公开(公告)号：CN113540081A

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN202110631287.8

申请日：2021-06-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 苏焕杰 ,  游力蓁 ,  谌俊元 ,  邱士权 ,  庄正吉 ,  林佑明 ,  王志豪

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 根据本发明实施例，一种半导体结构包含于基板上的底部介电部件、直接位于底部介电部件上方的多个通道构件、环绕每个通道构件的栅极结构、沿着第一方向夹住底部介电部件两个第一外延部件、以及沿着第一方向夹住多个通道构件的两个第二外延部件。

公开(公告)号：CN220731534U

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN202322244116.7

申请日：2023-08-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈志良 ,  卢麒友 ,  蔡庆威 ,  谌俊元 ,  田丽钧

IPC: H01L27/088 ,  H01L23/48

Abstract: 提供一种半导体元件包含具有第一端盖部位的第一栅极结构、具有与第一栅极结构同轴的第二端盖部位的第二栅极结构、分离第一端盖部位和第二端盖部位的第一介电区域、延伸越过第一栅极结构的第一导体元件、延伸越过第二栅极结构的第二导体元件以及电性连接第二栅极结构和第二导体元件的栅极导通孔。第一介电区域具有第一宽度且至少部分地位于第一导体元件下方，并定义位于栅极导通孔和第二端盖部位的一端之间的间距，间距超过预定距离。