公开(公告)号：CN104078334A

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：CN201410300595.2

申请日：2014-06-27

Applicant: 南开大学

Inventor： 李娟 ,  景月月 ,  吕朋浩 ,  刘政鹏

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/268

CPC classification number: H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/02686

Abstract: 一种用氢等离子体预处理激光晶化制备多晶硅薄膜的方法，步骤如下：在石英玻璃衬底上沉积晶化前驱物后进行退火处理；采用等离子体增强化学气相沉积法进行氢等离子体预处理后进行二次退火处理；用激光器的激光照射上述二次退火处理后的晶化前驱物以使其晶化为多晶硅，即可制得多晶硅薄膜。本发明的优点是：该制备方法与普通的微电子工艺兼容且成本低廉；通过控制氢等离子体预处理达到提高薄膜性能的目的；所制备的多晶硅薄膜可广泛用于制备多晶硅薄膜晶体管和多晶硅晶体管电路、显示器象素电路和光电子器件、面阵敏感器，平板显示基板，多晶硅电路和象素电极制备的全集成显示系统，具有重要的实用价值。

公开(公告)号：CN102208434B

公开(公告)日：2013-07-10

申请号：CN201110102863.6

申请日：2011-04-22

Applicant: 南开大学

Inventor： 孟志国 ,  丁思唯 ,  李娟 ,  熊绍珍

IPC: H01L27/32

Abstract: 一种有源矩阵有机发光二极管显示基板，由像素单元集合而成，像素单元包括扫描线、数据线、公共电源供给线、阴极线、选址TFT、控制TFT、存储电容和像素OLED，公共电源供给线由网状公共电源供给线和环状公共电源供给线构成，两个相邻像素单元之间的公共电源供给线由公共电极交叉岛连接并形成网状结构，与环状公共电源供给线相接的像素单元的公共电源供给线通过接触孔与其连接。本发明的优点：在相同显示面积和亮度时，网状电极的电极总功率耗散为梳状电极的16.1％；在相同显示面积和亮度时，网状电极其电极最大直流电压降为梳状电极的27.3％，这对解决大面积AMOLED基板电极总功率耗散和电极直流电压降提供了有效的方法。

公开(公告)号：CN100999388B

公开(公告)日：2011-02-09

申请号：CN200610130711.6

申请日：2006-12-30

Applicant: 南开大学

Inventor： 熊绍珍 ,  吴春亚 ,  李娟 ,  李学东 ,  孟志国 ,  李鹤

IPC: C03C17/22 ,  C04B41/51 ,  C23C16/24 ,  C23C16/56 ,  C23C14/14 ,  C23C14/58 ,  C30B29/06 ,  C30B28/00 ,  C08J7/06

Abstract: 一种通过表面修饰溶液法金属诱导晶化制备大晶粒多晶硅薄膜材料的方法。以非晶硅薄膜为初始材料，在非晶硅或其上的二氧化硅的表面旋涂、气熏或喷淋一层亲合剂进行表面修饰，再旋涂、气熏或喷淋一层含有能起诱导晶化作用的金属离子的溶液；然后在400℃-600℃下退火，即可获得晶粒尺寸在10微米量级上的大晶粒多晶硅薄膜。通过表面修饰，可增强非晶硅或自然氧化层和溶液的“亲和力”。通过调整溶液浓度、甩胶机转速、气熏时间或喷淋剂量、退火温度等，可以控制晶粒的大小。此方法可用于制备低温多晶硅薄膜晶体管、太阳电池、或半导体集成电路、或微机械系统(MEMS)中器件的有源层或多晶硅栅。