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公开(公告)号：CN100495659C
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200680000931.5
申请日：2006-06-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/324 , H01L21/02 , H01L21/205 , G01F1/00 , G05D7/06
CPC classification number: G05D7/0658 , C23C16/455 , C23C16/45561 , C23C16/52
Abstract: 本发明提供一种半导体制造装置，能够正确地检测基于基板处理时实际产生的热虹吸现象的零点漂移量并进行可靠修正，包括：将气体供给到热处理部(110)内的气体供给路(210)，比较来自检测气体供给路的气体流量的检测部的输出电压与对应于预先设定的设定流量的设定电压，控制气体供给路的气体流量为设定流量的MFC(240)和控制部(300)，控制部实行基板处理前预先至少利用基板处理时使用的气体置换MFC内并在关闭设置在MFC上游侧与下游侧的截止阀(230、250)的状态下检测来自MFC的输出电压并储存于存储装置，在实行基板处理时基于储存于存储装置的MFC的输出电压修正对应于基板处理时使用气体的气体流量的设定电压，在MFC中设定修正的设定电压。
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公开(公告)号：CN100475327C
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200580009276.5
申请日：2005-06-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: B01J4/00 , G05D7/06 , H01L21/205 , H01L21/3065
CPC classification number: G05D7/0658 , B01J4/008
Abstract: 本发明的基板处理装置设置有从设置在供给处理气体的气体供给系统的处理室(11)的入口附近的开关阀(13d、14d)的上游侧分支，并连接到排气管(17)的分支配管(18)。在该分支配管(18)上插入气体流量检测机构(19)，并设置用于将流路切换到处理室(11)侧和分支配管(18)的开关阀(13h、14h)。气体流路检测机构(19)使气体在电阻体中流通并测量其两端的压力来从压力差中检测出气体流量。通过该检测值，检测或校正质量流量控制器(13a、14a)。
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公开(公告)号：CN101220505A
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN200710152462.5
申请日：2007-10-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C30B25/14 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/4405 , B08B7/00 , B08B9/00 , B08B9/027 , C23C16/455
Abstract: 本发明提供一种薄膜形成装置(1)。该薄膜形成装置(1)具有反应室(2)和与反应室(2)连接的排气管(5)，为了向反应室(2)或排气管(5)供给包含氟和氢的洗涤气体，使氟导入管(17c)和氢导入管(17d)连接在反应室(2)上。其中，氢导入管(17d)具有内部流路(174)和以覆盖内部流路(174)的方式形成的外部流路(175)。从内部流路(174)供给氢，从外部流路(175)供给氮。因此，将从内部流路(174)供给的氢在其周围被氮覆盖的状态下，从氢导入管(17d)供给。
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公开(公告)号：CN1215538C
公开(公告)日：2005-08-17
申请号：CN02805763.5
申请日：2002-03-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 冈部庸之
IPC: H01L21/31 , H01L21/205 , C23C16/455 , F27D7/06 , F27D19/00
CPC classification number: H01L21/67253 , C23C16/345 , C23C16/4401 , C23C16/4408 , C23C16/4412 , C23C16/45519 , C23C16/45561 , C23C16/45568 , F27B17/0025 , F27D7/06 , F27D19/00 , F27D21/00 , H01L21/3185
Abstract: 本发明的热处理装置包括：将被处理体被运入和运出的反应容器；用于将处理气体导入所述反应容器内的处理气体导入部；与所述处理气体导入部分别设置，用于将置换气体导入所述反应容器内的置换气体导入部；以及用于排出所述反应容器内的气体的排气部。控制部连接到所述处理气体导入部、所述置换气体导入部和所述排气部。控制部控制所述排气部，使所述反应容器内的压力比热处理时低，接着控制所述处理气体导入部和所述置换气体导入部，停止所述处理气体的导入，将置换气体导入所述反应容器内，同时控制所述排气部，使所述反应容器内的压力比热处理时高，接着控制所述排气部，使所述反应容器内的压力比热处理时低。
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公开(公告)号：CN108538748B
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN201810158626.3
申请日：2018-02-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种气体导入机构及热处理装置，能够防止气体在歧管与喷射器的连接部分泄漏。一实施方式的气体导入机构具有：纵长的处理容器；喷射器，其沿着所述处理容器的内周壁的纵向方向设置，并且被设为至少在所述处理容器的下部与所述内周壁之间具有间隔；歧管，其从下方支承所述喷射器；推压力产生构件，其在所述喷射器的下部对所述喷射器施加从下方朝向上方的推压力；以及限制构件，其用于限制所述喷射器向上方移动。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114606480A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202111412037.1
申请日：2021-11-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/34 , C23C16/44 , C23C16/52 , G01L19/00
Abstract: 本发明提供一种能够以高精度检测基板附近的压力的成膜装置以及成膜方法。根据本发明的一个方式的成膜装置具有:处理容器,其能够对内部进行减压；喷头,其用于向上述处理容器内供给气体,该喷头包括形成有多个气体孔的下部件、以及在与该下部件之间形成用于使上述气体扩散的扩散空间的上部件；载置台,其与上述喷头相对配置,并且在与上述喷头之间形成处理空间；升降机构,其用于使上述载置台进行升降；筒状部,其贯通上述喷头而与上述处理空间连通；以及压力传感器,其以气密的方式设于上述筒状部的内部,用于对上述处理空间的压力进行测定。
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公开(公告)号：CN114269965A
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202080058420.9
申请日：2020-08-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/448 , H01L21/285
Abstract: 一种原料气体供给系统，其将使固体原料气化而生成的原料气体向处理装置供给，其中，该原料气体供给系统包括：气化装置，其使所述固体原料气化而生成所述原料气体；送出机构，其从供在溶剂中溶解有所述固体原料的溶液贮存的溶液源向所述气化装置送出所述溶液；以及蒸发机构，其使从所述送出机构送出而容纳于所述气化装置内的所述溶液的溶剂蒸发，分离所述固体原料。
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公开(公告)号：CN101939827B
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN200880126474.3
申请日：2008-12-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/31 , C23C16/448
CPC classification number: H01L21/31645 , C23C16/4486
Abstract: 本发明提供一种液体原料气化器以及使用该液体原料气化器的成膜装置，在使液体原料的液滴通过通气性部件而气化时，能够使整个通气性部件的温度变得均匀，能够防止因气化不完全引起的网眼堵塞。液体原料气化器(300)具有：使液体原料成为液滴状并向气化空间(350)喷出的液体原料供给部(300A)；气化部(300B)；将来自液体原料供给部的液滴状的液体原料向气化部内导入的导入口(338)；配置在气化部内且由通气性部件(362)构成的雾气收集部(360)，该通气性部件由通过辐射热被加热的材料构成；辐射热加热器(370)，对通气性部件的整个外侧表面照射热射线，并通过该辐射热对通气性部件进行加热；送出口(340)，其将原料气体送出到外部，原料气体是通过使液滴状的液体原料通过被加热的通气性部件而气化生成的。
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公开(公告)号：CN102654241A
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN201210054278.8
申请日：2012-03-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 冈部庸之
IPC: F17D1/02 , F17D3/01 , F17C5/00 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/67253 , C23C16/45557 , C23C16/45561 , H01L21/67017 , Y02E60/321 , Y02E60/34 , Y10T137/0396 , Y10T137/2599 , Y10T137/7039 , Y10T137/7043 , Y10T137/776 , Y10T137/7761 , Y10T137/7762
Abstract: 本发明提供气体减压供给装置、具有该气体减压供给装置的气瓶柜、阀箱以及基板处理装置。该气体减压供给装置能够向以低于大气压的处理压力进行处理的腔室供给气体，其包括：压力调整器，其用于对一次压力进行减压并将二次压力调整成比大气压低且比处理压力高的压力；压力测量器，其用于对压力调整器的二次侧配管内的压力进行测量；第1开闭阀，其设于二次侧配管；开闭阀控制器，其用于使第1开闭阀进行开闭；压力比较器，其用于对由压力测量器测量的二次侧配管内的压力与第1设定压力进行比较；以及控制部，在由压力比较器判定为二次侧配管内的压力为第1设定压力以下的情况下，该控制部将用于使第1开闭阀关闭的关闭信号向开闭阀控制器输出。
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公开(公告)号：CN101488449B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN200910001283.0
申请日：2009-01-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/205 , H01L21/203 , C23C16/44
CPC classification number: H01L21/02186 , C23C16/409 , C23C16/448 , C23C16/4486 , C23C16/45531 , C23C16/52
Abstract: 本发明提供一种包括半导体处理装置和对所述半导体处理装置供给处理气体的气体供给装置的半导体处理系统，其包括控制用于调整汽化室内的压力的压力调整机构的动作的控制部。控制部按照以下方式预先设定，即根据压力检测部的压力检测值将汽化室内的压力收敛在规定的压力范围内。规定的压力范围由上限值和下限值规定，所述上限值设定为比由于压力的上升而阻碍液体原料的汽化的第一界限值低，所述下限值设定为比由于压力的下降而液体原料的汽化变得不稳定汽化室内的压力开始脉动的第二界限值高。
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