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公开(公告)号：CN110635039A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201910774695.1
申请日：2019-08-21
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明提供一种钝化钙钛矿的方法包括：制备钙钛矿前驱体溶液；将基底退火，其中所述基底含电子传输层；将所述钙钛矿前驱体溶液涂覆于所述基底上并加热，以生成钙钛矿薄膜；以及在所述钙钛矿薄膜上形成环状醚钝化层，得到经环状醚修饰的钙钛矿薄膜。本发明提出以N-甲基吡咯烷酮制备、环状醚钝化修饰钙钛矿层的方法，其工艺简单，以本发明方法制备的钙钛矿所组装的太阳能电池的效率高，重复性好，稳定性也有明显提升。
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公开(公告)号：CN107482121B
公开(公告)日：2019-09-17
申请号：CN201710646981.0
申请日：2017-08-01
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种基于磁场调控的钙钛矿薄膜的制备方法，属于太阳能电池技术领域。主要步骤包括：通过易于实现产业化的成膜工艺，采用碘化铅(lead(Ⅱ)iodide,PbI2)和甲胺碘(CH3NH3I)的混合溶液，在制备过程中引入一定频率和强度的旋转磁场，再经过热处理，即可获得致密光滑、均匀性良好的钙钛矿晶体薄膜。在不采用真空设备、手套箱等条件下，本发明的方法同样能够制备光滑致密的钙钛矿薄膜，具有低成本、可大面积制备的优势。通过本方法获得的钙钛矿晶体薄膜作为光吸收材料应用在薄膜太阳能电池中，所制备的电池器件效率高、稳定性好，这对于实现高效率钙钛矿太阳能电池的低成本制备和产业化具有重要价值。
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公开(公告)号：CN119694461A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411767993.5
申请日：2024-12-04
Applicant: 厦门大学
IPC: G16C60/00 , G16C20/30 , G16C20/70 , G16C20/80 , G06T7/00 , G06V10/82 , G06V10/764 , G06N3/045 , G06N3/0464
Abstract: 本发明涉及半导体材料加工技术领域，具体涉及一种晶体切割方法、装置及存储介质，该方法包括：获取晶体内部的断层图像；基于所述断层图像，构建三维重构模型；采用已训练神经网络识别所述断层图像中不同类型的缺陷，得到缺陷类别；基于所述缺陷类别和所述三维重构模型，创建所述晶体匹配的数字孪生管理模型；对所述数字孪生管理模型进行仿真预切割，得到仿真预切割结果；基于所述仿真预切割结果，确定所述晶体的切割参数。该方法通过较为精准的仿真预切割结果，构建晶体的切割参数，从而能够更加高效的切割晶体，减少晶体耗材的浪费。
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公开(公告)号：CN119560232A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202411746990.3
申请日：2024-12-02
Applicant: 厦门大学
IPC: H01B13/00 , H01B5/14 , H10H20/833
Abstract: 本发明公开了一种透明电极膜的制备方法、透明电极膜及其应用，涉及导电薄膜领域，以此堆叠的基片、透明晶体薄层和若干间隔设置的金属薄层；通过金属薄层施加电压，使透明晶体金属薄层击穿，形成细线状导电通道；通过退火处理，使金属薄层中的金属原子扩散进入细丝状导电通道中，形成导电纤维；将剩下的金属薄层去除，形成透明电极膜。其中，基片为紫外LED、探测器或者太阳能电池的外延片；透明晶体薄层为AlN、GaN、AlxGa（1‑x）N、Al2O3或者TiO2等，金属薄层为Au、Ag、Ti、Cu、或者Al。其兼具高导电性和高透明性，结构简单，易于大规模生产。作为紫外光电器件的关键部分，其能够提高器件的光电转换效率，可应用于柔性电子、透明智能器件等诸多领域。
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公开(公告)号：CN118207621A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202410165143.1
申请日：2024-02-05
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明提供一种多腔室外延反应器，包括感应线圈、石英管和石墨加热件，感应线圈围设于所述石英管周侧；石墨加热件内具有一个及以上个反应腔，每个反应腔内设置一个托盘，托盘用于承载晶圆。本申请中石墨加热件呈哑铃形状，减小了加热石墨加热件的体积，石墨加热件各部分产生的热量得到充分地利用，减少了电能的消耗，有利于节约资源降低加热成本；石墨加热件的特殊结构结合旋转托盘，降低了片间和片内的温差，提高了温度分布的均匀性，促进外延层生长速率的均匀性、外延层厚度和掺杂浓度分布的均匀性，有利于提高外延层的质量；多个反应腔设置，提高了产能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117355199A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311404453.6
申请日：2023-10-27
Applicant: 厦门大学 , 中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种氧化锡薄膜的制备方法及钙钛矿光电器件，其中氧化锡可来自氧化锡纳米颗粒、氧化锡溶胶分散液及制备的氧化锡前驱体；可通过旋涂、刮涂、喷涂、狭缝涂布、卷对卷印刷等方式沉积，并使用低温处理得到氧化锡薄膜，低温处理可通过气体吹扫或真空闪蒸技术进行；其中气体吹扫可通过气枪、气刀、气体喷头等气吹设备进行；气体可使用氮气，惰性气体等保护气体。本发明提供的氧化锡薄膜制备方式，依靠于低温技术，能够快速获得均匀的氧化锡薄膜。无需加热的气体吹扫和真空闪蒸可用于多种场景，薄膜的稳定性与重复性提升，该技术可放大用于大面积光伏器件/模组或者其他光电器件中电子传输层的制备。
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公开(公告)号：CN116705944A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310669158.7
申请日：2023-06-07
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种极化诱导电子阻挡层(Electron‑Blocking Layer，EBL)的Micro LED芯片外延结构，其包括由下至上的衬底、n型半导体层、多量子阱层、极化诱导的电子阻挡层和p型半导体层，所述极化诱导的半导体层由p型AlxGa1‑xN层和p型Aly1Iny2Ga1‑y1‑y2N层组成，其中p型AlxGa1‑xN层设于多量子阱层上，p型Aly1Iny2Ga1‑y1‑y2N层设于p型AlxGa1‑xN层上。本发明采用极化诱导EBL结构作为Micro LED的电子阻挡层能够有效调控载流子的注入与溢出，使得能带更加匹配，从而提高电子与空穴在阱内复合效率；能够提高电致发光(EL)强度，内部量子效率，最终提高Micro LED芯片在高电流密度注入下整体的效率与发光水平。
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公开(公告)号：CN116465912A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310175668.9
申请日：2023-02-28
Applicant: 厦门大学
IPC: G01N23/046
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅晶体质量的快速无损检测方法，将碳化硅晶体置于计算机层析扫描(CT)的载物台上，通过特定参数下的计算机层析扫描结合图像衬度，以及形貌特征的鉴别，可对碳化硅晶体内典型缺陷实现快速无损地检测，直接获取被测晶锭不同断层存在的缺陷形貌、密度分布，以及缺陷随生长过程的演化情况，可显著提高碳化硅晶体缺陷的可视化程度，无需特殊制样便可较为简便快速地分析晶体的质量。
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公开(公告)号：CN115216842A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202210724292.8
申请日：2022-06-24
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种生长高质量碳化硅单晶的坩埚结构及其生长方法，通过在生长坩埚内部、粉料表面上方的位置安装特定结构的石墨导流板，有效减小生长腔室内对流不规则性和物质流通量的不均匀性，从而保证输运到籽晶表面、参与生长的气相物质的均匀性得到提升，进而使得碳化硅单晶生长表面的平整度提高，同时晶体缺陷减少，最终获得高质量和大尺寸的碳化硅单晶。本发明通过在碳化硅生长坩埚中添加石墨导流板装置，优化了碳化硅单晶生长的温场和传质过程，是一种提高碳化硅晶体生长质量的有效方法。
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公开(公告)号：CN110635039B
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN201910774695.1
申请日：2019-08-21
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明提供一种钝化钙钛矿的方法包括：制备钙钛矿前驱体溶液；将基底退火，其中所述基底含电子传输层；将所述钙钛矿前驱体溶液涂覆于所述基底上并加热，以生成钙钛矿薄膜；以及在所述钙钛矿薄膜上形成环状醚钝化层，得到经环状醚修饰的钙钛矿薄膜。本发明提出以N‑甲基吡咯烷酮制备、环状醚钝化修饰钙钛矿层的方法，其工艺简单，以本发明方法制备的钙钛矿所组装的太阳能电池的效率高，重复性好，稳定性也有明显提升。
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