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公开(公告)号：CN106353622B
公开(公告)日：2019-02-19
申请号：CN201610911425.7
申请日：2016-10-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01R31/00
Abstract: 基于氩气环境改变温度条件下电子元器件高能电子辐照效应的原位测试方法，涉及电子技术领域。本发明是为了解决电子元器件地面辐照过程中，由于环境气氛和温度的影响，导致电性能原位测试不准确和评价效率低的问题。本发明采用氩气环境，这样可以有效地排除以往辐照试验过程中空气中氧气的影响和真空辐照中负压的影响，提高了电子元器件原位测试的准确性。在辐照过程中进行变温辐照，温度区间选取双极晶体管工作的环境温度条件，这样的原位测试方法低剂量率增强效应加速试验方法步骤简单，易于操作。本发明适用于双极型电子元器件空间辐照效应研究和试验。
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公开(公告)号：CN106644907A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201610911406.4
申请日：2016-10-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01N17/00
CPC classification number: G01N17/00
Abstract: 低地球轨道航天器用暴露材料空间综合环境效应地面模拟试验方法，涉及空间环境效应领域。本发明是为了解决现有低地球轨道航天器用暴露材料地面模拟试验方法不能够全面实现暴露材料空间综合环境效应研究的问题。本发明所述的低地球轨道航天器用暴露材料空间综合环境效应地面模拟试验方法，将待实验样品置密封腔体内，对待实验样品进行粉尘模拟试验，对待实验样品进行原子氧环境及紫外环境试验，对密封腔体抽真空，进行热循环试验，根据待试验样品的厚度t，选择入射电子及质子的能量，对待实验样品进行带电粒子辐照试验，进行低地球轨道航天器用暴露材料性能测试。本发明适用于空间环境效应研究与抗辐照加固技术应用中。
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公开(公告)号：CN106353622A
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201610911425.7
申请日：2016-10-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01R31/00
CPC classification number: G01R31/002
Abstract: 基于氩气环境改变温度条件下电子元器件高能电子辐照效应的原位测试方法，涉及电子技术领域。本发明是为了解决电子元器件地面辐照过程中，由于环境气氛和温度的影响，导致电性能原位测试不准确和评价效率低的问题。本发明采用氩气环境，这样可以有效地排除以往辐照试验过程中空气中氧气的影响和真空辐照中负压的影响，提高了电子元器件原位测试的准确性。在辐照过程中进行变温辐照，温度区间选取双极晶体管工作的环境温度条件，这样的原位测试方法低剂量率增强效应加速试验方法步骤简单，易于操作。本发明适用于双极型电子元器件空间辐照效应研究和试验。
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公开(公告)号：CN103884945A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201410136016.5
申请日：2014-04-04
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01R31/00
Abstract: 基于改变温度及剂量率的低剂量率增强效应加速实验方法，涉及电子技术领域。它是为了解决低剂量率增强试验的测试时间长，导致过剩基极电流和电流增益产生较大的影响的问题。本发明的低剂量率增强效应加速试验方法步骤简单，易于操作。本发明的低剂量率增强效应加速试验方法步骤简单，易于操作。本发明所提出的技术途径能够大幅度降低低剂量率增强效应试验的时间与费用，同比降低了15%以上，也可为优化双极晶体管和电路抗辐照性能提供必要依据，减小过剩基极电流和电流增益产生的影响，同比减小了15%，对电子元器件的低剂量率增强效应测试和研究具有重大的意义。本发明适用于电子技术领域。
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公开(公告)号：CN117291135A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202311317217.0
申请日：2023-10-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/39 , G06F18/214 , G06N20/00 , G06F119/02 , G06F119/06
Abstract: 本发明的一种功率MOSFET可靠性的建模方法，涉及功率MOSFET可靠性建模并通过建模获得可靠性预测的方法。目的是为了克服现有MOSFET可靠性建模方法复杂度高，计算效率低，模型可解释性也较差的问题，具体步骤如下：步骤一、通过结构参数建立模拟的功率场效应管MOSFET；结构参数包括功率MOSFET的沟道长度、沟道宽度和氧化层厚度；步骤二、对功率MOSFET进行仿真，获取功率MOSFET的漂移阈值电压实际值；步骤三、建立初始预测模型；将结构参数作为初始预测模型的输入参数，漂移阈值电压实际值作为初始预测模型的输出参数，对初始预测模型进行训练、验证和测试，得到可靠性预测模型。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114268276A
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202111579626.9
申请日：2021-12-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种基于太阳电池低温低光强综合试验装置以及试验方法，该装置包括光源、低温恒温舱、无油分子泵、风冷压缩机、温度控制仪以及电学测试系统；其试验方法包括：根据电池服役环境，确定温度光照条件；整理装置，安装衰减片；样品放置，检查光路与测试线路；打开无油分子泵将低温恒温舱抽成真空环境；打开风冷压缩机对冷头降温至额定温度；校准太阳模拟器；测试样品光特性。该发明能在地面模拟出空间环境中低温低光强的试验装置的试验方法。
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公开(公告)号：CN109637567B
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN201811554714.1
申请日：2018-12-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G11C7/24 , G11C11/413
Abstract: 一种监测触发器是否发生翻转的边沿检测电路及触发器，它涉及一种边沿检测电路及触发器。本发明要解决SETTOFF触发器对SEU软错误的在线监测和修正以及检测SET和TE错误过程中，SETTOFF触发器中原沿检测(TD)电路中的晶体管尺寸不能采用最小尺寸来实现而必须要经过特定的设计，从而增大了TD电路输入和输出之间的传播延迟，进而产生毛刺脉冲引发流水线的重写操作的问题。本发明设计了用于监测流水线中的触发器是否发生翻转的沿检测电路，并且通过合理的监测机制实现了对D触发器单粒子翻转效应的监测和纠正以及对单粒子瞬态效应和时序错误的监测功能，本发明应用于触发器领域。
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公开(公告)号：CN110459649A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201910774690.9
申请日：2019-08-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/18
Abstract: 一种基于衬底深层离子注入的单晶Si太阳电池抗位移辐照方法，属于太阳电池微电子技术领域。本发明针对现有太阳电池由于空间带电粒子的辐照会产生辐照缺陷，进而造成太阳电池I-V特性退化的问题。它根据原单晶Si太阳电池的结构参数，确定离子的欲注入位置，并根据欲注入位置模拟确定离子的能量和射程；然后模拟离子注入过程中的目标I-V变化曲线，当目标I-V变化曲线的变化量小于原单晶Si太阳电池I-V变化曲线的10％时，记录离子注入量；再计算离子注入机的离子源电压、离子束电流和离子注入时间；设置离子注入机，对原单晶Si太阳电池进行离子注入并进行退火处理，实现对原单晶Si太阳电池的抗位移辐照加固。本发明用于单晶Si太阳电池的加固。
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公开(公告)号：CN109860033A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201910110228.9
申请日：2019-02-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/265 , H01L29/06 , H01L29/872 , H01L29/32
Abstract: 本发明的基于深层离子注入方式的肖特基二极管抗位移辐照加固方法涉及半导体器件的制造或处理领域，目的是为了克服肖特基二极管受到位移辐射造成的缺陷导致正向特性退化的问题，具体步骤为计算离子源电压值V、离子束电流值I、离子注入深度D和离子注入时间t，对肖特基二极管的有源区进行离子注入。本发明的有益效果是：本发明通过深层离子注入的方式，在肖特基二极管内部的一定深度范围内通过离子注入的方式人为地引入缺陷陷阱，可以对由位移辐射造成的缺陷产生复合作用，使器件内部的位移辐射缺陷保持稳定，不因辐射注量的增大而明显变化，从而提高肖特基二极管的抗辐照能力。
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公开(公告)号：CN106483061B
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201610911410.0
申请日：2016-10-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01N17/00
Abstract: 一种基于带电粒子辐照产生级联及点缺陷的方法，涉及空间环境效应领域，为了满足对位移损伤效应的研究需求。该方法为：选取带电粒子；计算带电粒子所产生的单位时间位移损伤吸收剂量D；根据计算D'(E)，D'(E)为一个能量为E的带电粒子所产生的位移损伤吸收剂量，为注量率；选取D'(E)大于位移缺陷产生阈值的有效带电粒子；在有效带电粒子中选取D小于点缺陷阈值的带电粒子作为辐照源，用于产生点缺陷；在有效带电粒子中选取D大于级联缺陷阈值的带电粒子作为辐照源，用于产生点缺陷和级联缺陷。本发明适用于产生级联及点缺陷。
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