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公开(公告)号：CN119549823A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202411924797.4
申请日：2024-12-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B23K1/00 , B23K35/28 , B23K1/20 , B23K103/08
Abstract: 本发明提供了基于半固态中间层和脉冲电流的镁合金焊接方法及接头，涉及材料焊接技术领域，基于半固态中间层的镁合金扩散焊接方法，包括步骤：取钎料层的原料熔炼，随后倒入模具中，冷却至室温，得到凝固的钎料层，将凝固的钎料层进行固溶处理，将固溶后的钎料层进行时效处理，得到半固态钎料层；将半固态钎料层置于两片镁合金之间作为中间层，进行脉冲电流扩散焊接，得到镁合金接头。焊接过程中利用脉冲电流扩散焊接焊缝局部高温避免镁合金变形，半固态中间层中尖锐的硬质固相颗粒挤压破坏母材镁合金表面已存在的氧化膜，同时半固态中间层的液相大幅降低焊接压力并快速填充结合界面孔隙，快速实现接头小变形、高强度冶金结合。
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公开(公告)号：CN118789162A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202410817566.7
申请日：2024-06-24
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 哈尔滨邦定科技有限责任公司
Abstract: 本发明提供了一种用于高导热碳材料与金属钎焊的活性钎料及低温直接钎焊方法，属于异种材料的低温连接技术领域。本发明克服现有高热导碳材料与金属的焊接不能同时低温直接钎焊并保证接头性能良好的问题。本发明提供的活性钎料包括Ag‑Cu粉、In粉、Sn粉和TiH2粉，通过元素含量调控能降低钎焊温度，实现高热导碳材料与金属的低温直接钎焊；这些元素在碳材料与金属界面处的化学变化能够提高界面润湿性与二者结合强度，缓解界面处的残余应力。本发明提供的低温直接钎焊方法包括以下步骤：(1)待焊接材料处理；(2)AgCuSnInTi活性钎料的制备与密封储存；(3)采用丝网印刷对样品进行装配；(4)在真空钎焊炉中进行钎焊。
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公开(公告)号：CN115401394B
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202211185155.8
申请日：2022-09-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B23K37/04 , B23K37/047
Abstract: 本发明涉及高能微弧火花焊接技术领域，并提供一种用于高能微弧火花焊接的夹具设备，包括：基座；第一夹持臂，设置在所述基座上；第一转动盘，设置在所述第一夹持臂的一端处；第一驱动机构，与所述第一转动盘连接，所述第一驱动机构用于驱动所述第一转动盘相对所述第一夹持臂转动；第二夹持臂，设置在所述基座上，所述第二夹持臂与所述第一夹持臂铰接；第二转动盘，设置在所述第二夹持臂的一端处，所述第二转动盘与所述第一转动盘相对设置，所述第二转动盘适于相对所述第二夹持臂转动，所述第二转动盘和所述第一转动盘用于夹持焊接工件；以及夹持驱动机构，用于使所述第一夹持臂的一端和所述第二夹持臂的一端靠近或远离。
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公开(公告)号：CN116161985B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202310042039.9
申请日：2023-01-12
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供了一种碳化硅焊前表面处理方法及碳化硅与高温合金的焊接方法，涉及异质材料连接技术领域。本发明通过激光对碳化硅陶瓷表面进行焊前改性处理，控制激光扫射的关键参数，实现对陶瓷表面的碳化及织构一体化处理。在后续与金属钎焊时，易于在陶瓷表面优先碳化生成碳化物，充当阻隔层，减少金属向陶瓷扩散，避免陶瓷金属化和脆化。同时，本发明对陶瓷材料基本上不产生破坏，且操作简单、成本低，改善了与金属钎焊时钎料的铺展情况，拓扑学上缓解残余应力以及形成钉扎效应。
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公开(公告)号：CN115491639B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202211261605.7
申请日：2022-10-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供一种表面改性金刚石膜片及其制备方法，涉及材料表面改性技术领域，其中表面改性金刚石膜片包括金刚石膜片和设置在金刚石膜片表面的金属化薄膜，金属化薄膜包括依次设置在金刚石膜片表面的Cr金属层和NiTi合金层，本发明的表面改性金刚石膜片引入多层金属化薄膜，从而达到同时改善金刚石与金属化薄膜结合强度和金刚石可加工性能的效果；本发明的表面改性金刚石膜片的制备方法采用磁控溅射表面改性技术，可以快速地实现多层金属及合金薄膜的沉积，镀层表面平整，厚度可以得到有效控制，进一步的热处理可有效提高金刚石与金属化薄膜的结合强度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114043026B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202111340811.2
申请日：2021-11-12
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 哈尔滨邦定科技有限责任公司
IPC: B23K1/008 , B23K1/20 , B23K103/18
Abstract: 本发明提供了一种陶瓷‑金属中的应力缓解方法，涉及材料焊接技术领域，包括：在多孔陶瓷母材待焊面涂覆软质钎料，使所述软质钎料填充到所述多孔陶瓷母材待焊面的空隙内部，得到填充所述软质钎料的改性多孔陶瓷母材；将硬质钎料涂覆在处理后的金属母材表面，按照所述金属母材、所述硬质钎料、所述改性多孔陶瓷母材的顺序依次放置，用模具夹紧，并送入真空炉中进行热处理后，完成陶瓷‑金属的连接。本发明通过两步法，实现对软质钎料和硬质钎料的分布有效控制，以同时保证陶瓷‑金属接头的耐温性以及应力释放的问题。
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公开(公告)号：CN116496751A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310432094.9
申请日：2023-04-21
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 哈尔滨邦定科技有限责任公司
IPC: C09J179/04 , C09J9/02 , C09J11/08 , C09J11/00
Abstract: 本发明提供了一种耐高温导电胶及其制备方法，涉及导电胶技术领域。按重量百分比计，本发明耐高温导电胶包括以下组分：60‑80％的导电填料、15‑30％的双酚A型氰酸酯树脂、3‑8％的双马来酰亚胺、0.015‑0.03％的固化剂、0.15‑0.3％的偶联剂、0.15‑0.3％的有机硅消泡剂、1‑3％的稀释剂。本发明采用双马来酰亚胺作为增韧剂对双酚A型氰酸酯树脂进行改性，通过限定其用量并且同时结合对导电胶组合物中其他组分类型和含量优化，制备得到的导电胶具有良好的机械性能和低电阻率，并且同时还具有耐高温性和优良的室温储存性能，综合性能突出，具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN116231053A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310273634.3
申请日：2023-03-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01M10/0562 , H01M10/42 , H01M10/0525
Abstract: 本发明提供了一种Ga‑LLZO固体电解质及其晶粒异常长大的抑制方法，涉及锂电池技术领域，所述Ga‑LLZO固体电解质晶粒异常长大的抑制方法包括如下步骤：通过Li2CO3、La2O3、ZrO2和Yb2O3，得到LLYZO粉；通过Li2CO3、La2O3、ZrO2和Ga2O3，得到Ga‑LLZO粉；将所述LLYZO粉和所述Ga‑LLZO粉混合并球磨干燥后得到复合母粉；将所述复合母粉压力成型为片层结构，并经煅烧处理后，冷却至室温，得到晶粒细小且均匀的Ga‑LLZO固体电解质，不存在晶粒异常长大的现象。
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公开(公告)号：CN114310037B
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202210098178.9
申请日：2022-01-27
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 哈尔滨邦定科技有限责任公司
Abstract: 本发明提供了一种NiCrFeCuZrHf钎料及其制备方法，涉及材料焊接技术领域，NiCrFeCuZrHf钎料为高熵钎料，且所述NiCrFeCuZrHf钎料的成分及原子百分比包括：Ni：5％‑15％，Cr：10％‑20％，Fe：10％‑20％，Cu：15％‑25％，Zr：10％‑20％，Hf：10％‑20％，Sn：0.5％‑5％，In：0.01％‑2％，Ga：0.01％‑2％。与现有技术比较，本发明NiCrFeCuZrHf钎料与TiAl合金、Ni基高温合金两种极异材料相容性均较好，钎料中硬脆相含量低，组织均匀，以固溶体为主，相应钎焊接头中金属间化合物含量少，尺寸小，弥散分布，钎焊接头强度高。
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公开(公告)号：CN115156547A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210526683.9
申请日：2022-05-16
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 哈尔滨邦定科技有限责任公司
Abstract: 本发明提供了一种银纳米线及其合成方法，属于新材料技术领域。所述方法包括：以多元醇为溶剂，分别配置硝酸银溶液和硝酸铁溶液；将所述硝酸银溶液、所述硝酸铁溶液加入所述溶剂中混合均匀，得到反应溶液，其中，所述反应溶液中硝酸银的浓度为5mM‑100mM，所述反应溶液中硝酸铁的浓度为3mM‑160mM；将所述反应溶液在70℃‑160℃下保温7min‑50h，得到含银纳米线的母液；对所述母液进行分离得到银纳米线。本发明在不使用任何表面活性剂和阴离子形核剂的情况下，在高浓度铁离子辅助下，大大加快了银纳米线的形核和生长速度，并提高产量，降低合成温度，最终合成了具有高长径比的银纳米线，且一步合成、工艺简单。
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