一种SiC功率模块封装焊层可靠性实时监测装置及方法

    公开(公告)号:CN115825681A

    公开(公告)日:2023-03-21

    申请号:CN202211596835.9

    申请日:2022-12-12

    Applicant: 复旦大学

    Inventor: 樊嘉杰 钱诚

    Abstract: 本发明公开了一种SiC功率模块封装焊层可靠性实时监测装置及方法,属于半导体技术领域。装置包括源测量单元、转换单元、上位机和SiC功率模块;源测量单元基于四线法与各SiC功率模块电性连接;转换单元电性连接在源测量单元与各SiC功率模块之间;上位机与源测量单元以及转换单元电性连接;上位机用于控制转换单元进行通道切换以使源测量单元与各SiC功率模块选择性地导通;还用于控制源测量单元输出源信号,源信号流经SiC功率模块后形成反馈信号并被源测量单元再次采集;还用于根据源信号、反馈信号以及预设的模型计算获得表示各SiC功率模块封装焊层可靠性的电阻值RS。本发明设计合理有效,能够实现在加速寿命试验中对SiC功率模块高精度地实时电阻监测。

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