公开(公告)号：CN112510048A

公开(公告)日：2021-03-16

申请号：CN201911301955.X

申请日：2019-12-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 何嘉政 ,  吕俊颉 ,  张智胜

IPC: H01L27/11507 ,  H01L27/11509

Abstract: 一种半导体装置包括半导体衬底、栅极结构、电容器结构及导电接触件。所述半导体衬底上具有至少一个半导体鳍。所述栅极结构跨越所述半导体鳍设置。所述电容器结构设置在所述栅极结构上。所述电容器结构包括铁电层以及设置在所述铁电层上的第一金属层。所述电容器结构夹置在所述导电接触件与所述栅极结构之间。

公开(公告)号：CN112447908A

公开(公告)日：2021-03-05

申请号：CN202010887089.3

申请日：2020-08-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑兆钦 ,  赵子昂 ,  吕俊颉 ,  江宏礼 ,  陈自强 ,  李连忠

IPC: H01L51/40 ,  H01L51/30 ,  H01L51/05 ,  B82Y40/00 ,  B82Y10/00

Abstract: 一种形成半导体器件的方法包括：在隔离层上方形成第一低维层；在第一低维层上方形成第一绝缘体；在第一绝缘体上方形成第二低维层；在第二低维层上方形成第二绝缘体；并且将第一低维层、第一绝缘体、第二低维层、以及第二绝缘体图案化成凸出的鳍。第一低维层、第一绝缘体、第二低维层、以及第二绝缘体的剩余部分分别形成第一低维带、第一绝缘体带、第二低维带、以及第二绝缘体带。然后基于凸出的鳍形成晶体管。本申请另一方面提供了一种半导体器件。

公开(公告)号：CN109728090A

公开(公告)日：2019-05-07

申请号：CN201810179262.7

申请日：2018-03-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吕俊颉 ,  彭成毅 ,  李建兴 ,  叶凌彦 ,  张智胜 ,  卡洛斯·H·迪亚兹

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 一种负电容器件包括半导体层。界面层设置在半导体层上方。非晶介电层设置在界面层上方。铁电层设置在非晶介电层上方。金属栅电极设置在铁电层上方。如下条件中的至少一个成立：界面层为掺杂的；非晶介电层具有氮化外表面；扩散阻挡层设置在非晶介电层和铁电层之间；或晶种层设置在非晶介电层和铁电层之间。本发明实施例涉及一种半导体器件及其形成方法。

公开(公告)号：CN109728089A

公开(公告)日：2019-05-07

申请号：CN201810178648.6

申请日：2018-03-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吕俊颉 ,  卡洛斯·H·迪亚兹 ,  张智胜 ,  彭成毅 ,  叶凌彦 ,  李建兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 在制造负电容结构的方法中，在衬底上方形成介电层。在介电层上方形成第一金属层。在形成第一金属层之后，实施退火操作，接着进行冷却操作。形成第二金属层。在冷却操作之后，介电层变成包括斜方晶相的铁电介电层。本发明实施例涉及半导体器件及其制造方法。

公开(公告)号：CN220935482U

公开(公告)日：2024-05-10

申请号：CN202322407834.1

申请日：2023-09-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吕俊颉 ,  林佑明 ,  张志宇 ,  施昱全 ,  黄怀莹

IPC: H10B51/30

Abstract: 本实用新型提供一种非易失性存储单元结构及反铁电存储阵列结构，包括反铁电层而非铁电层。反铁电层可基于程序化状态及擦除状态操作，其中反铁电层分别处于完全极化对准及非极化对准(随机极化状态)。此使得FeFET中的反铁电层能够相对于基于在两个相反的完全极化状态之间切换而操作的铁电材料层为FeFET的擦除操作(例如，其中FeFET自程序化状态切换或转换至擦除状态)提供更陡/更大的电压降。

公开(公告)号：CN222776514U

公开(公告)日：2025-04-18

申请号：CN202421157447.5

申请日：2024-05-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吕俊颉 ,  林佑明 ,  蒋国璋 ,  施昱全 ,  黄怀莹

IPC: H10B51/30 ,  H10B51/40

Abstract: 本实用新型的实施例提供一种可在第一和第二状态之间选择性地切换的场效晶体管包括：源极和漏极区以及设置在其间的通道区；被布置为选择性地接收偏压的栅极，该偏压在第一和第二状态之间切换场效晶体管；在栅极和通道区之间的存储结构包括反铁电的第一部分和铁电的第二部分，当场效晶体管在第一状态时，两个部分沿第一方向被极化；以及设置成靠近存储结构的去极化介电层。当场效晶体管被设定为第一状态时，去极化介电层使存储结构的第二部分的极化不稳定，同时保持第一部分的极化。在存储结构中并入反铁电材料可抑制弱擦除问题，尤其在重复擦写期间达到良好控制的擦除状态。