公开(公告)号：CN113540288A

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN202110767251.2

申请日：2021-07-07

Applicant: 南开大学

Inventor： 张毅 ,  王思宇 ,  申展 ,  刘越 ,  王作允

IPC: H01L31/18 ,  H01L21/02 ,  H01L31/032 ,  H01L31/072

Abstract: 本发明提供了一种室温硫化的铜基吸收层薄膜和太阳电池及其制备方法，该室温硫化的铜基吸收层薄膜和太阳电池及其制备方法，包括：在Mo电极上沉积铜基吸收层薄膜；使用氨水和硫化氨蒸气处理铜基吸收层薄膜表面，获得具有表面梯度带隙的铜基薄膜太阳电池。本发明中先使用氨水刻蚀铜基薄膜表面，使其表面留下悬挂键和硒空位。然后再使用硫化氨蒸气硫化铜基薄膜表面，使其表面带隙增加，形成了表面梯度带隙。经过室温硫化后，电池的开路电压得到大幅提升，因此使效率获得提升。硫化氨蒸气硫化铜基薄膜表面工艺简单，降低了太阳电池的制造成本。

公开(公告)号：CN113540288B

公开(公告)日：2022-09-20

申请号：CN202110767251.2

申请日：2021-07-07

Applicant: 南开大学

Inventor： 张毅 ,  王思宇 ,  申展 ,  刘越 ,  王作允

IPC: H01L31/18 ,  H01L21/02 ,  H01L31/032 ,  H01L31/072

Abstract: 本发明提供了一种室温硫化的铜基吸收层薄膜和太阳电池及其制备方法，该室温硫化的铜基吸收层薄膜和太阳电池及其制备方法，包括：在Mo电极上沉积铜基吸收层薄膜；使用氨水和硫化氨蒸气处理铜基吸收层薄膜表面，获得具有表面梯度带隙的铜基薄膜太阳电池。本发明中先使用氨水刻蚀铜基薄膜表面，使其表面留下悬挂键和硒空位。然后再使用硫化氨蒸气硫化铜基薄膜表面，使其表面带隙增加，形成了表面梯度带隙。经过室温硫化后，电池的开路电压得到大幅提升，因此使效率获得提升。硫化氨蒸气硫化铜基薄膜表面工艺简单，降低了太阳电池的制造成本。