公开(公告)号：CN109888025A

公开(公告)日：2019-06-14

申请号：CN201910219155.7

申请日：2019-03-21

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 刘超铭 ,  李何依 ,  王天琦 ,  张延青 ,  齐春华 ,  马国亮 ,  霍明学

IPC: H01L29/868 ,  H01L21/04 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明一种基于深层离子注入方式的PIN二极管抗位移辐照加固方法涉及半导体器件领域，目的是为了克服PIN二极管受空间辐照效应，导致本征区的载流子被辐射缺陷俘获造成正向特性的退化的问题，具体方法为：步骤一、通过PIN二极管的结构参数和需注入PIN二极管的离子类型，计算离子注入所述PIN二极管的离子注入深度D和与离子注入深度D所对应的离子能量E；步骤二、计算离子注入量Ф；步骤三、通过所述离子能量E计算离子源电压值V；步骤四、通过所述离子注入量Ф确定离子注入时间t，并计算离子束电流值I；步骤五、根据所述离子注入深度D、离子源电压值V、离子束电流值I和离子注入时间t，向PIN二极管的本征区注入离子。

公开(公告)号：CN109860033A

公开(公告)日：2019-06-07

申请号：CN201910110228.9

申请日：2019-02-11

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 刘超铭 ,  王天琦 ,  张延青 ,  齐春华 ,  马国亮 ,  霍明学 ,  李何依 ,  魏轶聃

IPC: H01L21/265 ,  H01L29/06 ,  H01L29/872 ,  H01L29/32

Abstract: 本发明的基于深层离子注入方式的肖特基二极管抗位移辐照加固方法涉及半导体器件的制造或处理领域，目的是为了克服肖特基二极管受到位移辐射造成的缺陷导致正向特性退化的问题，具体步骤为计算离子源电压值V、离子束电流值I、离子注入深度D和离子注入时间t，对肖特基二极管的有源区进行离子注入。本发明的有益效果是：本发明通过深层离子注入的方式，在肖特基二极管内部的一定深度范围内通过离子注入的方式人为地引入缺陷陷阱，可以对由位移辐射造成的缺陷产生复合作用，使器件内部的位移辐射缺陷保持稳定，不因辐射注量的增大而明显变化，从而提高肖特基二极管的抗辐照能力。

公开(公告)号：CN109712873A

公开(公告)日：2019-05-03

申请号：CN201910110168.0

申请日：2019-02-11

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 刘超铭 ,  王天琦 ,  齐春华 ,  张延青 ,  马国亮 ,  霍明学 ,  李何依 ,  魏轶聃

IPC: H01L21/04 ,  H01L23/552

Abstract: 本发明的基于深层离子注入方式的MOS场效应管抗位移辐照加固方法涉及半导体器件领域，目的是为了克服MOS型器件易受总剂量辐射损伤导致MOS型器件抗辐照能力低下的问题，具体步骤为计算离子源电压值V、离子束电流值I、离子注入深度D和离子注入时间t，并向MOS场效应管的栅极氧化层注入离子。本发明通过离子注入的方式，在MOS场效应管的栅极氧化层内人为地引入缺陷陷阱，可以对由总剂量辐射效应造成的电子空穴对产生复合作用，并对器件内部由于总剂量辐射缺陷所产生的电场产生补偿作用，从而提高MOS场效应管的抗辐照能力。能大幅度降低总剂量辐照诱导的氧化物俘获正电荷和界面态影响，可以增强MOS器件的抗辐照性能。