形成在隧穿层上；阻挡层，形成在电荷俘获层上；沟道，其为二维材料，具有双面功能不对称特征，形成在阻挡层上；源漏电极，形成在沟道两侧，利用二维材料高效的光吸收效率，通过虚拟的光学栅完成神经突触前端的模拟，同时利用电学调制实现神经突触另一个前端的模拟，配合器件的源极模拟的神经突触后端，共同组成人工异质突触器件。实现了光电双调制，有效地解决了单纯的电调制中信息获取和数据处理分离的问题，并降低了功耗。
-
公开(公告)号：CN113964231A
公开(公告)日：2022-01-21
申请号：CN202111156457.8
申请日：2021-09-30
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L31/113 , H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开一种感光增强的视觉神经形态器件及其制备方法。该感光增强的视觉神经形态器件包括：衬底；背栅电极，形成在所述衬底上；底层介质/钙钛矿量子点/顶层介质叠层结构，形成在所述背栅电极上，其中，所述底层介质和所述顶层介质为致密的氧化物，并且具有氧空位缺陷，所述底层介质作为存储功能层；二维材料层，其为能带可与可见光波段进行匹配，在光照的作用下可以产生空穴电子对，并且电子占据主导作用的n型二维材料，作为沟道，实现基础感光功能，形成在所述顶层介质上；源电极和漏电极，形成在所述二维材料层的两端；利用钙钛矿量子点与二维材料的耦合作用增强器件感光效应，在同一器件实现光学信息的感知、计算与存储功能。
-
公开(公告)号：CN112349838A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN202011160333.2
申请日：2020-10-27
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开一种多模式调制的柔性钙钛矿神经突触器件及其制备方法。该多模式调制的柔性钙钛矿神经突触器件包括：柔性衬底；底层电极，形成在所述柔性衬底上；功能层，其为卤化物钙钛矿材料，形成在所述底层电极上；顶层电极，相互隔离分布在所述功能层上，以可见光源与电学脉冲作为多模式调节的不同信号源，利用卤化物钙钛矿材料的离子效应，在电学刺激或者光学刺激的作用下，通过离子的移动模拟神经突触特性，从而实现多重调制效果。
-
公开(公告)号：CN112331772A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN202011155918.5
申请日：2020-10-26
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开一种感存算一体的柔性有机忆阻器及其制备方法。该感存算一体的柔性有机忆阻器包括：柔性衬底(100)；底层电极(101)，其以一定间隔分布在柔性衬底(100)上；有机功能层(102)，其形成底层电极(101)上，具有紫外光响应，并且可以在紫外光脉冲的激励下进行电荷的存储与擦除，撤去光脉冲后的电流状态与施加光脉冲前的初始电流状态不同，且能保持较长的时间；顶层电极(103)，其以一定间隔分布在有机功能层(102)上，且其延伸方向与底层电极(101)的延伸方向垂直；当利用紫外光脉冲源对所形成的感存算一体的柔性有机忆阻器进行照射时，忆阻器可感应到光信号并产生电流信号，相应的电流信号可被忆阻器存储记忆并用于多态神经计算，从而实现感存算一体化。
-
公开(公告)号：CN112331668A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN202011159688.X
申请日：2020-10-27
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L27/11568
Abstract: 本发明公开一种可见‑红外波段二维电荷俘获型存储器及其制备方法。该可见‑红外波段二维电荷俘获型存储器包括：衬底；背栅，形成在所述衬底上；电荷阻挡层，形成在所述背栅上；电荷俘获层，其为第一类二维材料，形成在所述电荷阻挡层上；电荷隧穿层，形成在所述电荷俘获层上；沟道层，其为第二类二维材料，形成在所述电荷隧穿层上，其中，所述第一类二维材料和所述第二类二维材料的光学响应波段互补，相互叠加后使得存储器的光响应范围可覆盖可见‑红外波段，实现可见‑红外电荷俘获型擦写功能。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
123
records
(took 0.027 seconds)
