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公开(公告)号：CN100572501C
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200710150115.9
申请日：2007-11-09
Applicant: 南开大学
IPC: C09K11/88
Abstract: 一种具有近红外荧光的CdTe/CdSe核壳量子点的水相层层组装制备方法。首先由氯化镉、巯基化合物和碲氢化钠(钾)合成CdTe纳米晶核，再向CdTe纳米晶核中依次加入镉-巯基化合物的水溶液和新鲜的硒氢化钠(钾)溶液，回流形成一层CdSe；重复上述合成壳层的操作可制出具有不同CdSe壳层数、发射波长处于650～800纳米的量子点。本发明的方法操作简单，条件温和，成本低。合成产物CdTe/CdSe量子点水溶性、稳定性好，荧光量子产率较高，发射光谱在近红外光区内可调。
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公开(公告)号：CN113972301B
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202111225067.1
申请日：2021-10-20
Applicant: 南开大学
IPC: H01L31/18 , C23C14/06 , C23C14/08 , C23C14/14 , C23C14/24 , C23C14/30 , C23C14/34 , H01L31/0216 , H01L31/0224
Abstract: 本发明提供了一种铜基薄膜太阳电池及其制备方法，该制备方法包括：在衬底上形成金属电极层；在金属电极层上形成光吸收层，其中，光吸收层包括依次层叠形成的银碱共掺化合物预置层和铜基化合物半导体层，银碱共掺化合物预置层形成于金属电极层上；在光吸收层上形成碱金属化合物钝化层；在碱金属化合物钝化层上形成缓冲层；在缓冲层上形成窗口层；在窗口层上形成顶电极层。基于此方法，在低温制备中够充分完成薄膜内结晶生长，有效提升器件性能。
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公开(公告)号：CN113861975A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202111286103.5
申请日：2021-11-02
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明公开了一种锗酸盐弹性应力发光材料的制备方法与应用。所述发光材料的化学式为Li2Zn1‑xGeO4:xMn2+，其中0＜x＜0.5，x为摩尔含量。制备：各元素按照化学计量比称取原料，充分研磨后，进行低温预烧和高温煅烧两个阶段，最终得到目标产物。该材料的制备简单、化学性质稳定、对环境无害，且具有较强的余辉和应力发光强度。利用其长余辉与应力发光特性，分别设计了二维码标签和个性化签名两个实际应用，这表明该材料在光学防伪和信息加密领域有潜在的应用价值。
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公开(公告)号：CN113540288A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110767251.2
申请日：2021-07-07
Applicant: 南开大学
IPC: H01L31/18 , H01L21/02 , H01L31/032 , H01L31/072
Abstract: 本发明提供了一种室温硫化的铜基吸收层薄膜和太阳电池及其制备方法，该室温硫化的铜基吸收层薄膜和太阳电池及其制备方法，包括：在Mo电极上沉积铜基吸收层薄膜；使用氨水和硫化氨蒸气处理铜基吸收层薄膜表面，获得具有表面梯度带隙的铜基薄膜太阳电池。本发明中先使用氨水刻蚀铜基薄膜表面，使其表面留下悬挂键和硒空位。然后再使用硫化氨蒸气硫化铜基薄膜表面，使其表面带隙增加，形成了表面梯度带隙。经过室温硫化后，电池的开路电压得到大幅提升，因此使效率获得提升。硫化氨蒸气硫化铜基薄膜表面工艺简单，降低了太阳电池的制造成本。
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公开(公告)号：CN110611002B
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN201910907568.4
申请日：2019-09-24
Applicant: 南开大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开一种具有P掺杂的Mo电极的太阳电池制备方法，包括以下步骤：在衬底上制备Mo金属电极；将所述Mo金属电极在浓度级别为mmol/L的磷酸根溶液中进行浸泡，然后以550℃退火30min，获得P掺杂的Mo电极；在所述P掺杂的Mo电极上形成金属预制层；对所述金属预制层进行后硒化处理或后硫化处理形成吸收层；在所述吸收层上形成缓冲层；在所述缓冲层上形成本征氧化锌层和掺杂氧化锌层；以及形成顶电极。
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公开(公告)号：CN109671803B
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN201811333138.8
申请日：2018-11-09
Applicant: 南开大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224
Abstract: 本发明公开一种薄膜太阳能电池制备方法，包括以下步骤：在衬底上形成背电极；在背电极上形成金属预制层，将金属预制层在NaF溶液中进行浸泡处理并烘干，将烘干后的金属预制层进行后硒化处理形成吸收层；形成缓冲层；形成本征氧化锌层和掺杂氧化锌层；以及形成顶电极。本发明通过采用NaF溶液对金属预制层进行处理，使得薄膜太阳能电池的开路电压显著提高，器件效率得到了明显的提升。另外，本发明成本低廉，有利于商业化推广和应用。
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公开(公告)号：CN111244197A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN202010062654.2
申请日：2020-01-20
Applicant: 南开大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种铜基薄膜太阳电池正电极及其制备方法，该铜基薄膜太阳电池正电极的制备方法，包括：在衬底上制备Mo金属电极；使用磷酸铵溶液处理所述Mo金属电极，获得铜基薄膜太阳电池正电极。本发明中使用磷酸铵溶液处理Mo金属电极，NH4+在Mo金属电极表面进行刻蚀，减少了界面缺陷态。正电极与光吸收层之间的接触更加匹配。同时PO43-调整金属Mo的功函数，使其与光吸收层的能带匹配。经过处理，电池短路电流密度得到大幅提升，因此使效率获得提升。磷酸铵溶液处理Mo金属电极工艺简单，降低了太阳电池的制造成本。
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公开(公告)号：CN107507874A
公开(公告)日：2017-12-22
申请号：CN201710664869.X
申请日：2017-08-07
Applicant: 南开大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0392 , C25D5/18 , C25D3/54
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/022425 , C25D3/54 , C25D5/18 , H01L31/03923
Abstract: 一种用于化合物半导体薄膜及太阳电池的脉冲电沉积制备高质量铟薄膜的方法。现有电沉积方法制备的In薄膜表面呈“岛状”形貌，影响薄膜成分和厚度均匀性，对制备高质量半导体薄膜产生不利影响。本发明提供的脉冲电沉积方法在室温下InCl3或In2(SO4)3水溶液中，在阴极金属衬底上施加脉冲电流信号，通过控制脉冲电流密度、脉冲频率和占空比控制金属形核和生长过程，降低晶核尺寸，形成平整致密薄膜。
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公开(公告)号：CN105062472B
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201510531256.X
申请日：2015-08-26
Applicant: 南开大学
CPC classification number: Y02B20/181
Abstract: 一种用于暖白光LED的蓝色荧光粉的制备方法，所述蓝色荧光粉的化学式为β-NaSr1-xBO3:xCe3+，式中x为0.01-0.09，其制备方法：以钠、锶盐类，硼酸和铕的氧化物为原料，按化学计量比称取后充分研磨，置马弗炉中经低温初次预烧、高温二次煅烧以及三次还原烧结，再经过后处理，得到最终产物无机硼酸盐蓝色荧光粉；所制备的用于暖白光LED的蓝色荧光粉的应用，在紫外光激发下，与红、绿色荧光粉混合可以实现低色温的白色荧光，用于暖白光LED照明。本发明的优点是：该蓝色荧光粉具有宽的激发和发射波段、色纯度好，原料简单易得，成本低廉，制作工艺简单，且可应用于大功率LED芯片，并表现出优异的性能。
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公开(公告)号：CN103456802A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201310394901.9
申请日：2013-09-04
Applicant: 南开大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种用于聚酰亚胺衬底铜铟镓硒薄膜太阳能电池的背电极，用薄层Ag作为应力缓冲层并与Mo薄膜构成复合结构，由聚酰亚胺衬底、薄Mo薄膜层、Ag薄膜层和厚Mo薄膜层依次叠加构成，薄Mo薄膜层为高阻Mo层，Ag薄膜层为应力缓冲层，厚Mo薄膜层为阻挡层，阻挡层为双层Mo薄膜；该背电极用于铜铟镓硒薄膜太阳能电池的背电极。本发明的优点是：采用简单、低廉的磁控溅射技术，制备薄Ag薄膜作为应力缓冲层来平衡聚酰亚胺衬底与Mo之间热膨胀系数不匹配所带来的应力，这种复合结构的背电极电阻率比较低，其反射率比较高，对于超薄CIGS电池效率的提升具有重要作用。
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