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公开(公告)号：CN208722887U
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201820923579.2
申请日：2018-06-14
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L29/66
Abstract: 本实用新型公开一种具有可控极化率的二维自旋电子器件，包含基底、层叠设置在基底上表面的增强光吸收层、III-VI族硫属化物二维材料、铁磁金属层、BN二维材料保护层；以及与III-VI族硫属化物二维材料连接的第一和第二沟道电极；该器件中铁磁金属层经由界面耦合效应向III-VI族硫属化物二维材料注入自旋极化载流子，使器件在激光入射下激发产生自旋极化电子，并且在沟道回路中形成自旋电流，且自旋电流的极化率可由铁磁金属层中铁磁金属团簇的形貌及尺度控制。
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