-
公开(公告)号：CN114965374A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210513882.6
申请日：2022-05-11
Applicant: 南京邮电大学
IPC: G01N21/51
Abstract: 本发明提出了半导体领域内的一种利用可见光信号的氮化镓光电子集成式浊度传感器，包括设置在液体容器内壁上的光电子芯片，所述光电子芯片包括硅衬底层、氮化物外延层，所述氮化物外延层上设置有作为可见光信号光源的微型LED器件及接收可见光信号的光电探测器，所述氮化物外延层设置有连接微型LED器件和光电探测器的正电极、负电极，所述硅衬底层部分与电路板结合，所述氮化物外延层外部设有封装层，本发明集成度高，可以使用低成本小体积的集成式系统有效且准确地监测待测液体的浊度等物理参数。
-
公开(公告)号：CN113066891B
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202110354218.7
申请日：2021-04-01
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L31/173 , H01L31/0232 , H01L31/18 , G01N21/41
Abstract: 本发明揭示了一种基于多波导型定向耦合器的集成式芯片及其制备方法，所述芯片以晶圆为载体，所述晶圆上设置有发光二极管器件，所述发光二极管器件的出光端依次设置有调节组件及光电探测器，所述调节组件由多波导型定向耦合器及与置于所述多波导型定向耦合器上方，且与所述多波导型定向耦合器垂直相交的聚二甲基硅氧烷微流体通道构成。本发明采用以上技术方案与现有技术相比，产生的有益效果为：可以有效且快速的监测出待测液体的折射率等物理参数。
-
公开(公告)号：CN113363345B
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202110603985.7
申请日：2021-05-31
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L31/173 , H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 本发明是一种基于表面等离激元增强的高速光子集成芯片及制备方法，芯片以硅衬底LED外延片为载体，在硅衬底LED外延片上设置LED器件和光电探测器，LED器件和光电探测器之间通过波导相连，LED器件和光电探测器分别包括p‑n结、p型电极和n型电极。本发明将表面等离激元增强的LED器件、光波导和表面等离激元增强的光电探测器集成在同一芯片上，LED器件发出的光，侧向耦合进光波导，通过光波导传输，在波导另一端被光电探测器检测到，表面等离激元耦合作用可以提高LED器件的调制带宽和光电探测器的响应度，同时增大LED的发光谱和探测器响应谱的重叠程度，最终实现高速光子集成芯片。
-
公开(公告)号：CN110113101B
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN201910328584.8
申请日：2019-04-23
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H04B10/116 , H04B10/40
Abstract: 本发明涉及通信技术领域，尤其涉及一种可见光通信装置。所述可见光通信装置包括：收发模块，包括发射光源，所述发射光源用于向外界发射第一光信号；处理模块，包括至少一驱动电路和至少一恒流电路，所述驱动电路中包括至少一MOS管；所述恒流电路连接所述发射光源的输入端，用于向所述发射光源传输恒电流信号；所述MOS管连接所述发射光源的输出端，用于控制所述发射光源是否导通，以提高所述发射光源的响应速率。本发明大幅度提高所述可见光通信装置的通信速率。
-
公开(公告)号：CN110568216B
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN201910852966.0
申请日：2019-09-10
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种同质集成光电子装置。所述同质集成光电子装置包括：衬底；能源模块，位于所述衬底表面，包括激光发射器、聚光单元、第一量子阱二极管和储能电容；所述聚光单元用于将所述激光发射器发射的第一光信号汇聚至所述第一量子阱二极管；所述第一量子阱二极管用于将接收到的所述第一光信号转换为第一电信号后存储于所述储能电容中，以向传感模块供能；传感模块，用于将外界的传感信号转换为第二电信号。本发明提高了光电子装置的集成度，改善了光电子装置的性能。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113363345A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202110603985.7
申请日：2021-05-31
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L31/173 , H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 本发明是一种基于表面等离激元增强的高速光子集成芯片及制备方法，芯片以硅衬底LED外延片为载体，在硅衬底LED外延片上设置LED器件和光电探测器，LED器件和光电探测器之间通过波导相连，LED器件和光电探测器分别包括p‑n结、p型电极和n型电极。本发明将表面等离激元增强的LED器件、光波导和表面等离激元增强的光电探测器集成在同一芯片上，LED器件发出的光，侧向耦合进光波导，通过光波导传输，在波导另一端被光电探测器检测到，表面等离激元耦合作用可以提高LED器件的调制带宽和光电探测器的响应度，同时增大LED的发光谱和探测器响应谱的重叠程度，最终实现高速光子集成芯片。
-
公开(公告)号：CN113066890A
公开(公告)日：2021-07-02
申请号：CN202110354194.5
申请日：2021-04-01
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L31/173 , H01L31/18 , G01H9/00
Abstract: 本发明揭示了一种红外光微型振动监测芯片及其制备方法，所述芯片包括一印刷线路板，所述印刷线路板上设置有晶圆，所述晶圆包括磷化铟衬底及设置于所述磷化铟衬底上的多量子阱外延层，所述多量子阱外延层内设置有红外光发射部件和红外光接收部件，所述红外光发射部件与所述红外光接收部件通过导线与所述印刷线路板连接。本发明采用以上技术方案与现有技术相比，产生的有益效果为：本发明的芯片对测量空间稳定性和几何光路尺寸的要求大幅度降低，安装操作方便，使用单个光电子芯片进行振动监测，成本低，操作方便，适用于多种不同的工作环境。
-
公开(公告)号：CN109888611B
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN201910206657.6
申请日：2019-03-18
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种电驱动纳米梁结构的氮化物微激光器及其制备方法，激光器以硅基氮化物晶片为载体，包括从下至上依次设置的硅衬底层、u型氮化镓层、n型氮化镓层、量子肼层、p型氮化镓层、设置在所述p型氮化镓层上的p型电极、设置在所述n型氮化镓层边缘的n型电极，硅衬底层内部镂空，仅保留侧壁和底面，形成一个位于u型氮化镓层下方的空腔。本发明在硅衬底上的氮化物材料，利用光刻刻蚀工艺和ICP刻蚀工艺制备纳米梁结构的氮化物微腔，在正向偏压下，获得紫外光波段的激光。
-
公开(公告)号：CN110854247B
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN201911132448.8
申请日：2019-11-19
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于MEMS扫描微镜的发射方向可控的蓝光微LED器件及其制造方法，实现载体为蓝宝石衬底氮化物晶片和绝缘体上硅（SOI）晶片，蓝宝石衬底氮化物晶片包括顶层氮化物和位于顶层氮化物下部的蓝宝石衬底层，蓝宝石衬底层通过激光剥离技术将其剥离，顶层氮化物和镍/金电极构成阵列式微LED器件，SOI晶圆片顶层设置有MEMS扫描微镜，并通过阳极键合技术将扫描微镜与微LED集成，本发明在MEMS微镜上集成了阵列式微LED，可以做可见光通信或显示用的光源，也可以在可见光通信里作为光电接收模块。
-
公开(公告)号：CN111430401A
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN202010115714.2
申请日：2020-02-25
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种单片光电集成电路及其形成方法。所述单片光电集成电路包括：衬底，包括光子集成器件区域和外围电路区域；第一GaN基多量子阱光电PN结器件，位于光子集成器件区域，用作发光二极管，包括第一P-型欧姆接触电极和第一N-型欧姆接触电极；第一GaN基场效应晶体管，位于外围电路区域，包括具有第一凹槽的第一栅极介质层、填充于第一凹槽中的第一栅极、以及第一源极和第一漏极；第一源极电连接第一P-型欧姆接触电极，第一漏极用于与第一电位电连接，第一N-型欧姆接触电极用于与低于第一电位的第二电位电连接，第一栅极电连接控制端口，以控制发光二极管的亮灭。本发明制备的单片光电集成电路具有高性能，且能够有效降低其加工难度。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
196
records
(took 0.027 seconds)
