-
公开(公告)号：CN112163355B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202011018010.X
申请日：2020-09-24
Applicant: 复旦大学
IPC: G06F30/23 , G06F30/392 , G06F30/398 , G06F111/10 , G06F113/18 , G06F119/08 , G06F119/14
Abstract: 本发明涉及一种嵌入式扇出型SiC MOSFET封装结构优化设计方法、介质及设备，其中，所述方法构建SiC MOSFET器件的三维模型，确定芯片分布的可行域，基于所述可行域利用响应曲面法进行仿真参数设计，基于所述仿真参数进行有限元仿真，根据仿真结果构建芯片的分布情况与最大散热温度和最大应力之间的数学模型，从而获得散热与应力最优的芯片分布方式，实现封装结构优化设计。与现有技术相比，本发明具有分析效率、优化准确性高等优点。
-
公开(公告)号：CN115935254A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202211540374.3
申请日：2022-12-02
Applicant: 复旦大学
IPC: G06F18/241 , G06F18/2135 , G06F18/23213 , H05B45/00
Abstract: 本发明提供了一种基于光谱功率分布的LED早期异常诊断方法及系统；其中，所述方法包括：获取第一LED灯组的第一SPD数据；根据所述第一SPD数据和拟合模型进行拟合处理，以获得与所述拟合模型对应的最优特征值；对所述最优特征值进行降维处理以获得第一目标特征值，对所述第一目标特征值进行聚类处理，以获得异常判定阈值；获取第二LED灯组的第二SPD数据，根据所述第二SPD数据获得第二目标特征值，根据所述第二目标特征值和所述异常判定阈值对所述第二LED灯组进行异常诊断。本发明通过分析SPD，利用主成分分析和KNN降维方法，实现了对LED早期故障的诊断。
-
公开(公告)号：CN115825681A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211596835.9
申请日：2022-12-12
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开了一种SiC功率模块封装焊层可靠性实时监测装置及方法，属于半导体技术领域。装置包括源测量单元、转换单元、上位机和SiC功率模块；源测量单元基于四线法与各SiC功率模块电性连接；转换单元电性连接在源测量单元与各SiC功率模块之间；上位机与源测量单元以及转换单元电性连接；上位机用于控制转换单元进行通道切换以使源测量单元与各SiC功率模块选择性地导通；还用于控制源测量单元输出源信号，源信号流经SiC功率模块后形成反馈信号并被源测量单元再次采集；还用于根据源信号、反馈信号以及预设的模型计算获得表示各SiC功率模块封装焊层可靠性的电阻值RS。本发明设计合理有效，能够实现在加速寿命试验中对SiC功率模块高精度地实时电阻监测。
-
公开(公告)号：CN113945728A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202111207799.8
申请日：2021-10-18
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开了一种外延反应器托盘基座转速检测装置及外延反应器，属于半导体领域，外延反应器包括反应腔，反应腔内设置有用于承托衬底的托盘基座，反应腔具有流经托盘基座的气流通道以及分别位于气流通道两端的进气端口和出气端口，装置包括设于托盘基座上且随托盘基座的旋转而圆周运动的定位器、位于进气端口与出气端口的信号发射器和信号接收器以及与信号接收器通信连接的计速器，信号发射器用于发射被定位器周期性阻挡的激光信号，信号接收器用于接收激光信号，计速器用于根据激光信号被阻挡的频率计算获取托盘基座的角速度信息。本发明能够在不破坏保温层及石墨层结构的情况下完成托盘基座的测速，具有测量精度高、反应灵敏、结构简单的特点。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113343535A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202110700564.6
申请日：2021-06-23
Applicant: 复旦大学
IPC: G06F30/23 , G06F30/27 , G06N3/12 , G06F111/04 , G06F111/06 , G06F119/08
Abstract: 本发明公开了一种高可靠性的嵌入式SiC功率器件封装设计方法，属于封装领域，包括：S1构建SiC功率器件的三维模型，确定SiC功率器件的结构和参数；S2基于经验公式获得关于盲孔结构的热阻模型和力学模型；S3通过多目标优化遗传算法对热阻模型和力学模型进行优化，获得盲孔结构的最优结果；S4根据S1中三维模型，在基板上确定盲孔分布的可行域；S5对于可行域内的盲孔位置分布进行有限元仿真实验；S6构建盲孔层中关于盲孔位置分布的最大热应力模型和最大散热温度模型，并获得盲孔位置分布的最优结果；S7根据S3和S6获得SiC功率器件中盲孔结构与位置分布的设计。本发明方法合理有效，能够设计出在高温条件下具有高可靠性的嵌入式SiC功率器件。
-
公开(公告)号：CN112967932A
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN202110146626.3
申请日：2021-02-03
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/48 , H01L23/498 , H01L27/088
Abstract: 本发明公开了板级GaN半桥功率器件及其制备方法，属于电气领域，方法包括：S1获取包括金属芯板和绝缘底板的PCB板；S2在金属芯板的顶面加工出第一图形，在第一图形上生长金属形成第一图形层；S3将GaN MOS Die固定在第一图形层上；S4将铜箔通过固化片压合在固晶后的PCB板的顶面上；S5在铜箔上钻孔，且钻孔的深度止于GaN MOS Die或金属芯板；S6通过生长金属填平钻孔；S7在铜箔上加工出第二图形，在第二图形上生长金属形成第二图形层；S8将驱动IC及被动元件固定在第二图形层上；S9从顶面压合绝缘顶板进行顶面密封；S10去除绝缘底板，在金属芯板的底面加工出第三图形，在第三图形上生长金属形成与铜箔连接的第三图形层。本发明能够提高加工效率，还能够降低寄生电感。
-
公开(公告)号：CN112103636A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202010811184.5
申请日：2020-08-13
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于柔性基板技术领域，具体为一种在聚酰亚胺薄膜上实现微纳图形化处理的方法。具体步骤如下：（1）先将聚碳酸亚丙酯PPC材料旋涂在硅片上，然后将聚酰亚胺薄膜贴合在硅片上面；（2）使用蒸发工艺沉积铝层；（3）旋涂正性光刻胶层；（4）在紫外线照射的作用下，用掩膜版对光刻胶涂层进行选择性曝光，再进行软烘干；（5）用刻蚀剂对光刻胶进行化学刻蚀；（6）使用干法蚀刻和湿法蚀刻刻蚀掉暴露在外面的铝层，保留被光刻胶覆盖的铝层；（7）剥离光刻胶；（8）加热分离得到聚酰亚胺薄膜。本发明用PPC粘合聚酰亚胺薄膜进行图像化处理，方法简单，效果优异，可制造出能够工作在60GHz频率下的柔性天线。
-
公开(公告)号：CN112084717A
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN202010965810.6
申请日：2020-09-15
Applicant: 复旦大学
IPC: G06F30/27 , G06Q10/04 , G06N3/04 , G06N3/08 , G06F119/04
Abstract: 本发明公开了紫外发光二极管性能退化预测模型构建及寿命预测方法，属于紫外发光二极管寿命预测领域，模型构建方法包括：获取紫外发光二极管老化试验中多个时间点测试指标构成的原始时间序列测试数据；根据原始时间序列测试数据训练基于循环神经网络改进的长短期记忆网络，得到紫外发光二极管性能退化预测模型；长短期记忆网络的输入为原始时间序列测试数据中多个连续时间点测试指标，输出为相邻的后一时间点测试指标。寿命预测方法为：根据原始时间序列测试数据和上述预测模型，获得后续时间的指标退化数据；再根据预设的失效阈值确定紫外发光二极管预测失效寿命。本发明能对具有时间序列的衰减数据进行处理，具有高精度、高可靠、高速度的特点。
-
公开(公告)号：CN212412046U
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN202021680674.8
申请日：2020-08-13
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L23/498 , H01L21/60 , H01L21/48 , B82Y40/00 , B82Y30/00
Abstract: 本实用新型公开了一种烧结材料预覆的陶瓷覆铜基板。其包括陶瓷覆铜基板、烧结材料层和定位组件；所述烧结材料层有两层，分别为正面烧结材料层和背面烧结材料层，分别设置在陶瓷覆铜基板的正面和背面；所述定位组件设置在正面烧结材料层上方；定位组件采用还原气氛下的烧结工艺能够完全蒸发的材料制成。本实用新型的烧结材料预覆的陶瓷覆铜基板结构简单，可被用于功率模块的封装作业，简化芯片粘结工艺流程，免去清洗助焊剂等清洁工序，并且提高散热器使用效率以及简化装配工艺，降低生产成本。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
49
records
(took 0.023 seconds)
