成膜装置、基板处理装置、成膜方法

    公开(公告)号:CN101665919A

    公开(公告)日:2010-03-10

    申请号:CN200910172115.8

    申请日:2009-09-04

    Abstract: 本发明提供一种成膜装置、基板处理装置、成膜方法。该成膜装置是在真空容器(1)内供给第1和第2反应气体来形成薄膜的成膜装置,包括:旋转台;从旋转台的周缘朝向旋转中心设置的第1反应气体供给部和第2反应气体供给部;设于第1反应气体供给部和第2反应气体供给部之间的第1分离气体供给部;包括第1反应气体供给部并具有第1高度的第1空间;包括第2反应气体供给部并具有第2高度的第2空间;包括第1分离气体供给部并具有比第1高度和第2高度低的高度的第3空间;检测旋转台的旋转位置的位置检测部件;设于旋转台的周缘、被位置检测部件检测的被检测部。

    成膜装置及基板处理装置

    公开(公告)号:CN101665924B

    公开(公告)日:2013-07-24

    申请号:CN200910172122.8

    申请日:2009-09-04

    Abstract: 本发明提供一种成膜装置及基板处理装置,该成膜装置具有:旋转台、从旋转台的周缘朝向旋转中心设置的第1反应气体供给部和第2反应气体供给部、设置于该第1反应气体供给部和第2反应气体供给部之间的第1分离气体供给部。该成膜装置中形成有:包含第1反应气体供给部且具有第1高度的第1空间、包含该第2反应气体供给部且具有第2高度的第2下表面区域、包含第1分离气体供给部且具有第3高度的第1空间,该第3高度低于第1高度和第2高度。设置在旋转台的旋转中心下方的电动机驱动旋转台旋转。旋转台的旋转轴和电动机的驱动轴以不发生空转的方式连接。

    成膜装置及基板处理装置

    公开(公告)号:CN101665924A

    公开(公告)日:2010-03-10

    申请号:CN200910172122.8

    申请日:2009-09-04

    Abstract: 本发明提供一种成膜装置及基板处理装置,该成膜装置具有:旋转台、从旋转台的周缘朝向旋转中心设置的第1反应气体供给部和第2反应气体供给部、设置于该第1反应气体供给部和第2反应气体供给部之间的第1分离气体供给部。该成膜装置中形成有:包含第1反应气体供给部且具有第1高度的第1空间、包含该第2反应气体供给部且具有第2高度的第2下表面区域、包含第1分离气体供给部且具有第3高度的第1空间,该第3高度低于第1高度和第2高度。设置在旋转台的旋转中心下方的电动机驱动旋转台旋转。旋转台的旋转轴和电动机的驱动轴以不发生空转的方式连接。

    成膜装置、基板处理装置及旋转台

    公开(公告)号:CN101665920A

    公开(公告)日:2010-03-10

    申请号:CN200910172116.2

    申请日:2009-09-04

    Abstract: 本发明提供一种成膜装置、基板处理装置及旋转台。通过进行多次将相互反应的至少两种反应气体依次供给到基板表面上的循环,层叠反应生成物而形成薄膜。该成膜装置包括:设于真空容器内的旋转台;为了将基板载置在旋转台的同一圆周上而设于旋转台上的多个基板载置部;第1反应气体供给部件;第2反应气体供给部件;分离气体供给部件;能以在旋转台的中心部周边上下夹着旋转台的方式压接固定旋转台的上部固定构件及下部固定构件,上部固定构件由石英或陶瓷形成。

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