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公开(公告)号：CN112563302A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202110222859.7
申请日：2021-03-01
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种微纳复合结构光子集成芯片及其制备方法，属于半导体光电子器件与集成技术领域，该芯片利用纳米制备技术得到纳米LED结构，然后利用光刻技术得到LED器件、波导和光电探测器，采用深硅刻蚀技术和氮化物背后刻蚀技术，得到超薄的硅衬底悬空微纳复合结构光子集成芯片。本发明的芯片将纳米结构LED器件、波导和光电探测器集成在同一芯片上，纳米LED器件发出的光，侧向耦合进波导，通过波导传输，在波导另一端被光电探测器检测到，纳米结构可以增强LED的调制带宽和增大LED的发光谱和探测器响应谱的重叠程度，实现高速光子集成芯片，应用于光通信和光传感领域。
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公开(公告)号：CN114649451B
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210541767.X
申请日：2022-05-19
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明提供了一种红光Micro‑LED及其制备方法，所述红光Micro‑LED以LED外延片为载体，包括自下而上依次连接设置的衬底层、非掺杂GaN层、n型GaN层、InGaN/GaN超晶格层、InGaN/GaN多量子阱层、AlGaN电子阻挡层和p型GaN层，所述n型GaN层、所述InGaN/GaN超晶格层、所述InGaN/GaN多量子阱层、所述AlGaN电子阻挡层和所述p型GaN层形成所述红光Micro‑LED的p‑n结。本发明能够提高红光Micro‑LED的发光效率和偏振度，在高分辨率显示、增强现实/虚拟现实和军事航天等领域具有广泛的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119730493A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411933987.2
申请日：2024-12-26
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H10H20/816 , H10H20/812 , H10H20/811 , H10H20/01 , H10H20/00 , H10H20/81 , H10H20/832 , H10H20/841
Abstract: 本发明属于半导体光电子器件技术领域，具体涉及一种垂直结构红光Micro‑LED及其制备方法；所述红光Micro‑LED包括自下而上依次设置的p型电极、Si衬底、键合金属层、Ni/Ag反射层、p型GaN层、p‑AlGaN电子阻挡层、InGaN/GaN多量子阱层、InGaN/GaN超晶格层、n型GaN层和n型电极；其中，所述p型GaN层、p‑AlGaN电子阻挡层、InGaN/GaN多量子阱层、InGaN/GaN超晶格和n型GaN层构成红光Micro‑LED的p‑n结。本发明实现了高亮度垂直结构红光Micro‑LED，在高分辨率显示和裸眼3D显示等众多领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN114649451A
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202210541767.X
申请日：2022-05-19
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明提供了一种红光Micro‑LED及其制备方法，所述红光Micro‑LED以LED外延片为载体，包括自下而上依次连接设置的衬底层、非掺杂GaN层、n型GaN层、InGaN/GaN超晶格层、InGaN/GaN多量子阱层、AlGaN电子阻挡层和p型GaN层，所述n型GaN层、所述InGaN/GaN超晶格层、所述InGaN/GaN多量子阱层、所述AlGaN电子阻挡层和所述p型GaN层形成所述红光Micro‑LED的p‑n结。本发明能够提高红光Micro‑LED的发光效率和偏振度，在高分辨率显示、增强现实/虚拟现实和军事航天等领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN112563302B
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN202110222859.7
申请日：2021-03-01
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种微纳复合结构光子集成芯片及其制备方法，属于半导体光电子器件与集成技术领域，该芯片利用纳米制备技术得到纳米LED结构，然后利用光刻技术得到LED器件、波导和光电探测器，采用深硅刻蚀技术和氮化物背后刻蚀技术，得到超薄的硅衬底悬空微纳复合结构光子集成芯片。本发明的芯片将纳米结构LED器件、波导和光电探测器集成在同一芯片上，纳米LED器件发出的光，侧向耦合进波导，通过波导传输，在波导另一端被光电探测器检测到，纳米结构可以增强LED的调制带宽和增大LED的发光谱和探测器响应谱的重叠程度，实现高速光子集成芯片，应用于光通信和光传感领域。
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公开(公告)号：CN113363345B
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202110603985.7
申请日：2021-05-31
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L31/173 , H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 本发明是一种基于表面等离激元增强的高速光子集成芯片及制备方法，芯片以硅衬底LED外延片为载体，在硅衬底LED外延片上设置LED器件和光电探测器，LED器件和光电探测器之间通过波导相连，LED器件和光电探测器分别包括p‑n结、p型电极和n型电极。本发明将表面等离激元增强的LED器件、光波导和表面等离激元增强的光电探测器集成在同一芯片上，LED器件发出的光，侧向耦合进光波导，通过光波导传输，在波导另一端被光电探测器检测到，表面等离激元耦合作用可以提高LED器件的调制带宽和光电探测器的响应度，同时增大LED的发光谱和探测器响应谱的重叠程度，最终实现高速光子集成芯片。
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公开(公告)号：CN113363345A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202110603985.7
申请日：2021-05-31
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L31/173 , H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 本发明是一种基于表面等离激元增强的高速光子集成芯片及制备方法，芯片以硅衬底LED外延片为载体，在硅衬底LED外延片上设置LED器件和光电探测器，LED器件和光电探测器之间通过波导相连，LED器件和光电探测器分别包括p‑n结、p型电极和n型电极。本发明将表面等离激元增强的LED器件、光波导和表面等离激元增强的光电探测器集成在同一芯片上，LED器件发出的光，侧向耦合进光波导，通过光波导传输，在波导另一端被光电探测器检测到，表面等离激元耦合作用可以提高LED器件的调制带宽和光电探测器的响应度，同时增大LED的发光谱和探测器响应谱的重叠程度，最终实现高速光子集成芯片。
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