公开(公告)号：CN106876597A

公开(公告)日：2017-06-20

申请号：CN201710102252.9

申请日：2017-02-24

Applicant: 南开大学

Inventor： 张建军 ,  黄利克 ,  孙小香 ,  杜阳阳 ,  倪牮 ,  蔡宏琨 ,  李娟

IPC: H01L51/48

Abstract: 本发明公开了一种降解或废弃钙钛矿太阳电池的器件回收处理与再利用工艺，包括降解钙钛矿太阳电池器件的初步清洗处理、所得基片的彻底清洗和处理、基片用于重新制备太阳电池器件、产生的废液（各功能层化学组分的混合有机溶液及悬浮物或沉淀）的初步处理以得到背电极金属材料、产生的废液的进一步处理以得到可以参与新一轮器件制备的卤化铅。本发明涉及的湿法工艺具有低温、低耗能等优点，可以避免铅流失对环境生态和人身健康造成的潜在威胁，可以实现对资源的充分和重新再利用，具有潜在良好的经济效益，可进一步推进廉价钙钛矿太阳电池的实用化。

公开(公告)号：CN104985177B

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201510341884.1

申请日：2015-06-18

Applicant: 南开大学

Inventor： 倪牮 ,  李昶 ,  张建军 ,  孙小香 ,  蔡宏琨 ,  张德贤 ,  李娟

IPC: B22F1/02 ,  C23C16/44 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 一种一步法合成表面钝化的纳米锗颗粒的方法，该方法采用电感耦合等离子体增强化学气相沉积系统，使用液态锗和水作为反应源，一步直接合成表面钝化的纳米锗颗粒。本发明的优点在于：降低成本的同时消除了反应源易燃易爆的隐患；提高产量的同时避免了颗粒间的团聚；原位钝化的方法简化了工艺流程，是一种低成本的、易于产业化的纳米锗颗粒制备方法。

公开(公告)号：CN105355786A

公开(公告)日：2016-02-24

申请号：CN201510675217.7

申请日：2015-10-19

Applicant: 南开大学

Inventor： 蔡宏琨 ,  杜阳阳 ,  张建军 ,  张德贤 ,  倪牮 ,  李娟 ,  温宏斌 ,  吴玉祥

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/48

CPC classification number: Y02E10/549 ,  H01L51/4226 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0097

Abstract: 本发明涉及柔性衬底上制备有机无机杂化钙钛矿平面异质结光伏器件，特指采用阳极氧化法制备的二氧化钛致密层作为电子传输层，实现全低温条件制备柔性钙钛矿光伏器件。基于柔性PET/ITO透明导电基底、阳极氧化二氧化钛致密层、有机无机杂化钙钛矿吸收层、空穴传输层和金属电极层的低温柔性光伏器件。通过在PET/ITO导电基底上溅射得到30-100nm厚的金属钛膜，随后在一定溶剂中氧化得到二氧化钛致密层，之后通过旋涂、蒸发或者印刷钙钛矿吸收层，进而制备有机或无机空穴传输层，最后蒸镀金属电极完成整个器件的制备，制备柔性光伏器件光电转化效率超过6%。其特点在于阳极氧化制备的二氧化钛致密层可以在室温条件下获得，为钙钛矿太阳电池低成本、大面积的产业化发展提供了一种发展途径。

公开(公告)号：CN103413869A

公开(公告)日：2013-11-27

申请号：CN201310294317.6

申请日：2013-07-15

Applicant: 南开大学

Inventor： 陈新亮 ,  张晓丹 ,  赵颖 ,  赵慧旭 ,  杨旭 ,  倪牮 ,  张德坤 ,  魏长春 ,  张建军 ,  耿新华

IPC: H01L31/20 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/076

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种绒面结构ZnO-TCO薄膜的制备方法及其应用，绒面结构ZnO-TCO薄膜的结构特征为玻璃/低掺杂型绒面结构ZnO:B/超薄ITO薄膜/高导电透明ZnO:B薄膜，制备步骤是：1）利用MOCVD技术在玻璃衬底上生长绒面结构低含量硼掺杂ZnO透明导电薄膜；2）利用热蒸发技术生长超薄Sn掺杂In2O3薄膜；3）在该薄膜上生长小晶粒尺寸的高导电和高透明ZnO:B薄膜。本发明的优点：MOCVD技术获得的ZnO薄膜，在较低B掺杂情况下可降低自由子流子浓度，提高薄膜电子迁移率；热蒸发技术生长超薄ITO薄膜，促进ZnO薄膜的生长取向，促进晶化；用于pin型Si基叠层薄膜太阳电池，可实现较高光电转化效率。

公开(公告)号：CN102903767A

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：CN201210436043.5

申请日：2012-11-05

Applicant: 南开大学

Inventor： 倪牮 ,  马峻 ,  张建军 ,  侯国付 ,  陈新亮 ,  张晓丹 ,  赵颖

IPC: H01L31/0376 ,  H01L31/0352

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: 一种p型非晶硅碳-纳米颗粒硅多量子阱窗口层材料，是采用层递式沉积方法制备的由宽带隙非晶硅碳薄膜和窄带隙p型纳米颗粒硅薄膜交替生长的多层材料，非晶硅碳薄膜的厚度为2-8nm，p型纳米颗粒硅薄膜的厚度为2-8nm，如此循环沉积多次，直至形成总厚度为20-50nm的p型非晶硅碳-纳米颗粒硅多量子阱材料；该p型非晶硅碳-纳米颗粒硅多量子阱窗口层材料用于硅基薄膜太阳电池。本发明的优点是：该材料光学带隙可达2.0~3.7eV，电导率可达0.1~5.0S/cm；该材料用于硅基薄膜太阳电池，可显著提高电池的开路电压，降低窗口层的光吸收损失，提高电池的短波响应和短路电流密度，提高光电转换效率。

公开(公告)号：CN101752435A

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200910244846.9

申请日：2009-12-17

Applicant: 南开大学

Inventor： 张建军 ,  张丽平 ,  倪牮 ,  曹宇 ,  王先宝 ,  赵颖 ,  耿新华

IPC: H01L31/042 ,  H01L31/0264 ,  H01L31/18 ,  C23C16/513 ,  C23C16/455

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种本征层为微晶硅锗薄膜的硅基薄膜太阳电池，包括透明衬底、透明导电薄膜、P型窗口层、本征层I、N+层、背反射电极和金属电极，本征层I为微晶硅锗薄膜；该微晶硅锗薄膜的制备方法包括下述步骤：1)将带有透明导电膜的玻璃衬底放在真空室内，本底真空高于2×10-4Pa；2)在向反应室通入反应气体硅烷、锗烷、氟化锗和氢气的条件下，沉积微晶硅锗薄膜。本发明的有益效果是：该硅基薄膜电池结构新颖；制备的微晶硅锗薄膜材料具有窄带隙、低缺陷、高光敏性的优点且制备工艺简单、容易操作、制造成本低；采用该材料的硅基薄膜电池可提高光谱响应范围、稳定性和转化效率。

公开(公告)号：CN101736321A

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200910244848.8

申请日：2009-12-17

Applicant: 南开大学

Inventor： 张建军 ,  张丽平 ,  倪牮 ,  曹宇 ,  王先宝 ,  赵颖 ,  耿新华

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/42 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 一种采用氦氢气体混合共稀释法制备微晶硅锗薄膜的方法，包括下述步骤：1)将带有T的玻璃衬底G放在真空室内，本底真空高于2×10-4Pa；2)在向反应室通入反应气体硅烷和锗烷、稀释气体氦气和氢气的条件下，采用等离子体增强化学气相沉积法沉积微晶硅锗薄膜，气体的流量为：硅烷(5-10)sccm、锗烷(0.5-1.0)sccm、氢气(100-200)sccm、氦气与氢气的流量比为1∶1～5。本发明的有益效果是：该法制备的微晶硅锗薄膜具有窄带隙、低缺陷和高光敏性等优点，且制备工艺简单、容易操作、制造成本低；采用该材料的硅基薄膜电池可提高光谱响应范围、稳定性和转化效率。